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公开(公告)号：CN114657635B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202210280039.8
申请日：2022-03-22
Applicant: 西南交通大学
IPC: C30B25/00 , C30B29/02 , C23G5/00 , C22F1/02 , C22F1/08 , C22F1/10 , C22F1/18 , C21D9/46 , C23F17/00
Abstract: 本发明属于单晶薄膜技术领域，涉及一种快速制备单晶石墨烯的方法。本发明提供一种单晶石墨烯的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：1)采用含氮气体等离子体处理金属箔；2)将等离子体处理后的金属箔置于反应炉中并通入惰性气体，然后升温至退火温度后进行退火处理；3)向反应炉中导入碳源和还原性气体，在生长温度下开始石墨烯单晶的生长，生长结束后即得所述单晶石墨烯。本发明利用氨气和/或氮气等含氮气体结合等离子体法处理金属箔，再用该处理后的金属箔用于生长单晶石墨烯，发现等离子体诱导活化的金属箔能够有效将单晶石墨烯成核位点数量最低降至0.4mm‑2，与此同时单晶石墨烯生长速率达到38.3μm/min生长速率。
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公开(公告)号：CN117725818A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311638605.9
申请日：2023-11-30
Applicant: 国网四川省电力公司经济技术研究院 , 国网四川省电力公司 , 西南交通大学 , 中国电力工程顾问集团西南电力设计院有限公司 , 成都城电电力工程设计有限公司
Inventor： 曾文慧 , 李果 , 任志超 , 吕铎 , 范荣全 , 戴金飞 , 张文涛 , 李峰 , 黄桂灶 , 张军 , 吴广宁 , 梁明 , 潘海涛 , 李宇 , 许文杰 , 罗斌 , 熊高林 , 罗琛 , 余汶典 , 尹磊
IPC: G06F30/27 , G06F30/23 , G06N3/084 , G06N3/048 , G06F18/15 , G06F111/10 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种基于机器学习的孤立档导地线脱冰跳跃最小间隙计算方法，涉及输电线路脱冰间隙计算领域，通过机器学习算法建立导地线脱冰跳跃最小间隙计算方法，能够准确快速的计算不同工况下的导地线最小间隙，为重冰区线路设计提供参考，解决了现有技术中经验公式对导地线最小间隙计算准确度有限以及有限元方法计算精度较高但花费时长较长的问题。
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公开(公告)号：CN114657635A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210280039.8
申请日：2022-03-22
Applicant: 西南交通大学
IPC: C30B25/00 , C30B29/02 , C23G5/00 , C22F1/02 , C22F1/08 , C22F1/10 , C22F1/18 , C21D9/46 , C23F17/00
Abstract: 本发明属于单晶薄膜技术领域，涉及一种快速制备单晶石墨烯的方法。本发明提供一种单晶石墨烯的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：1)采用含氮气体等离子体处理金属箔；2)将等离子体处理后的金属箔置于反应炉中并通入惰性气体，然后升温至退火温度后进行退火处理；3)向反应炉中导入碳源和还原性气体，在生长温度下开始石墨烯单晶的生长，生长结束后即得所述单晶石墨烯。本发明利用氨气和/或氮气等含氮气体结合等离子体法处理金属箔，再用该处理后的金属箔用于生长单晶石墨烯，发现等离子体诱导活化的金属箔能够有效将单晶石墨烯成核位点数量最低降至0.4mm‑2，与此同时单晶石墨烯生长速率达到38.3μm/min生长速率。
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公开(公告)号：CN110052083B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201910404580.3
申请日：2019-05-14
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种抗菌玻璃纤维过滤膜及其制备方法，以玻璃纤维过滤膜为基体，基于偶联接枝反应，采用雾化分散原位接枝聚合技术，制备抗菌玻璃纤维过滤膜；包括以下步骤：步骤1：对玻璃纤维过滤膜进行预处理后进行热处理；步骤2：将步骤1处理过的玻璃纤维过滤膜以设定速度平移，采用雾化发生器以设定速度和压力喷雾抗菌液；步骤3：将步骤2喷雾完成后的玻璃纤维过滤膜在105～150℃条件下保温30～150min，然后清洗烘干后即可得到所需抗菌玻璃纤维过滤膜；本发明制备方法抗菌原辅料消耗少、接枝均匀、工艺简单、反应效率高、生产成本低、能耗低、环保安全；得到的抗菌玻璃纤维过滤膜对细菌和真菌都具有优异的抗菌性能及截留性能。
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公开(公告)号：CN110052083A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910404580.3
申请日：2019-05-14
