公开(公告)号：CN103038721A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201180035830.2

申请日：2011-06-21

Applicant: 苏沃塔公司

Inventor： L·希弗伦 ,  P·拉纳德 ,  P·E·格雷戈里 ,  S·R·松库沙莱 ,  W·张 ,  S·E·汤普森

IPC: G05F1/10 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1083 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823493 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7836

Abstract: 一种具有穿通抑制的先进晶体管，包括具有长度Lg的栅极，掺杂为具有第一掺杂剂浓度的阱，以及定位在所述栅极下方且具有第二掺杂剂浓度的屏蔽区域。所述第二掺杂剂浓度可以大于5×10个掺杂剂原子/cm。至少一个穿通抑制区域设置在所述栅极下方且在所述屏蔽区域与所述阱之间。所述穿通抑制区域具有介于所述第一掺杂剂浓度与所述第二掺杂剂浓度之间的第三掺杂剂浓度。可以将偏置电压施加到所述阱区域以调节所述晶体管的阈值电压。

公开(公告)号：CN103081091A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180040485.1

申请日：2011-06-21

Applicant: 苏沃塔公司

Inventor： R·阿尔加瓦尼 ,  L·希弗伦 ,  P·拉纳德 ,  S·E·汤普森 ,  C·德维尔纳夫

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L27/0921 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823493 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/36 ,  H01L29/365 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7836

Abstract: 结构和制造其的方法涉及深耗尽沟道（DDC）设计，允许基于CMOS的器件具有比传统体CMOS减小的σVT，并可以允许精确得多地设置沟道区中具有掺杂剂的FET的阈值电压VT。表示独特的凹槽的创新掺杂剂剖面实现了在精确范围内的VT设定的调整。通过适当选择金属可以扩展这个VT设置范围，以便在管芯上适应极宽范围的VT设置。DDC设计相比于传统体CMOS晶体管还可以具有强体效应，这可以允许DDC晶体管中有意义的功耗的动态控制。结果是能够独立控制VT（以低σVT）和VDD，以使得可以独立于给定器件的VT来调节体偏置。

公开(公告)号：CN103053025A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201180035832.1

申请日：2011-06-21

Applicant: 苏沃塔公司

Inventor： L·希弗伦 ,  P·拉纳德 ,  L·斯卡德 ,  S·E·汤普森

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/36 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823412 ,  H01L21/265 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823493 ,  H01L27/088 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/7836

Abstract: 一种具有阈值电压设定掺杂剂结构的先进晶体管，包括具有长度Lg的栅极和掺杂为具有第一掺杂剂浓度的阱。屏蔽区域定位在所述阱与所述栅极之间且具有大于5×1018个掺杂剂原子/cm3的第二掺杂剂浓度。阈值电压设定区域由设置定位在所述屏蔽区域上方的阈值电压偏移平面形成。所述阈值电压设定区域可以由德尔塔掺杂形成且具有介于Lg/5与Lg/1之间的厚度。所述结构使用最小的晕环注入或不使用晕环注入来将沟道掺杂剂浓度保持在小于5×1017个掺杂剂原子/cm3。