公开(公告)号：CN109690758A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201780053265.X

申请日：2017-07-25

申请人： 荷兰应用自然科学研究组织TNO

发明人： 加里·阿鲁季诺夫 ,  埃德斯格·康斯坦特·彼得·斯米茨 ,  耶伦·万登布兰德

IPC分类号： H01L23/00 ,  B23K1/00 ,  B23K1/005 ,  H05K3/34

CPC分类号： H05K3/3494 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/005 ,  H01L24/74 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/81 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/1545

摘要： 一种方法和系统，用于通过设置在芯片与基底之间的热接合材料将芯片热接合至基底。将至少基底从初始温度预热至低于基底的损坏温度的升高的温度。向芯片施加的光脉冲将芯片温度瞬间升高至低于芯片的峰值损坏温度的脉冲峰值温度。芯片的瞬间升高的脉冲峰值温度引起从芯片至接合材料的传导热的流，引起接合材料形成接合。

公开(公告)号：CN104205402A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380015831.X

申请日：2013-02-15

申请人： 荷兰应用自然科学研究组织TNO

发明人： 耶伦·万登布兰德 ,  邹安娜·莎拉·威尔逊 ,  安东尼厄斯·马里亚·贝尔纳杜什·万摩尔 ,  多萝特·克丽丝婷·赫尔墨斯 ,  爱德华·威廉·艾伯特·扬

IPC分类号： H01L51/52

CPC分类号： H01L51/5256 ,  H01L33/62 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5212 ,  H01L51/5228 ,  H01L51/5234 ,  H01L51/5271 ,  H01L51/56

摘要： 光电装置(10)包括具有阳极层(22)和阴极层(24)以及布置在所述阳极层和阴极层之间的光电层(26)的光电层结构(20)，光电层结构(20)具有透光侧(28)，所述阳极层和所述阴极层中的阴极层最靠近所述透光侧。在所述光电层结构的与透光侧相反的一侧布置有双导电层结构(40)，该双导电层结构具有通过第一电绝缘层(46)相互绝缘的第一导电层(42)和第二导电层(44)，所述第一导电层和所述第二导电层中的第一导电层最靠近光电层结构。在发光层结构(20)和双导电层结构(40)之间布置有第二电绝缘层(50)，其中第一导电层(42)由穿过所述第二绝缘层的至少第一横向导电体(62)与所述阳极层(22)电连接，并且所述第二导电层(44)由穿过所述第一电绝缘层(46)、所述第一导电层(42)、所述第二电绝缘层(50)、所述阳极层(22)和所述发光层(26)的至少第二横向导电体(64)与所述阴极层(24)电连接。

公开(公告)号：CN107690697B

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN201680032255.3

申请日：2016-04-26

申请人： 荷兰应用自然科学研究组织TNO

发明人： 加里·阿鲁季诺夫 ,  埃德斯格·康斯坦特·彼得·斯米茨 ,  耶伦·万登布兰德

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H05K3/34

摘要： 提供基板(3)和具有不同的加热特性(由不同的尺寸(表面积和/或厚度)、热容量(C1，C2)、吸收率、电导率、焊料接合的数目和/或尺寸引起的)的两个或更多个不同的芯片(1a，1b)。在芯片(1a，1b)与基板(3)之间设置有焊料(2)。闪光灯(5)产生用于加热芯片(1a，1b)的光脉冲(6)，其中焊料(2)通过与被加热的芯片(1a，1b)接触而至少部分地熔化。在闪光灯(5)与芯片(1a，1b)之间设置有掩模装置(7)，其在穿过掩模装置(7)的光脉冲(6)的不同区域(6a，6b)中产生不同的光强度，从而利用不同的光强度(Ia，Ib)加热芯片(1a，1b)。这可以补偿不同的加热特性，以减少由于光脉冲(6)的加热而引起的芯片之间的温度散布。在被定位在基板(3)上之前，芯片(1a，1b)可以由设置在闪光灯(5)与基板(3)之间的芯片载体可释放地携载，其中，通过掩模装置(7)透射的光脉冲(6)的光(6a，6b)被投射到由芯片载体保持的芯片(1a，1b)上以加热芯片(1a，1b)，使其从芯片载体释放并将其转移到基板(3)，其中，被加热的芯片(1a，1b)引起芯片(1a，1b)与基板(3)之间的焊料(2)的熔化以将芯片(1a，1b)附接至基板(3)。

公开(公告)号：CN109690758B

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN201780053265.X

申请日：2017-07-25

申请人： 荷兰应用自然科学研究组织TNO

发明人： 加里·阿鲁季诺夫 ,  埃德斯格·康斯坦特·彼得·斯米茨 ,  耶伦·万登布兰德

IPC分类号： H01L23/00 ,  B23K1/00 ,  B23K1/005 ,  H05K3/34

摘要： 一种方法和系统，用于通过设置在芯片与基底之间的热接合材料将芯片热接合至基底。将至少基底从初始温度预热至低于基底的损坏温度的升高的温度。向芯片施加的光脉冲将芯片温度瞬间升高至低于芯片的峰值损坏温度的脉冲峰值温度。芯片的瞬间升高的脉冲峰值温度引起从芯片至接合材料的传导热的流，引起接合材料形成接合。

公开(公告)号：CN107690697A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201680032255.3

申请日：2016-04-26

申请人： 荷兰应用自然科学研究组织TNO

发明人： 加里·阿鲁季诺夫 ,  埃德斯格·康斯坦特·彼得·斯米茨 ,  耶伦·万登布兰德

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H05K3/34

CPC分类号： H01L24/75 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75253 ,  H01L2224/7526 ,  H01L2224/75502 ,  H01L2224/75611 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75804 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/759 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81224 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/97 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3494 ,  H05K2201/0145 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 提供基板(3)和具有不同的加热特性(由不同的尺寸(表面积和/或厚度)、热容量(C1，C2)、吸收率、电导率、焊料接合的数目和/或尺寸引起的)的两个或更多个不同的芯片(1a，1b)。在芯片(1a，1b)与基板(3)之间设置有焊料(2)。闪光灯(5)产生用于加热芯片(1a，1b)的光脉冲(6)，其中焊料(2)通过与被加热的芯片(1a，1b)接触而至少部分地熔化。在闪光灯(5)与芯片(1a，1b)之间设置有掩模装置(7)，其在穿过掩模装置(7)的光脉冲(6)的不同区域(6a，6b)中产生不同的光强度，从而利用不同的光强度(Ia，Ib)加热芯片(1a，1b)。这可以补偿不同的加热特性，以减少由于光脉冲(6)的加热而引起的芯片之间的温度散布。在被定位在基板(3)上之前，芯片(1a，1b)可以由设置在闪光灯(5)与基板(3)之间的芯片载体可释放地携载，其中，通过掩模装置(7)透射的光脉冲(6)的光(6a，6b)被投射到由芯片载体保持的芯片(1a，1b)上以加热芯片(1a，1b)，使其从芯片载体释放并将其转移到基板(3)，其中，被加热的芯片(1a，1b)引起芯片(1a，1b)与基板(3)之间的焊料(2)的熔化以将芯片(1a，1b)附接至基板(3)。