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公开(公告)号：CN102701728B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201210149549.8
申请日：2012-05-15
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/453
Abstract: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体的Gd1-xPbxBiO3缓冲层及其制备方法，对高温超导涂层导体GdBiO3缓冲层进行Gd的Pb的替代后，将使GdBiO3缓冲层元素环境和晶格参数产生微调，从而调整GdBiO3缓冲层与REBCO超导层的晶格失配情况，得到一系列新的高温超导涂层导体的缓冲层Gd1-xPbxBiO3，其中0.1≤x≤0.2。此外，该缓冲层能在810℃左右空气中外延生长，其结构致密并且表面平整。并在随后的高温超导涂层导体的超导层的制备过程中保持结构的稳定。公开了Gd1-xPbxBiO3缓冲层的制备方法，该方法采用以硝酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在空气中进行制备，成本低廉，适合大规模沉积等优点。
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公开(公告)号：CN102412015A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110341295.5
申请日：2011-11-02
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01B12/06
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 本发明公开了一种高温超导涂层导体的结构，包括有NiW合金基带，NiO和SmBiO3构成的符合缓冲层以及YBCO超导层。本发明的结构SmBiO3缓冲层为西南交通大学自己开发的具有潜在重大应用价值的REBiO3系列缓冲层材料的进一步实用化进步之一，本发明的高温超导涂层导体结构，其NiO缓冲层可采用成本低，工艺简单，易得良好品质的自氧化外延制备的方法制备；在NiO缓冲层上生长SmBiO3缓冲层的制备中可采用以硝酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在空气中进行制备，具有成本低廉，适合大规模沉积等优点。另一方面Ni基合金/NiO/SmBiO3/YBCO为打破国外其他涂层导体结构的工艺制备的保护与封锁起到重要的积极作用，并为我国的第二代高温超导涂层导体的研究与应用化进程起到积极的推动作用。
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公开(公告)号：CN102122549A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN201110020772.8
申请日：2011-01-18
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明提供了一种葡萄糖在制备掺杂二硼化镁超导材料中的用途，涉及高温超导材料制备技术领域。其作法是：按摩尔比1∶2-2.1分别称量镁粉和硼粉；再按镁粉和硼粉的总质量与葡萄糖的质量比1∶0.03-0.1称量葡萄糖，将镁粉、硼粉和葡萄糖的粉末均匀混合成混合粉末，然后在氩气气氛保护下进行烧结，烧结的温度为800℃-900℃、保温时间0.5-2个小时，即得一种以葡萄糖为碳源的掺杂二硼化镁的超导材料。利用该法制备的二硼化镁超导材料，临界电流密度显著提高，尤其是在高磁场下临界电流密很高，有利于其在高磁场下的应用，实用性强。
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公开(公告)号：CN103755382B
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201410016180.2
申请日：2014-01-14
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B41/50
Abstract: 一种制备高温超导涂层导体RESbO3缓冲层及其制备方法，属于高温超导材料制备技术领域。所述高温超导涂层导体缓冲层，是由RE2O3和Sb2O3外延成相热处理生成的RESbO3氧化物固溶体，RE为Y（钇）、Sm（钐）、Dy（镝）或Ho（钬）中的一种。它能在900℃以上氢氩还原气体的环境中外延生成，并且结构致密，表面平整，能在随后的涂层导体超导层的制备过程中保持结构的稳定。所述高温超导涂层导体缓冲层的制备方法采用以乙酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在氢氩还原气氛中进行制备，具备操作简单，成本低廉，适合大规模沉积等优点。主要用于制备高温超导涂层导体的RESbO3缓冲层。
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公开(公告)号：CN104129985A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410322592.9
申请日：2014-07-08
