一种快速制备单晶石墨烯的方法

    公开(公告)号:CN114657635B

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN202210280039.8

    申请日:2022-03-22

    Abstract: 本发明属于单晶薄膜技术领域,涉及一种快速制备单晶石墨烯的方法。本发明提供一种单晶石墨烯的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:1)采用含氮气体等离子体处理金属箔;2)将等离子体处理后的金属箔置于反应炉中并通入惰性气体,然后升温至退火温度后进行退火处理;3)向反应炉中导入碳源和还原性气体,在生长温度下开始石墨烯单晶的生长,生长结束后即得所述单晶石墨烯。本发明利用氨气和/或氮气等含氮气体结合等离子体法处理金属箔,再用该处理后的金属箔用于生长单晶石墨烯,发现等离子体诱导活化的金属箔能够有效将单晶石墨烯成核位点数量最低降至0.4mm‑2,与此同时单晶石墨烯生长速率达到38.3μm/min生长速率。

    一种快速制备单晶石墨烯的方法

    公开(公告)号:CN114657635A

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN202210280039.8

    申请日:2022-03-22

    Abstract: 本发明属于单晶薄膜技术领域,涉及一种快速制备单晶石墨烯的方法。本发明提供一种单晶石墨烯的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:1)采用含氮气体等离子体处理金属箔;2)将等离子体处理后的金属箔置于反应炉中并通入惰性气体,然后升温至退火温度后进行退火处理;3)向反应炉中导入碳源和还原性气体,在生长温度下开始石墨烯单晶的生长,生长结束后即得所述单晶石墨烯。本发明利用氨气和/或氮气等含氮气体结合等离子体法处理金属箔,再用该处理后的金属箔用于生长单晶石墨烯,发现等离子体诱导活化的金属箔能够有效将单晶石墨烯成核位点数量最低降至0.4mm‑2,与此同时单晶石墨烯生长速率达到38.3μm/min生长速率。

    一种高纯螺旋碳纳米管及其制备方法

    公开(公告)号:CN106829926B

    公开(公告)日:2019-03-05

    申请号:CN201710119447.4

    申请日:2017-03-02

    Abstract: 本发明涉及一种高纯螺旋碳纳米管及其制备方法。该方法包括以下步骤:(1)制备α晶型纳米氧化铁催化剂前躯体:采用预沉淀结合溶胶‑凝胶法制备得到α晶型纳米氧化铁催化剂前躯体;(2)制备高纯螺旋碳纳米管:将所述α晶型纳米氧化铁催化剂前躯体置于管式炉中,采用原位还原法使之还原为纳米铁催化剂,同时引入碳源和水汽作为催化调节助剂,保温6‑10小时,得到高纯螺旋碳纳米管。该方法简单安全,环境友好,所制备得到的螺旋碳纳米管纯度高达99%以上,产率高达7709‑8077(g‑HCNTs/g催化剂),产物直径、螺径、螺距等参数均匀,形貌完整。

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