公开(公告)号：CN103238216A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201180058243.5

申请日：2011-11-30

Applicant: 苏沃塔公司

Inventor： P·拉纳德 ,  L·希弗伦 ,  S·R·松库沙莱

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L27/085 ,  H01L27/088 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7848

Abstract: 具有提高的性能的平面晶体管具有在半导体衬底上的源极和漏极，半导体衬底包括在源极和漏极之间延伸的基本上无掺杂的沟道。栅极位于衬底上的基本上无掺杂的沟道之上。注入的源极/漏极延伸部接触源极和漏极，而注入源极/漏极延伸部具有小于大约1x1019原子/cm3或可替代地小于源极和漏极的掺杂剂浓度的四分之一的掺杂剂浓度。

公开(公告)号：CN103038721A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201180035830.2

申请日：2011-06-21

Applicant: 苏沃塔公司

Inventor： L·希弗伦 ,  P·拉纳德 ,  P·E·格雷戈里 ,  S·R·松库沙莱 ,  W·张 ,  S·E·汤普森

IPC: G05F1/10 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1083 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823493 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7836

Abstract: 一种具有穿通抑制的先进晶体管，包括具有长度Lg的栅极，掺杂为具有第一掺杂剂浓度的阱，以及定位在所述栅极下方且具有第二掺杂剂浓度的屏蔽区域。所述第二掺杂剂浓度可以大于5×10个掺杂剂原子/cm。至少一个穿通抑制区域设置在所述栅极下方且在所述屏蔽区域与所述阱之间。所述穿通抑制区域具有介于所述第一掺杂剂浓度与所述第二掺杂剂浓度之间的第三掺杂剂浓度。可以将偏置电压施加到所述阱区域以调节所述晶体管的阈值电压。