公开(公告)号：CN106067796B

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201610258591.1

申请日：2016-04-22

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： A·毛德 ,  K·克鲁普卡 ,  J·巴伦舍恩

IPC分类号： H03K17/18

CPC分类号： G01R31/3277 ,  G01R31/2621

摘要： 根据开关设备的实施例，开关设备包括第一开关、第二开关、以及评估电路。评估电路被配置为评估第一开关和第二开关之间的节点的时间行为，以便检测第一开关或者第二开关中的至少一个开关的可能故障状况。还提供了用于具有第一开关和第二开关的开关设备的对应故障检测方法。

公开(公告)号：CN105306029A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510325102.5

申请日：2015-06-12

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： F·希尔勒 ,  A·毛德 ,  J·巴伦舍恩

IPC分类号： H03K17/687

CPC分类号： H03K17/165

摘要： 根据各个实例，本文描述了电路、检测电路、用于操作电路方法和用于操作电源的方法。作为一个实例，一种电路包括：晶体管和检测电路。电压跨所述晶体管的两个受控端子两端耦合，并且所述晶体管被配置为非导通状态。所述检测电路被耦合到所述晶体管的控制端子。所述检测电路被配置为检测下列至少一个：由于跨所述两个受控端子两端耦合的电压引起的信号；由于跨所述两个受控端子两端耦合的所述电压的变化引起的信号；以及由于跨所述两个受控端子两端耦合的所述电压的变化在所述控制端子处的信号引起的变化。

公开(公告)号：CN104347620A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410392089.0

申请日：2014-08-11

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： J·韦耶斯 ,  F·希尔勒 ,  A·毛德

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/866 ,  Y10T307/76

摘要： 公开了一种半导体器件、电子电路和方法。半导体器件包括半导体主体；至少一个晶体管单元，包括源极区、漂移区、将源极区与漂移区分开的主体区、以及在半导体主体中的漏极区、以及由栅极电介质与主体区介电绝缘的栅极电极；源极节点，连接至源极区和主体区；接触节点，与主体区和漏极区间隔开，以及电连接至漏极区；以及整流器元件，在接触节点和源极节点之间形成。

公开(公告)号：CN104347619B

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201410389868.5

申请日：2014-08-08

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： J·韦耶斯 ,  F·希尔勒 ,  A·毛德

IPC分类号： H01L27/02 ,  H03K17/567

CPC分类号： H01L27/0255 ,  H03K17/102 ,  H03K17/567 ,  H03K17/6871 ,  H03K17/74

摘要： 提供一种高电压半导体开关以及用于切换高电压的方法。一种高电压半导体开关，包括第一场效应晶体管，其具有源极、漏极和栅极，并且适于以额定高电压水平切换电压，该第一场效应晶体管是常关断型增强模式晶体管；第二场效应晶体管，其有源极、漏极和栅极，其与该第一场效应晶体管串联连接，该第二场效应晶体管是常导通型耗尽模式晶体管；以及控制单元，其连接至该第一场效应晶体管的漏极和该第二场效应晶体管的栅极，并且可操作用于在跨第一场效应晶体管的漏极‑源极电压超过额定高电压水平的情况下阻断该第二场效应晶体管。

公开(公告)号：CN104183625B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201410299098.5

申请日：2014-05-09

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： A·毛德 ,  K·普吕格尔 ,  H·韦伯

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/223

摘要： 提供了涉及制造补偿器件的方法、装置和设备。一些情况下，用于校准目的沉积n/p共掺杂层以将净掺杂浓度最小化。在其它情况下，然后交替地沉积n和p掺杂层。在其它实施例中，将n/p共掺杂层沉积在其中n和p掺杂剂具有不同扩散性能的沟槽中。为了获得不同的掺杂轮廓，可执行热处理。

公开(公告)号：CN105720053A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510947025.7

申请日：2015-12-16

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： A·毛德 ,  K·霍塞尼 ,  F·卡尔曼

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/8258

CPC分类号： H01L27/0727 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0688 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L27/06