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种表面具有纳米颗粒析出相的高温超导涂层导体Eu0.6Sr0.4BiO3缓冲层及其制备方法。采用以硝酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在空气中进行制备。目标物高温超导涂层导体缓冲层材料其名义组分为Eu0.6Sr0.4BiO3，其表面具有均匀弥撒分布的纳米析出相SrO2,析出相尺寸在100nm左右。本发明通过过饱和掺杂在缓冲层表面直接获得析出相颗粒，纳米析出相SrO2赋予了为其上超导层提供钉扎中心的可能。方法具有成本低廉，适合大规模沉积等优点，为其上超导层提供钉扎中心的性能得到验证。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102157675B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201110009810.X
申请日：2011-01-17
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体BaZrO3缓冲层薄膜的方法，属于高温超导材料制备技术领域。该方法制备的薄膜有极好的化学兼容性，能有效地阻挡Ni和ReBCO中的Cu的相互扩散。本发明包括以下步骤：将乙酸钡和乙酰丙酮锆溶解在丙酸中，形成无水溶液；向无水溶液中加入聚乙烯醇缩丁醛(PVB)，制成成膜性好的胶体；再将胶体涂覆在基片上，干燥后，放入烧结炉中烧结成相，即得钡锆氧(BaZrO3)高温超导涂层导体缓冲层。该方法成本不高，制作工艺简单，操作控制容易，不污染环境。
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公开(公告)号：CN102683572A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110343728.0
申请日：2011-11-02
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01L39/24
Abstract: 本发明公开了一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体NiO/SmBiO3复合缓冲层薄膜的方法，其复合缓冲层制备步骤包含。a、NiW合金(200)基片的表面腐蚀修饰，b、NiO缓冲层的氧化热处理、c、SmBiO3缓冲层胶体的制备，d、SmBiO3缓冲层的涂敷，e、SmBiO3缓冲层的烧结成相。本发明中NiO缓冲层的制备采用自氧化外延制备的方法，该方法的制作成本低，工艺简单，易制得品质良好的NiO(200)缓冲层薄膜，并且厚度容易控制，能有效地发挥涂层导体缓冲层的作用。在NiO缓冲层上生长SmBiO3缓冲层的制备采用以硝酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在空气中进行制备，成本低廉，适合大规模沉积。以SmBiO3缓冲层为主的复合缓冲层的工艺制备将打破国外其他涂层导体复合缓冲层工艺制备的保护与封锁，将为我国的第二代高温超导涂层导体的研究与应用化进程起到积极的推动作用。
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公开(公告)号：CN102677030A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110341356.8
申请日：2011-11-02
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体CeO2缓冲层薄膜的方法，包括以下步骤：将六水合硝酸亚铈(Ce(NO3)3·6H2O)溶解在N-甲基吡咯烷酮(NMP)中，形成无水溶液；向无水溶液中加入聚乙烯基吡咯烷酮(PVP-K30)，制成成膜性好的胶体；再将胶体涂覆在双轴织构NiW合金基片上，随后放入烧结炉中烧结成相，即得二氧化铈(CeO2)高温超导涂层导体缓冲层。该方法的制作成本低，易制得品质良好的二氧化铈(CeO2)薄膜，能有效地发挥涂层导体缓冲层的作用。
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公开(公告)号：CN102176349A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110009391.X
申请日：2011-01-17
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体SrZrO3缓冲层薄膜的方法，涉及高温超导材料制备技术领域，该方法制备的薄膜有极好的化学兼容性，能有效地阻挡Ni和ReBCO中的Cu的相互扩散。本发明制备过程包括以下步骤：将乙酸锶和乙酰丙酮锆溶解在丙酸中，形成无水溶液；向无水溶液中加入聚乙烯醇缩丁醛(PVB)，制成成膜性好的胶体；再将胶体涂覆在基片上，干燥后，放入烧结炉中烧结成相，即得锶锆氧(SrZrO3)高温超导涂层导体缓冲层。
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公开(公告)号：CN102157675A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110009810.X
申请日：2011-01-17
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体BaZrO3缓冲层薄膜的方法，属于高温超导材料制备技术领域。该方法制备的薄膜有极好的化学兼容性，能有效地阻挡Ni和ReBCO中的Cu的相互扩散。本发明包括以下步骤：将乙酸钡和乙酰丙酮锆溶解在丙酸中，形成无水溶液；向无水溶液中加入聚乙烯醇缩丁醛(PVB)，制成成膜性好的胶体；再将胶体涂覆在基片上，干燥后，放入烧结炉中烧结成相，即得钡锆氧(BaZrO3)高温超导涂层导体缓冲层。该方法成本不高，制作工艺简单，操作控制容易，不污染环境。
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