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种抗菌玻璃纤维过滤膜及其制备方法，以玻璃纤维过滤膜为基体，基于偶联接枝反应，采用雾化分散原位接枝聚合技术，制备抗菌玻璃纤维过滤膜；包括以下步骤：步骤1：对玻璃纤维过滤膜进行预处理后进行热处理；步骤2：将步骤1处理过的玻璃纤维过滤膜以设定速度平移，采用雾化发生器以设定速度和压力喷雾抗菌液；步骤3：将步骤2喷雾完成后的玻璃纤维过滤膜在105～150℃条件下保温30～150min，然后清洗烘干后即可得到所需抗菌玻璃纤维过滤膜；本发明制备方法抗菌原辅料消耗少、接枝均匀、工艺简单、反应效率高、生产成本低、能耗低、环保安全；得到的抗菌玻璃纤维过滤膜对细菌和真菌都具有优异的抗菌性能及截留性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101414497A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810046560.5
申请日：2008-11-14
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 本发明公开了一种连续制备双面织构高温超导二代带材过渡层的方法，其步骤是：将硝酸亚铈或稀土硝酸盐溶解在N，N－二甲基甲酰胺(DMF)中，形成前驱溶液；将聚丙烯酸(PAA)或聚甲基丙烯酸加入前驱溶液中，制得胶体；再将Ni合金基带卷绕通过制得的胶体中，出带后使胶体均匀浸涂在基带表面，再进行干燥；最后放入烧结炉中烧结成相。该方法可以实现高温超导过渡层的连续制备、制备效率高，适用于大规模工业化生产；同时制备出的双面带材的过渡层薄膜一致性、均匀性好、取向度高、表面平整度高；过渡层的临界厚度厚。
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公开(公告)号：CN100458981C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200610022014.9
申请日：2006-10-09
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体的缓冲层的方法，该方法包括以下步骤：将丙烯酸或甲基丙烯酸单体加入N，N-二甲基甲酰胺(DMF)中，聚合生成聚丙烯酸或聚甲基丙烯酸，并将其溶解于N，N-二甲基甲酰胺(DMF)中，形成有机溶剂体系；将稀土硝酸盐和硝酸铋溶解于有机溶剂体系中，制得胶体；再将胶体涂覆在基片上；干燥后，放入烧结炉中烧结成相。本发明的另一方案是将稀土硝酸盐溶解于有机溶剂体系中制得胶体，其余的与第一种方案相同。该方法制作工艺简单，操作控制容易，成本低，不污染环境。
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公开(公告)号：CN100415680C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200610022016.8
申请日：2006-10-09
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/45 , C04B35/624 , H01B12/00
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明公开了一种无氟的化学溶剂沉积制备钇钡铜氧高温超导涂层导体的方法。该方法包括以下步骤：将甲酸钇或乙酸钇、甲酸钡或乙酸钡或丙酸钡、甲酸铜或乙酸铜或丙酸铜溶解在乙酸或丙酸中，形成无水溶液；向无水溶液中加入聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或聚乙二醇(PEG)或聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)，制成成膜性好的胶体；再将胶体涂覆在基片上，干燥后，放入烧结炉中烧结成相，并在氧气中退火即得钇钡铜氧YBCO涂层导体。该方法成本低，制作工艺简单，操作控制容易，且制备过程中不含严重污染环境的氟化物，不污染环境。
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公开(公告)号：CN1959866A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610022014.9
申请日：2006-10-09
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体的缓冲层的方法，该方法包括以下步骤：将丙烯酸或甲基丙烯酸单体加入N，N－二甲基甲酰胺(DMF)中，聚合生成聚丙烯酸或聚甲基丙烯酸，并将其溶解于N，N－二甲基甲酰胺(DMF)中，形成有机溶剂体系；将稀土硝酸盐和硝酸铋溶解于有机溶剂体系中，制得胶体；再将胶体涂覆在基片上；干燥后，放入烧结炉中烧结成相。本发明的另一方案是将稀土硝酸盐溶解于有机溶剂体系中制得胶体，其余的与第一种方案相同。该方法制作工艺简单，操作控制容易，成本低，不污染环境。
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公开(公告)号：CN101281806B
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200810044629.0
申请日：2008-06-04
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 一种高分子辅助沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法，其具体作法是：a、无水溶液制备：按稀土或锆与铈的离子比x∶1-x，0.01≤x≤0.5称量稀土乙酸盐或稀土丙醇盐或稀土乙酰丙酮盐或丙醇锆或锆酸四丁酯与乙酰丙酮铈，溶解于有机溶剂中形成无水溶液；b、胶体制备：在无水溶液中加入聚乙烯醇缩丁醛或聚乙二醇或聚乙烯基吡咯烷酮或聚乙烯醇或聚氧化乙烯形成胶体；c、胶体涂敷与干燥：将胶体涂覆在基片上并干燥；d、烧结成相：再将基片放入烧结炉，以5-100℃/min升至850℃-1150℃，保温0.25-2小时，以1-2℃/min降至室温。该方法制作工艺简单，操作控制容易，成本低，不污染环境；制备得到的氧化铈单层缓冲层的临界厚度达到150-200nm。
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