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公开(公告)号：CN104105994B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201180076303.6
申请日：2011-12-22
Applicant: 英特尔公司
IPC: G02B26/10
CPC classification number: G02B26/10 , B23K2101/42 , G02F1/33 , G02F2001/291 , G02F2201/16
Abstract: 第一声光偏转器接收激光束。第一声光偏转器使所接收的激光束沿着第一轴衍射。第二声光偏转器接收经衍射的激光束。第二声光偏转器使所接收的经衍射的激光束沿着第二轴衍射。
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公开(公告)号：CN104377120A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410403861.4
申请日：2014-08-15
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76879 , H01L21/76802 , H01L23/5381 , H01L23/5384 , H01L23/5385 , H01L25/0655 , H01L2224/16225 , H01L2924/15192 , H01L2924/1531 , H01L2924/153
Abstract: 本申请公开了利用投影图案化的具有嵌入式管芯的基板的制造及相关联的封装配置。本公开的实施例针对用于在制造具有嵌入式管芯的电子基板中使用投影图案化的技术和配置。在一个实施例中，方法可包括提供嵌入在基板的介电材料中的管芯，以及将激光束投影通过具有预配置的图案的掩模以根据预配置的图案在介电材料的表面上产生经投影的掩模图案。经投影的掩模图案可包括设置在管芯上的通孔。可描述和/或要求保护其它的实施例。
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公开(公告)号：CN116266983A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202210397535.1
申请日：2022-04-15
Applicant: 英特尔公司
Inventor： 杜连昌 , J·L·斯莫利 , S·奈卡恩蒂 , E·W·巴德里乌斯 , Y·曾 , 张新军 , M·印 , 张志超 , C·张 , Y·范 , 周明理 , G·迎 , Y·任 , C·J·赵 , 卢俊 , K·王 , T·G·汉娜 , V·K·波杜 , M·A·施密瑟尔 , L·冯
IPC: H05K7/20
Abstract: 描述了一种半导体芯片封装。半导体芯片封装具有基板。基板在基板的附加表面区域上具有侧面I/O。侧面I/O耦合到半导体芯片封装内的半导体芯片的I/O。还描述了一种冷却组装件。冷却组装件具有用于引导电缆以连接到半导体芯片侧面I/O的通道，该侧面I/O位于冷却模块的底座和电子电路板之间，该电子电路板位于垫板和背板之间，并且该电子电路板通过其中插入半导体芯片封装的插口耦合到半导体芯片的第二I/O。
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公开(公告)号：CN111755419A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010197404.X
申请日：2020-03-19
Applicant: 英特尔公司
Inventor： 聂白 , 段刚 , S·皮耶塔姆巴拉姆 , J·琼斯 , Y·金冈 , 冯红霞 , 徐定颖 , R·马内帕利 , S·派塔尔 , K·达尔马韦卡尔塔 , Y·李 , M·焦 , C·张 , M·廷吉 , 韩程圭 , 陈昊博
IPC: H01L23/538 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/768
Abstract: 公开了一种管芯组件。该管芯组件包括管芯、管芯的第一表面上的一个或多个管芯焊盘以及管芯上的管芯附接膜，其中管芯附接膜包括暴露一个或多个管芯焊盘并且延伸到管芯的一个或多个边缘的一个或多个开口。
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公开(公告)号：CN108694057A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810168804.0
申请日：2018-02-28
Applicant: 英特尔公司
IPC: G06F9/38 , G06F12/0808
CPC classification number: G06F9/3004 , G06F9/30047 , G06F9/30087 , G06F9/3016 , G06F9/3834 , G06F12/0804 , G06F12/0811 , G06F12/084 , G06F12/0842 , G06F12/0875 , G06F12/0891 , G06F12/128 , G06F13/28 , G06F2212/1016 , G06F2212/452 , G06F2212/62 , Y02D10/14 , G06F9/3857 , G06F12/0808
Abstract: 本申请公开了用于改善主机到设备通信以获得最优功率和性能的高效型基于范围的存储器回写。本文中描述了用于高效型基于范围的存储器回写的方法和装置。装置的一个实施例包括：系统存储器；多个硬件处理器核，所述多个硬件处理器核各自包括第一高速缓存；解码器电路，用于对具有针对第一存储器地址和范围指示符的字段的指令进行解码；以及执行电路，用于执行所述经解码指令。所述第一存储器地址和所述范围指示符一起定义所述系统存储器中包括一个或多个高速缓存行的连续区域。执行所述经解码指令使所述第一高速缓存中的所述一个或多个高速缓存行的任何实例无效。另外，所述一个或多个高速缓存行的任何脏的无效实例将存储到系统存储器中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104377120B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201410403861.4
