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公开(公告)号：CN101281806B
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200810044629.0
申请日：2008-06-04
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 一种高分子辅助沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法，其具体作法是：a、无水溶液制备：按稀土或锆与铈的离子比x∶1-x，0.01≤x≤0.5称量稀土乙酸盐或稀土丙醇盐或稀土乙酰丙酮盐或丙醇锆或锆酸四丁酯与乙酰丙酮铈，溶解于有机溶剂中形成无水溶液；b、胶体制备：在无水溶液中加入聚乙烯醇缩丁醛或聚乙二醇或聚乙烯基吡咯烷酮或聚乙烯醇或聚氧化乙烯形成胶体；c、胶体涂敷与干燥：将胶体涂覆在基片上并干燥；d、烧结成相：再将基片放入烧结炉，以5-100℃/min升至850℃-1150℃，保温0.25-2小时，以1-2℃/min降至室温。该方法制作工艺简单，操作控制容易，成本低，不污染环境；制备得到的氧化铈单层缓冲层的临界厚度达到150-200nm。
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公开(公告)号：CN101281805B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200810044628.6
申请日：2008-06-04
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 一种高分子辅助硝酸盐沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法，其作法是：a、无水溶液制备：按稀土或锆与铈的离子比x∶1-x 0.01≤x≤0.5称量稀土硝酸盐或硝酸锆与硝酸亚铈按，并溶解在N，N-二甲基甲酰胺中，形成无水溶液。b、胶体制备：在a步的无水溶液中加入聚丙烯酸或聚甲基丙烯酸。c、胶体涂敷与干燥：将b步制得的胶体涂覆在基片上并干燥。d、烧结成相：将干燥后的基片放入烧结炉中，将炉温以5-100℃/min的速度升至850℃-1150℃，保温0.25-2小时，随后将炉温缓慢降至室温。该法制作工艺简单，操作控制容易，成本低，不污染环境；制得的氧化铈单层缓冲层的厚度可达到150-200nm。
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公开(公告)号：CN101281806A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810044629.0
申请日：2008-06-04
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 一种高分子辅助沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法，其具体作法是：a.无水溶液制备：按稀土或锆与铈的离子比x∶1－x，0.01≤x≤0.5称量稀土乙酸盐或稀土丙醇盐或稀土乙酰丙酮盐或丙醇锆或锆酸四丁酯与乙酰丙酮铈，溶解于有机溶剂中形成无水溶液；b.胶体制备：在无水溶液中加入聚乙烯醇缩丁醛或聚乙二醇或聚乙烯基吡咯烷酮或聚乙烯醇或聚氧化乙烯形成胶体；c.胶体涂敷与干燥：将胶体涂覆在基片上并干燥；d.烧结成相：再将基片放入烧结炉，以5－100℃/min升至850℃－1150℃，保温0.25－2小时，以1－2℃/min降至室温。该方法制作工艺简单，操作控制容易，成本低，不污染环境；制备得到的氧化铈单层缓冲层的临界厚度达到150－200nm。
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公开(公告)号：CN112834485A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202110167780.9
申请日：2021-02-07
Applicant: 西南交通大学
IPC: G01N21/71
Abstract: 本发明公开一种激光诱导击穿光谱元素定量分析的一种非定标方法，应用于光谱元素分析领域，针对现有技术中存在的需要对待测样品有一定的先验知识，无法准确地对未知元素的待测样品快速、准确的定量分析的技术问题；本发明基于麦克斯韦速率分布律以及多普勒效应；给出了光谱峰等强度与特征光波长、元素含量、仪器参数、原子质量、光速、上下能级、玻尔兹曼常数、普朗克常数等物理量的定量关系；同时，根据归一化等方法实现对待测样品的元素定量分析；本发明的方法可以在很大程度上克服基体效应，并且适用于固体、液体、气体样品以及各种类型的LIBS设备。
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公开(公告)号：CN102864444A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210318924.7
申请日：2012-09-03
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明提供一种提高化学溶液法制备CeO2薄膜临界厚度的方法，依次由以下步骤构成：a、硝酸盐的制备：按稀土与铈的离子比x：1－x，0.01≤x≤0.5配制稀土硝酸盐与硝酸亚铈混合物；b、胶体制备：将配制的稀土硝酸盐与硝酸亚铈溶解在高分子有机溶剂中；c、胶体涂敷与干燥：将b步的胶体涂覆在织构基底上，后干燥；d、分解成相：将干燥样品放入通H2/Ar还原气氛的烧结炉中,经过350oC－550oC分解，后升温至1000oC－1200oC成相，随炉冷却。本发明所述的提高化学溶液法制备CeO2薄膜临界厚度的方法其制作工艺简单、操作控制容易、成本低、不污染环境、制备的稀土掺杂的氧化铈单层缓冲层的临界厚度达到150-200nm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101414497A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810046560.5
