公开(公告)号：CN103261478A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201180059727.1

申请日：2011-10-12

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO

Inventor： 雷蒙德·雅各布斯·W·克纳彭 ,  保卢斯·威力布罗德斯·乔治·波特 ,  J·A·斯么尔廷克 ,  R·奥利斯拉格斯 ,  O·S·卡拉克季奥诺夫

IPC: C23C16/46 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/46

Abstract: 用于在基底的表面上进行原子层沉积的装置，所述装置包括：沉积构件；用于支撑所述基底的基底台；用于供应第一反应物的第一反应物喷嘴；用于供应第二反应物的第二反应物喷嘴；气体喷嘴，所述气体喷嘴布置用于通过由气体喷嘴喷射的气体产生气体阻隔层，并且可选地布置用于产生气体支承层；用于加热由所述气体喷嘴喷射的气体的加热器；以及用于加热所述沉积构件和所述基底台，以及用于加热所述基底的辅助加热器。所述沉积构件具有气体入口，所述气体入口用于由所述气体喷嘴喷射的气体。所述加热器被提供在所述沉积构件的外部。在从所述气体入口输送的气体进入所述气体入口之前，由所述加热器加热所述气体。

公开(公告)号：CN114729445A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202080078814.0

申请日：2020-11-12

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO

Inventor： 阿尔费雷多·马梅利 ,  艾哈迈徳·法兹 ,  弗雷迪·罗泽博姆 ,  保卢斯·威力布罗德斯·乔治·波特

IPC: C23C16/04

Abstract: 本发明涉及一种原子层沉积装置，用于将目标材料层区域选择性地沉积在衬底表面的沉积区域上，该衬底表面还包括非沉积区域。在使用中，衬底沿着多个沉积空间和隔离剂空间传送，所述多个沉积空间和隔离剂空间包括至少两个气体隔离剂空间，所述气体隔离剂空间至少提供有隔离剂气体入口和隔离剂排放部，用于在使用中使衬底暴露于隔离剂气流。其中所述气体隔离剂空间中的至少一个形成组合的隔离剂‑抑制剂气流，所述组合的隔离剂‑抑制剂气流包括隔离剂气体和抑制剂成分。所述抑制剂成分选择性地粘附到所述非沉积区域以形成抑制层，减少前体成分的吸附。在优选的实施方式中，该装置包括回蚀刻空间，以增加沉积工艺的选择性。

公开(公告)号：CN114729445B

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202080078814.0

申请日：2020-11-12

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO

Inventor： 阿尔费雷多·马梅利 ,  艾哈迈徳·法兹 ,  弗雷迪·罗泽博姆 ,  保卢斯·威力布罗德斯·乔治·波特

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/54 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明涉及一种原子层沉积装置，用于将目标材料层区域选择性地沉积在衬底表面的沉积区域上，该衬底表面还包括非沉积区域。在使用中，衬底沿着多个沉积空间和隔离剂空间传送，所述多个沉积空间和隔离剂空间包括至少两个气体隔离剂空间，所述气体隔离剂空间至少提供有隔离剂气体入口和隔离剂排放部，用于在使用中使衬底暴露于隔离剂气流。其中所述气体隔离剂空间中的至少一个形成组合的隔离剂‑抑制剂气流，所述组合的隔离剂‑抑制剂气流包括隔离剂气体和抑制剂成分。所述抑制剂成分选择性地粘附到所述非沉积区域以形成抑制层，减少前体成分的吸附。在优选的实施方式中，该装置包括回蚀刻空间，以增加沉积工艺的选择性。

公开(公告)号：CN103261478B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201180059727.1

申请日：2011-10-12

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO

Inventor： 雷蒙德·雅各布斯·W·克纳彭 ,  保卢斯·威力布罗德斯·乔治·波特 ,  J·A·斯么尔廷克 ,  R·奥利斯拉格斯 ,  O·S·卡拉克季奥诺夫

IPC: C23C16/46 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/46

Abstract: 用于在基底的表面上进行原子层沉积的装置，所述装置包括：沉积构件；用于支撑所述基底的基底台；用于供应第一反应物的第一反应物喷嘴；用于供应第二反应物的第二反应物喷嘴；气体喷嘴，所述气体喷嘴布置用于通过由气体喷嘴喷射的气体产生气体阻隔层，并且可选地布置用于产生气体支承层；用于加热由所述气体喷嘴喷射的气体的加热器；以及用于加热所述沉积构件和所述基底台，以及用于加热所述基底的辅助加热器。所述沉积构件具有气体入口，所述气体入口用于由所述气体喷嘴喷射的气体。所述加热器被提供在所述沉积构件的外部。在从所述气体入口输送的气体进入所述气体入口之前，由所述加热器加热所述气体。

公开(公告)号：CN102859647A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180021337.5

申请日：2011-02-25

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO

Inventor： 弗雷迪·罗泽博姆 ,  阿德里安·马里努斯·兰克霍斯特 ,  保卢斯·威力布罗德斯·乔治·波特 ,  N·B·科斯特 ,  何拉尔德斯·约翰·约瑟夫·维纳德斯 ,  阿德里亚努斯·约翰尼斯·皮德勒斯·玛利亚·弗米尔

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/3065 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/45525 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32706 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/67028

Abstract: 本发明涉及一种用于对衬底(5)进行反应性离子蚀刻的装置(1)，包含等离子体蚀刻区域(2)、钝化区域(3)和气体排出结构(7)，等离子体蚀刻区域(2)包括蚀刻气体供应设备(40)并且设置有用于激发等离子体(4)的等离子体产生结构(22)，并且包含被布置成将蚀刻等离子体朝向衬底部分加速以使离子撞击在衬底(5)的表面上的电极结构，钝化区域(3)包括提供有钝化气体供应设备(41)的腔(8)；供应设备(41)被布置成用于从供应向腔(8)提供钝化气流；腔(8)在使用中由注入器头部(1)和衬底的表面定界；气体排出结构(7)包含布置在蚀刻区域和钝化区域之间的气体排放部(6)；气体排出结构(7)因此形成蚀刻区域(2)和钝化区域(3)的空间分界。