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公开(公告)号:CN102834545B
公开(公告)日:2015-04-08
申请号:CN201180011350.2
申请日:2011-02-23
Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO , 视觉动力控股有限公司
Inventor: 阿德里亚努斯·约翰尼斯·皮德勒斯·玛利亚·弗米尔 , 雨果·安东·玛丽·德翰
IPC: C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/54 , C23C16/455 , H01J37/32
Abstract: 一种在基板表面沉积层的方法,该方法包括:将来自前体供应部的前体气体喷入沉积腔以接触基板表面,将部分喷入的前体气体从沉积腔中排出,并沿着基板表面的平面使沉积腔和基板彼此相对定位;该方法进一步包括:提供第一电极和第二电极,使第一电极与基板彼此相对定位,并通过在第一电极与第二电极之间产生高压差在基板附近产生等离子体放电以接触基板;该方法包括:选择性地产生等离子体放电,以利用等离子体在基板表面形成图案,从而使与前体气体接触的基板的一部分和与等离子体接触的基板的一部分选择性地重叠。
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公开(公告)号:CN102834545A
公开(公告)日:2012-12-19
申请号:CN201180011350.2
申请日:2011-02-23
Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO , 视觉动力控股有限公司
Inventor: 阿德里亚努斯·约翰尼斯·皮德勒斯·玛利亚·弗米尔 , 雨果·安东·玛丽·德翰
IPC: C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/54 , C23C16/455 , H01J37/32
Abstract: 一种在基板表面沉积层的方法,该方法包括:将来自前体供应部的前体气体喷入沉积腔以接触基板表面,将部分喷入的前体气体从沉积腔中排出,并沿着基板表面的平面使沉积腔和基板彼此相对定位;该方法进一步包括:提供第一电极和第二电极,使第一电极与基板彼此相对定位,并通过在第一电极与第二电极之间产生高压差在基板附近产生等离子体放电以接触基板;该方法包括:选择性地产生等离子体放电,以利用等离子体在基板表面形成图案,从而使与前体气体接触的基板的一部分和与等离子体接触的基板的一部分选择性地重叠。
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公开(公告)号:CN102791440B
公开(公告)日:2015-07-29
申请号:CN201180012753.9
申请日:2011-01-06
Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO
Inventor: 欧文·约翰·凡·斯维特 , 利昂·凡·道仁 , 阿德里亚努斯·约翰尼斯·皮德勒斯·玛利亚·弗米尔 , 基斯·墨德麦尔
IPC: B25J9/16 , G05B19/401 , H01L21/68 , H05K13/04
CPC classification number: B25J9/1697 , G05B19/401 , G05B2219/40609 , G05B2219/45029 , H01L21/681 , Y10T29/53087 , Y10T29/53091 , Y10T29/53174 , Y10T29/53178
Abstract: 根据本发明的一个方面,提供了一种被布置在为芯片制造过程中拾起和放置芯片裸片2的芯片裸片2操纵器装置,其中成像系统11包括:弧形凸球面镜13,被布置在第二离轴位置B并相对于中心位置5定心;折叠式反射镜4,被布置在凸球面镜13和中心位置5之间的光路中,用于将光路折叠至第三离轴位置C;以及弧形凹球面镜15,被布置在第三离轴位置C并具有将中心位置5和元件2中至少一个成像在图像检测系统9上的曲率。成像系统11对中心位置5的成角度的图像检测进行校正。
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公开(公告)号:CN102791440A
公开(公告)日:2012-11-21
申请号:CN201180012753.9
申请日:2011-01-06
Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO
Inventor: 欧文·约翰·凡·斯维特 , 利昂·凡·道仁 , 阿德里亚努斯·约翰尼斯·皮德勒斯·玛利亚·弗米尔 , 基斯·墨德麦尔
IPC: B25J9/16 , G05B19/401 , H01L21/68 , H05K13/04
CPC classification number: B25J9/1697 , G05B19/401 , G05B2219/40609 , G05B2219/45029 , H01L21/681 , Y10T29/53087 , Y10T29/53091 , Y10T29/53174 , Y10T29/53178
