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公开(公告)号：CN108732210A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810524125.2
申请日：2018-05-28
Applicant: 西安交通大学 , 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于阻抗谱的压电器件结构缺陷检测方法，属于电子技术领域，本发明使用了差异因子来量化不同压电器件之间阻抗谱的差异，通过对一批已知合格和已知不合格样品的差异因子作统计，得到可用于缺陷检测的标准阻抗谱以及阈值。测试新样品的阻抗谱并计算其与标准阻抗谱之间的差异因子，通过新样品差异因子与阈值的比较结果，可以判断新样品是否合格。依靠本方法，可以快速、无损的判断压电器件是否合格。
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公开(公告)号：CN108732210B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201810524125.2
申请日：2018-05-28
Applicant: 西安交通大学 , 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于阻抗谱的压电器件结构缺陷检测方法，属于电子技术领域，本发明使用了差异因子来量化不同压电器件之间阻抗谱的差异，通过对一批已知合格和已知不合格样品的差异因子作统计，得到可用于缺陷检测的标准阻抗谱以及阈值。测试新样品的阻抗谱并计算其与标准阻抗谱之间的差异因子，通过新样品差异因子与阈值的比较结果，可以判断新样品是否合格。依靠本方法，可以快速、无损的判断压电器件是否合格。
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公开(公告)号：CN112563040B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202011435995.6
申请日：2020-12-10
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01G11/50 , H01G11/56 , H01G11/84 , H01G11/86 , C04B35/50 , C04B35/462 , C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/01 , C04B35/457 , C04B35/46 , C04B35/453
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷双电层电容器及其制备方法包括至少两个导体层以及至少一个电解质层，相邻两个导体层之间设置有一个电解质层；每个导体层均为半导体导电陶瓷；每个电解质层均为无机固态电解质陶瓷。本发明具有较大的耐压、低的介电损耗、高的电容量和良好的安全性。将固态电解质和半导体陶瓷相结合，可设计多种新型储能器件，实现二者之间界面的有效控制，适用于大容量的储能技术及高耐压电容器技术领域。
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公开(公告)号：CN107935593B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201711385326.0
申请日：2017-12-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/626 , C04B35/638 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种具有超低滞回电致应变铁电陶瓷材料及其制备方法，属于铁电陶瓷材料制备技术领域。该陶瓷介质材料的化学组成为(Na0.85Ba0.15)(Nb0.85Ti0.15‑xFex)O3，x为0.01～0.02。该铁电陶瓷材料可以在较低的温度下采用固相反应法制备合成，得到一种致密度高，具有超低滞回电致应变的铁电陶瓷。在30～120℃之间，测试电场最大值为60kV/cm时，其等效压电常数Smax/Emax为135到190pm/V，滞回度在所有温度点均小于10％。本发明的成分及工艺步骤简单、易于操作、重复性好。可以应用于对温度稳定性有高要求的高精度驱动器上，具有重大的经济价值。
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公开(公告)号：CN108439981A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810232022.9
申请日：2018-03-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种宽温区介电稳定性和高储能密度的铌酸银基反铁电材料及其制备方法，称取氧化银、五氧化二铌和氧化铋，混合后一次球磨，将球磨得到的混合料依次进行烘干、研磨、过筛；然后将过筛后的混合料进行预烧，预烧结束后自然冷却到室温；然后二次球磨并烘干得到预制粉料；将预制粉料研磨并过筛得到筛选粉料，然后向筛选粉料中加入聚乙烯醇溶液，混合均匀得到造粒后的粉料；将造粒后的粉料静置，然后放入模具中，压成坯件；将坯件在纯氧条件下进行烧结，烧结结束后冷却，出炉得到烧结陶瓷片；将烧结陶瓷片打磨后晾干，在其上下表面涂覆银浆，然后煅烧，煅烧后冷却，即得到宽温区介电稳定性和高储能密度的铌酸银基反铁电材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108424122A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810231029.9