摘要： 本公开的实施方式涉及一种半导体器件和方法。在实施例中，一种半导体器件包括：包括横向二极管的碳化硅层，和布置在碳化硅层上的基于III族氮化物的半导体器件。

公开(公告)号：CN104752492B

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201410831980.X

申请日：2014-12-26

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： P·伊尔西格勒 ,  J·鲍姆加特尔 ,  M·聪德尔 ,  A·毛德 ,  F·希尔勒 ,  R·威斯

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/225 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/823418 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66696 ,  H01L29/66704 ,  H01L29/7825

摘要： 本公开涉及用于制造半导体器件的方法和半导体器件，该半导体器件通过形成以下项而形成：在具有主表面的半导体衬底中的晶体管；源极和漏极区域；和在源极区域和漏极区域之间的沟道区域和漂移区。源极区域和漏极区域被沿着平行于主表面的第一方向布置。栅极沟槽和栅极电极形成于栅极沟槽中。在主表面中形成的副沟槽在与第一方向相交的第二方向上延伸。使用经由副沟槽的侧壁引入掺杂物的掺杂方法形成源极区域。

公开(公告)号：CN104347722B

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201410389778.6

申请日：2014-08-08

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： H-J·舒尔策 ,  F·希尔勒 ,  A·毛德

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/1083 ,  H01L21/02365 ,  H01L21/22 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3247 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/74 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611

摘要： 一种功率半导体器件，包括：具有第一侧、与第一侧相对的第二侧以及外轮缘的半导体主体。半导体主体包括有源区、有源区和外轮缘之间布置的边缘端接区、在有源区中并且连接到布置在第一侧上的第一电极的第一掺杂区、在有源区和边缘端接区中并且连接到布置在第二侧上的第二电极的第二掺杂区、在第一掺杂区和第二掺杂区之间的漂移区，所述漂移区包括邻近第一侧的第一部分和布置在第一部分和第二掺杂区之间的第二部分、以及布置在边缘端接区中处于第二掺杂区和漂移区的第一部分之间的绝缘区。

公开(公告)号：CN104299997B

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201410344695.5

申请日：2014-07-18

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： B·菲舍尔 ,  S·加梅里特 ,  F·赫勒 ,  A·毛德 ,  M·施米特 ,  J·魏尔斯 ,  A·维尔梅罗特 ,  F·J·尼德诺斯赛德 ,  H-J·舒尔策

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7823

摘要： 本发明涉及电荷补偿半导体器件，具体而言描述了一种场效应半导体器件，包括：具有第一表面和边缘、有源区、和布置于所述有源区与所述边缘之间的外围区的半导体主体，所述第一表面上的源极金属化部，以及漏极金属化部。在所述有源区中，第一导电类型的漂移部分与第二导电类型的补偿区交替。漂移部分与漏极金属化部接触，并且具有第一最大掺杂浓度。所述补偿区与所述源极金属化部欧姆接触。所述外围区包括第一边缘终止区和第二半导体区，所述第二半导体区与所述漂移部分欧姆接触，具有比所述第一最大掺杂浓度小十倍的第一导电类型的第二最大掺杂浓度。所述第二导电类型的第一边缘终止区邻接所述第二半导体区，并且与所述源极金属化部欧姆接触。

公开(公告)号：CN106067796A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201610258591.1

申请日：2016-04-22

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： A·毛德 ,  K·克鲁普卡 ,  J·巴伦舍恩

IPC分类号： H03K17/18

CPC分类号： G01R31/3277 ,  G01R31/2621 ,  H03K17/18

摘要： 根据开关设备的实施例，开关设备包括第一开关、第二开关、以及评估电路。评估电路被配置为评估第一开关和第二开关之间的节点的时间行为，以便检测第一开关或者第二开关中的至少一个开关的可能故障状况。还提供了用于具有第一开关和第二开关的开关设备的对应故障检测方法。