Abstract: 根据本发明的一个方面,提供了一种被布置在为芯片制造过程中拾起和放置芯片裸片2的芯片裸片2操纵器装置,其中成像系统11包括:弧形凸球面镜13,被布置在第二离轴位置B并相对于中心位置5定心;折叠式反射镜4,被布置在凸球面镜13和中心位置5之间的光路中,用于将光路折叠至第三离轴位置C;以及弧形凹球面镜15,被布置在第三离轴位置C并具有将中心位置5和元件2中至少一个成像在图像检测系统9上的曲率。成像系统11对中心位置5的成角度的图像检测进行校正。
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公开(公告)号:CN102803553B
公开(公告)日:2016-01-20
申请号:CN201180014351.2
申请日:2011-02-17
Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO
Inventor: 阿里尔·德格拉夫 , 欧文·约翰·凡·斯维特 , 保卢斯·威尔布罗杜萨·乔治·普迪 , 阿德里亚努斯·约翰尼斯·皮德勒斯·玛利亚·弗米尔
IPC: C23C16/04 , C23C16/54 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45551 , C23C16/04 , C23C16/545
Abstract: 一种用于制造具有沉积材料的图案化层的基板的方法,所述图案化层从加工头沉积,所述方法包括:从所述加工头施加轴承气体以保持所述加工头通过气体轴承悬浮在所述基板上方;使所述基板和悬浮的所述加工头相对于彼此移动;涂敷打底材料,用于沉积材料至所述基板的选择性沉积,从所述加工头的面向所述基板的表面的第一区域涂敷所述打底材料,且在涂敷所述打底材料后或涂敷所述打底材料的过程中在所述基板上使所述打底材料立体地形成图案;从所述加工头的面向所述基板的表面的第二区域涂敷所述沉积材料至所述基板,所述第二区域位于所述第一区域在所述基板相对于所述加工头的移动方向上的下游。
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公开(公告)号:CN102859647A
公开(公告)日:2013-01-02
申请号:CN201180021337.5
申请日:2011-02-25
Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO
Inventor: 弗雷迪·罗泽博姆 , 阿德里安·马里努斯·兰克霍斯特 , 保卢斯·威力布罗德斯·乔治·波特 , N·B·科斯特 , 何拉尔德斯·约翰·约瑟夫·维纳德斯 , 阿德里亚努斯·约翰尼斯·皮德勒斯·玛利亚·弗米尔
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , C23C16/455 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/3065 , C23C16/0245 , C23C16/45525 , H01J37/32366 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32623 , H01J37/32706 , H01J2237/3341 , H01L21/30655 , H01L21/67028
Abstract: 本发明涉及一种用于对衬底(5)进行反应性离子蚀刻的装置(1),包含等离子体蚀刻区域(2)、钝化区域(3)和气体排出结构(7),等离子体蚀刻区域(2)包括蚀刻气体供应设备(40)并且设置有用于激发等离子体(4)的等离子体产生结构(22),并且包含被布置成将蚀刻等离子体朝向衬底部分加速以使离子撞击在衬底(5)的表面上的电极结构,钝化区域(3)包括提供有钝化气体供应设备(41)的腔(8);供应设备(41)被布置成用于从供应向腔(8)提供钝化气流;腔(8)在使用中由注入器头部(1)和衬底的表面定界;气体排出结构(7)包含布置在蚀刻区域和钝化区域之间的气体排放部(6);气体排出结构(7)因此形成蚀刻区域(2)和钝化区域(3)的空间分界。
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公开(公告)号:CN102803553A
公开(公告)日:2012-11-28
申请号:CN201180014351.2
申请日:2011-02-17
Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO
Inventor: 阿里尔·德格拉夫 , 欧文·约翰·凡·斯维特 , 保卢斯·威尔布罗杜萨·乔治·普迪 , 阿德里亚努斯·约翰尼斯·皮德勒斯·玛利亚·弗米尔
IPC: C23C16/04 , C23C16/54 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45551 , C23C16/04 , C23C16/545
Abstract: 一种用于制造具有沉积材料的图案化层的基板的方法,所述图案化层从加工头沉积,所述方法包括:从所述加工头施加轴承气体以保持所述加工头通过气体轴承悬浮在所述基板上方;使所述基板和悬浮的所述加工头相对于彼此移动;涂敷打底材料,用于沉积材料至所述基板的选择性沉积,从所述加工头的面向所述基板的表面的第一区域涂敷所述打底材料,且在涂敷所述打底材料后或涂敷所述打底材料的过程中在所述基板上使所述打底材料立体地形成图案;从所述加工头的面向所述基板的表面的第二区域涂敷所述沉积材料至所述基板,所述第二区域位于所述第一区域在所述基板相对于所述加工头的移动方向上的下游。
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