申请日：2018-03-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C04B41/88 , H01G4/12
Abstract: 本发明公开了一种宽温度稳定性的高储能密度无铅反铁电陶瓷材料的制备方法，称取氧化银、五氧化二铌和五氧化二钽混合后一次球磨，然后依次进行烘干、研磨、过筛；然后进行预烧，结束后自然冷却到室温；然后二次球磨并烘干得到预制粉料；将预制粉料研磨并过筛，加入聚乙烯醇溶液，混合均匀；将造粒后的粉料静置，然后放入模具中，压成坯件；将坯件在纯氧条件下进行一次烧结，然后冷却出炉；然后在纯氧条件下进行二次烧结，然后冷却出炉；打磨后晾干，在其上下表面涂覆银浆，然后煅烧，煅烧后冷却，即得到高储能密度无铅反铁电陶瓷材料。本发明易于操作、重复性好，可以应用于对温度稳定性有高要求的高功率脉冲电容器上，具有重大的经济价值。
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公开(公告)号：CN104313696B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410461478.4
申请日：2014-09-11
Applicant: 西安交通大学
IPC: C30B30/02
Abstract: 本发明公开了一种微波频段无介电弥散的铁电单晶材料的处理方法，通过变温逐步极化工艺方法去除掉铁电单晶中的畴壁，使单晶由多畴态往单畴态转变，同时降低由于移动畴壁弛豫而导致的介电弥散，最后得到频率稳定性良好的本征铁电晶格的介电响应。采用本工艺处理的Pb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PIN-PMN-PT)三元体系铁电单晶在微波频段具有以下特点：在50MHz到1000MHz频段间的介电常数实部稳定在160～161之间，虚部稳定在1.3～3.2之间，介电常数在该频段的变化率为±0.436％以内，可以认为其在该微波频段内不存在介电弥散。采用本发明工艺处理的铁电单晶材料具有良好的频率稳定性，在近1000MHz的带宽内性能稳定，可以作为潜在材料应用于微波电子器件领域。
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公开(公告)号：CN100386635C
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200610041901.0
申请日：2006-03-09
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种时域瞬态电流检测压电谐振模式的电路及其方法，其电路包括数字可控电压源，限流电阻R1和大容量电容C，电阻R1与大容量电容C之间连接有N-MOSFET开关，N-MOSFET开关上还连接有驱动芯片、电阻R3，驱动芯片的一端与触发信号相连，电阻R2通过电阻R4与数字示波器相连，压电振子测量端设置在电阻R2和R3之间。通过阶跃电场对同一压电振子的不同谐振模式同时进行激发，用时域方法采集瞬态充、放电电流，采用傅立叶变换对该瞬态电流进行分析，得出不同压电谐振模式对应的谐振频率及其压电参数，具有测量电路简单，成本低廉的优点，同时可以对压电器件的非稳态响应进行直观观察。采用本发明也可以设计基于阶跃或者是方波脉冲的压电振子驱动电路。
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公开(公告)号：CN110342933B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201910532357.7
申请日：2019-06-19
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种调控铌酸钠陶瓷居里温度的方法，属于电子陶瓷材料技术领域。本发明主要利用铌酸钠这种高居里温度的无铅反铁电陶瓷为基体，在此基础上添加BMT及BMN调节陶瓷居里温度。采用氧化物和碳酸盐为原料，通过传统的固相合成制备方法，得到了一种致密度高的无铅电子陶瓷。本发明制备方法的原料成分及工艺步骤简单，方法易于操作、重复性好；BMT或BMN的含量每增加1％，居里温度线性下降33℃或34℃。通过对居里温度的调控，可以进而调控其介电、铁电和应变性能，具有很高的应用价值。本发明指定图3为摘要附图。
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公开(公告)号：CN110011062B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201910356246.5
申请日：2019-04-29
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种连续十字全介质超材料；该材料由若干个介质谐振体单元阵列组成，每一个介质谐振体单元为十字型介质谐振体，且多个十字型介质谐振体相互连接，进而形成一种连续十字全介质超材料。该连续介质结构，利用连续介质结构等效了无限长的电谐振和磁谐振腔，突破了周期性的限制；验证发现，该结构拓展了左手超材料的左手通带带宽，使得带宽不再断裂，而是呈连续状，使得整个材料使用起来更加平滑。
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