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公开(公告)号：CN116197395B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202310000936.3
申请日：2023-01-03
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及石墨烯层数和金属纳米颗粒尺寸等参数可控的石墨烯包覆金属纳米颗粒的制备方法。本发明提供一种石墨烯包覆金属纳米颗粒的制备方法：以酒石酸金属盐为原料，将其在氮气和/或惰性气体的保护下于700℃～1200℃下高温分解20min～120min，由于酒石酸金属盐在高温下会原位热解出金属纳米颗粒和含碳化合物，而这些含碳化合物在高温下逐渐被催化进而直接在金属纳米颗粒的表面原位生长出石墨烯层并同步形成包覆层，从而实现了一步法制得石墨烯包覆金属纳米颗粒。可见，本发明在酒石酸金属盐为唯一原料的情况下，通过原位高温分解就能够实现一步法制得石墨烯包覆金属纳米颗粒。
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公开(公告)号：CN114657635B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202210280039.8
申请日：2022-03-22
Applicant: 西南交通大学
IPC: C30B25/00 , C30B29/02 , C23G5/00 , C22F1/02 , C22F1/08 , C22F1/10 , C22F1/18 , C21D9/46 , C23F17/00
Abstract: 本发明属于单晶薄膜技术领域，涉及一种快速制备单晶石墨烯的方法。本发明提供一种单晶石墨烯的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：1)采用含氮气体等离子体处理金属箔；2)将等离子体处理后的金属箔置于反应炉中并通入惰性气体，然后升温至退火温度后进行退火处理；3)向反应炉中导入碳源和还原性气体，在生长温度下开始石墨烯单晶的生长，生长结束后即得所述单晶石墨烯。本发明利用氨气和/或氮气等含氮气体结合等离子体法处理金属箔，再用该处理后的金属箔用于生长单晶石墨烯，发现等离子体诱导活化的金属箔能够有效将单晶石墨烯成核位点数量最低降至0.4mm‑2，与此同时单晶石墨烯生长速率达到38.3μm/min生长速率。
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公开(公告)号：CN116197395A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310000936.3
申请日：2023-01-03
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及石墨烯层数和金属纳米颗粒尺寸等参数可控的石墨烯包覆金属纳米颗粒的制备方法。本发明提供一种石墨烯包覆金属纳米颗粒的制备方法：以酒石酸金属盐为原料，将其在氮气和/或惰性气体的保护下于700℃～1200℃下高温分解20min～120min，由于酒石酸金属盐在高温下会原位热解出金属纳米颗粒和含碳化合物，而这些含碳化合物在高温下逐渐被催化进而直接在金属纳米颗粒的表面原位生长出石墨烯层并同步形成包覆层，从而实现了一步法制得石墨烯包覆金属纳米颗粒。可见，本发明在酒石酸金属盐为唯一原料的情况下，通过原位高温分解就能够实现一步法制得石墨烯包覆金属纳米颗粒。
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公开(公告)号：CN114657635A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210280039.8
申请日：2022-03-22
Applicant: 西南交通大学
IPC: C30B25/00 , C30B29/02 , C23G5/00 , C22F1/02 , C22F1/08 , C22F1/10 , C22F1/18 , C21D9/46 , C23F17/00
Abstract: 本发明属于单晶薄膜技术领域，涉及一种快速制备单晶石墨烯的方法。本发明提供一种单晶石墨烯的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：1)采用含氮气体等离子体处理金属箔；2)将等离子体处理后的金属箔置于反应炉中并通入惰性气体，然后升温至退火温度后进行退火处理；3)向反应炉中导入碳源和还原性气体，在生长温度下开始石墨烯单晶的生长，生长结束后即得所述单晶石墨烯。本发明利用氨气和/或氮气等含氮气体结合等离子体法处理金属箔，再用该处理后的金属箔用于生长单晶石墨烯，发现等离子体诱导活化的金属箔能够有效将单晶石墨烯成核位点数量最低降至0.4mm‑2，与此同时单晶石墨烯生长速率达到38.3μm/min生长速率。
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