申请日：2008-11-14
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 本发明公开了一种连续制备双面织构高温超导二代带材过渡层的方法，其步骤是：将硝酸亚铈或稀土硝酸盐溶解在N，N－二甲基甲酰胺(DMF)中，形成前驱溶液；将聚丙烯酸(PAA)或聚甲基丙烯酸加入前驱溶液中，制得胶体；再将Ni合金基带卷绕通过制得的胶体中，出带后使胶体均匀浸涂在基带表面，再进行干燥；最后放入烧结炉中烧结成相。该方法可以实现高温超导过渡层的连续制备、制备效率高，适用于大规模工业化生产；同时制备出的双面带材的过渡层薄膜一致性、均匀性好、取向度高、表面平整度高；过渡层的临界厚度厚。
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公开(公告)号：CN115420730B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202211258104.3
申请日：2022-10-13
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于激光诱导击穿光谱的纵向深度元素定量分析方法，包括以下步骤S1、使用偏最小二乘法对LIBS的烧蚀深度数据进行训练，获得深度预测模型；S2、对待测样品元素定量深度分布进行分析；具体包括以下子步骤：S21、对待测样品分别利用LIBS技术进行不同脉冲次数的烧蚀，并进行光谱采集；S22、通过光谱以及深度预测模型对待测样品的烧蚀深度值进行预测；S3、通过定标法或非定标法对待测样品中的元素含量进行分析；S4、通过S22预测的深度值与S3计算的元素含量完成对待测样品元素深度分布的定量分析：将S22中预测的烧蚀深度值与S3中计算的目标元素含量分别作为横坐标和纵坐标做图，获得的待测样品中目标元素的含量深度分布。
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公开(公告)号：CN112834485B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202110167780.9
申请日：2021-02-07
Applicant: 西南交通大学
IPC: G01N21/71
Abstract: 本发明公开一种激光诱导击穿光谱元素定量分析的一种非定标方法，应用于光谱元素分析领域，针对现有技术中存在的需要对待测样品有一定的先验知识，无法准确地对未知元素的待测样品快速、准确的定量分析的技术问题；本发明基于麦克斯韦速率分布律以及多普勒效应；给出了光谱峰等强度与特征光波长、元素含量、仪器参数、原子质量、光速、上下能级、玻尔兹曼常数、普朗克常数等物理量的定量关系；同时，根据归一化等方法实现对待测样品的元素定量分析；本发明的方法可以在很大程度上克服基体效应，并且适用于固体、液体、气体样品以及各种类型的LIBS设备。
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公开(公告)号：CN103938148B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201410139569.6
申请日：2014-04-09
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 一种在空气中制备高温超导涂层导体用NiO缓冲层的方法，依次由以下步骤构成：a、电化学抛光：将用乙醇清洗过的Ni基片放入抛光液中，在恒电流下进行抛光；b、表面腐蚀和修饰：将冰乙酸和质量浓度为53%的浓硝酸以1：1的体积比配制成腐蚀液，再将Ni基片用腐蚀液腐蚀30‑60s，再放入氨水进行30‑60s的修饰；c、表面自氧化外延：将b步处理后的Ni基片放入烧结炉中，快速升温到1000℃‑1200℃后保温3‑5分钟，然后随炉冷至室温。该法制备得到的NiO层的NiWO4含量低，织构性能好；厚度足，其阻隔Ni扩散的作用强；致密平整。且其制作工艺简单，操作容易，成本低，不污染环境。
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公开(公告)号：CN102133563A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201110049633.8
申请日：2011-03-02
Applicant: 西南交通大学
IPC: B05C1/04
Abstract: 本发明公开了一种无氟化学溶液沉积法动态连续制备高温超导带材设备，主要包括连续涂覆装置（4）、连续干燥装置（6）、连续热处理炉（9）、放卷装置（1）和收卷装置（10）,其特征在于,所述的放卷装置（1）、收卷装置（10）由伺服电机驱动;连续涂覆装置（4）内的狭缝模出口（17）下方设置一带材（3）导向轮（5）；连续干燥装置（6）后设置一带材（3）导向轮（8）。本发明可实现带材在连续涂覆装置、连续干燥装置和连续热处理炉之间的连续运动，从而达到动态连续制备带材的目的。本发明设备使得生产工艺可在非真空条件下进行且无需配套排氟设施，成本低廉、工艺简单，适合于工业化生产。
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