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公开(公告)号：CN116435344A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310572379.2
申请日：2023-05-18
Applicant: 芯长征微电子制造(山东)有限公司 , 江苏芯长征微电子集团股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种高可靠性沟槽型SiC功率半导体器件及制备方法。在所述SiC功率半导体器件的截面上，对沟槽型元胞，包括位于第一导电类型外延层内的元胞沟槽、分布于所述元胞沟槽两侧的第二导电类型屏蔽区以及用于包裹所述第二导电类型屏蔽区内侧的第一导电类型载流子存储区，其中，第一导电类型载流子存储区以及第二导电类型屏蔽区均呈阶梯式分布状态；第一导电类型载流子存储区以及第二导电类型屏蔽区相应的底部均位于元胞沟槽槽底的下方；元胞沟槽两侧的第一导电类型载流子存储区与第一导电类型外延层接触，并通过第一导电类型外延层间隔。本发明能有效降低栅极氧化层处的最大电场，同时保证功率半导体器件具有较小的导通电阻。
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公开(公告)号：CN119562491A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411558300.1
申请日：2024-11-04
Applicant: 芯长征微电子制造(山东)有限公司
IPC: H05K7/20 , H01L23/473 , H01L23/367
Abstract: 树形水路结构及其冷却装置，包括分隔挡板，用于划分水路空间；进出水口，分别设置在分隔挡板的对角区域，实现分隔挡板内的液体流通；导流块，位于分隔挡板中心位置，将主流路径的水流分为两股，提高水流分布均匀性；一级分水结构，其数量为两个并呈月牙形，两个一级分水结构对称设置于导流块两侧，且凹向导流块本发明结构紧凑、合理，操作方便，本发明的树形水路结构及散热冷却装置，通过巧妙的设计和优化，实现了水流的均匀分布和高效散热。多种类型的散热冷却装置，满足了不同场景下的散热需求，提高了空间利用率和产品的竞争力。同时，本发明的结构设计合理，制造成本低，易于推广和应用。
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公开(公告)号：CN112670276A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011546565.1
申请日：2020-12-24
Applicant: 芯长征微电子制造(山东)有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L29/739 , H01L29/868 , H01L23/488
Abstract: 本发明涉及一种高效率封装的IGBT模块。其包括封装底板、设置于所述封装底板上的模块第一覆铜陶瓷板以及设置于所述封装底板上的模块第二覆铜陶瓷板，在模块第一覆铜陶瓷板上设有第一IGBT芯片单元体，在模块第二覆铜陶瓷板上设有第二IGBT芯片单元体；第一IGBT芯片单元体、第二IGBT芯片单元体能与封装底板上的功率端子组、控制端子板组适配连接，以连接成所需的IGBT拓扑电路；功率端子组与模块第一覆铜陶瓷板、模块第二覆铜陶瓷板适配电连接，且功率端子组内的功率端子体与模块第一覆铜陶瓷板和/或模块第二覆铜陶瓷板通过超声波焊接或软钎料焊接固定。本发明结构紧凑，采用超声波焊接，能提高IGBT模块的生产效率以及质量。
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公开(公告)号：CN119212340A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411558301.6
申请日：2024-11-04
Applicant: 芯长征微电子制造(山东)有限公司
IPC: H05K7/20
Abstract: 一种回转水道散热结构，包括散热主体底板，为各个部件提供支撑；周边挡板，其固定于散热主体底板上并形成储液空间；散热单元矩阵，其包括设置在周边挡板内的至少一个散热单元组，且散热单元组内设置有至少一列散热单元，散热单元内通过交错设置的分隔挡板分割成蛇形流道；缓冲区，其数量为两个并分布在周边挡板相对的两侧边，靠近所述缓冲区的散热单元组内至少设置有一个通向该缓冲区流道口。本发明结构紧凑、合理，操作方便，本发明的回转水道散热结构通过显著提升散热效率、优化水流路径、提高灵活性和适应性以及增强稳固性和耐用性等多方面的有益效果，为碳化硅功率器件的散热问题提供了有效的解决方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN216566898U
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202123437138.2
申请日：2021-12-30
Applicant: 芯长征微电子制造(山东)有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/683