申请日：2014-08-15
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76879 , H01L21/76802 , H01L23/5381 , H01L23/5384 , H01L23/5385 , H01L25/0655 , H01L2224/16225 , H01L2924/15192 , H01L2924/1531
Abstract: 本申请公开了利用投影图案化的具有嵌入式管芯的基板的制造及相关联的封装配置。本公开的实施例针对用于在制造具有嵌入式管芯的电子基板中使用投影图案化的技术和配置。在一个实施例中，方法可包括提供嵌入在基板的介电材料中的管芯，以及将激光束投影通过具有预配置的图案的掩模以根据预配置的图案在介电材料的表面上产生经投影的掩模图案。经投影的掩模图案可包括设置在管芯上的通孔。可描述和/或要求保护其它的实施例。
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公开(公告)号：CN106255567A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201480078162.5
申请日：2014-05-22
Applicant: 英特尔公司
IPC: B23K26/06 , B23K26/064
CPC classification number: G02F1/332 , B23K2101/40 , G02F1/113
Abstract: 描述了具有多个声换能器的声光偏转器，其适于用在基板处理中。在一个示例中，一种方法包括传输光束穿过声光偏转器，施加跨声光偏转器的多个换能器具有相位延迟的声信号，以便通过声光偏转器使光束沿着第一轴偏转，并且将经偏转的光束导引至工件上。
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公开(公告)号：CN104124229A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410164483.9
申请日：2014-04-23
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/538
CPC classification number: H05K1/115 , H01L23/5385 , H01L2224/16227 , H01L2924/0002 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15192 , H05K1/0298 , H05K1/113 , H05K1/185 , H05K3/10 , H05K3/4007 , H05K3/4084 , H05K2201/10363 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及具有在嵌入式管芯上捕获导电部件的高密度互连设计的封装衬底。本发明内容的实施例针对用于嵌入到封装组件中的包括电桥的互连结构的技术和结构。在一个实施例中，一种封装组件可以包括：封装衬底；电桥，嵌入到所述封装衬底中并包括电桥衬底；及互连结构，包括过孔，所述过孔穿过所述封装衬底延伸到电桥衬底的表面中，且被配置为与布置在所述电桥衬底的表面上或下方的导电部件接合。所述互连结构可被配置为在所述导电部件与安装在封装衬底上的管芯之间传送电信号。说明和/或要求了其他实施例。
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公开(公告)号：CN104105994A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201180076303.6
申请日：2011-12-22
Applicant: 英特尔公司
IPC: G02B26/10
CPC classification number: G02B26/10 , B23K2101/42 , G02F1/33 , G02F2001/291 , G02F2201/16
Abstract: 第一声光偏转器接收激光束。第一声光偏转器使所接收的激光束沿着第一轴衍射。第二声光偏转器接收经衍射的激光束。第二声光偏转器使所接收的经衍射的激光束沿着第二轴衍射。
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公开(公告)号：CN104124229B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201410164483.9
申请日：2014-04-23
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/538
CPC classification number: H05K1/115 , H01L23/5385 , H01L2224/16227 , H01L2924/0002 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15192 , H05K1/0298 , H05K1/113 , H05K1/185 , H05K3/10 , H05K3/4007 , H05K3/4084 , H05K2201/10363 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及具有在嵌入式管芯上捕获导电部件的高密度互连设计的封装衬底。本公开内容的实施例针对用于嵌入到封装组件中的包括电桥的互连结构的技术和结构。在一个实施例中，一种封装组件可以包括：封装衬底；电桥，嵌入到所述封装衬底中并包括电桥衬底；及互连结构，包括过孔，所述过孔穿过所述封装衬底延伸到电桥衬底的表面中，且被配置为与布置在所述电桥衬底的表面上或下方的导电部件接合。所述互连结构可被配置为在所述导电部件与安装在封装衬底上的管芯之间传送电信号。说明和/或要求了其他实施例。
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