Abstract: 本实用新型涉及一种提高IGBT模块封装效率的封装夹具。其包括封装支撑定位底座以及依次置于封装支撑定位底座上的散热基板定位框板与芯片定位框板；在所述散热基板定位框板上设置与覆铜陶瓷体适配的覆铜陶瓷体定位槽，覆铜陶瓷体嵌置于所述覆铜陶瓷体定位槽内时，所述覆铜陶瓷体能与封装支撑定位底座上的一散热基板正对应并接触；在芯片定位框板上设置与芯片单元体适配的芯片定位孔，芯片单元体通过芯片定位孔置于芯片定位框板内后，能与所述芯片定位框板正下方相应的覆铜陶瓷体正对应，在将覆铜陶瓷体焊接在散热基板上时，能同时将芯片单元体焊接在覆铜陶瓷体上。本实用新型能有效提高封装的效率，降低封装成本，安全可靠。
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公开(公告)号：CN213071128U
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202022287900.2
申请日：2020-10-14
Applicant: 芯长征微电子制造(山东)有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/49
Abstract: 本实用新型涉及一种低成本高性能IGBT模块。其包括封装底板、模块第一覆铜陶瓷板以及模块第二覆铜陶瓷板，在模块第一覆铜陶瓷板上设有第一IGBT芯片单元体，在模块第二覆铜陶瓷板上设有第二IGBT芯片单元体；第一IGBT芯片单元体、第二IGBT芯片单元体能与封装底板上的功率端子板组、控制端子板组适配连接，以连接成所需的IGBT拓扑电路；在所述封装底板的一端部设置控制端子覆铜陶瓷板体，控制端子板组安装在所述控制端子覆铜陶瓷板体上，且控制端子板组内的控制端子连板间相互独立。本实用新型结构紧凑，能提高IGBT模块的生产效率以及连接的可靠性，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN222546338U
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202421306064.X
申请日：2024-06-07
Applicant: 芯长征微电子制造(山东)有限公司
IPC: H01L23/10 , H01L23/49 , H01L23/498 , H01L23/492 , H01L21/60
Abstract: 本实用新型涉及一种注塑封装结构，包括底板，所述底板的顶部端面焊接有覆铜陶瓷基板，所述覆铜陶瓷基板上焊接有功率器件模组，所述底板的顶部热合连接有注塑外壳，所述注塑外壳包裹所述功率器件模组；所述底板与注塑外壳之间设置有数个用于控制信号传输的信号端子，用于与输入电源连接的输入端子单元，以及用于输出输出信号的输出端子单元。通过设置注塑外壳，能够排除功率器件模组内部的空气和水汽，从而提高封装后碳化硅功率器件的性能；同时，注塑外壳与功率器件模组的表面直接接触，能够提高功率器件模组的散热效率。
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公开(公告)号：CN216928548U
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202123447799.3
申请日：2021-12-31
Applicant: 芯长征微电子制造(山东)有限公司
IPC: H01L23/15 , H01L23/498 , H01L23/367
Abstract: 本实用新型涉及一种IGBT模块用覆铜陶瓷板。其包括散热基板以及设置于所述散热基板上的覆铜陶瓷体；所述覆铜陶瓷体包括用于支撑功率第一端子体以及芯片第一单元组的连接支撑第一板体、用于支撑功率第二端子体的连接支撑第二板体、用于支撑功率第三端子体以及芯片第二单元组的连接支撑第三板体、分布于连接支撑第三板体一侧的控制端子第一连接板组以及分布于连接支撑第三板体另一侧的控制端子第二连接板组，其中，连接支撑第一板体、连接支撑第二板体以及连接支撑第三板体相互独立；本实用新型结构紧凑，降低管理成本以及键合连接的工作量，提高生产效率，安全可靠。
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公开(公告)号：CN216597569U
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202123360954.8
申请日：2021-12-28
Applicant: 芯长征微电子制造(山东)有限公司
IPC: H01L23/48
Abstract: 本实用新型涉及一种可防止插接塌缩变形的IGBT封装模块控制端子。其包括端子连接底板以及插接连接部；还包括过渡连接部，插接连接部通过所述过渡连接部与端子连接底板适配连接，插接连接部通过过渡连接部竖直分布于端子连接底板的正上方；所述过渡连接部包括相对端子连接底板以及插接连接部呈倾斜分布的斜面连板，所述斜面连板的一端通过第一弧形过渡区与插接连接部适配连接，斜面连接部的另一端通过第二弧形过渡区与端子连接底板的一端适配连接，第一弧形过渡区的弧形开口方向与第二弧形过渡区的开口方向相反。本实用新型结构紧凑，能有效防止控制端子在插接时的塌缩变形，提高控制端子在使用中的连接稳定性与可靠性。
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