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公开(公告)号：CN117423723A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311621213.1
申请日：2023-11-29
Applicant: 芯长征微电子制造(山东)有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/331 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种可提升超结结构雪崩耐量的功率器件及制备方法。其包括制备于半导体基板中心区的有源区以及位于所述有源区外圈的终端保护区，所述终端保护区环绕包围有源区，其中，在有源区内，包括正面元胞单元以及超结单元，其中，所述超结单元包括若干依次交替分布的第一导电类型柱与第二导电类型柱，所述第一导电类型柱的导电类型与半导体基板的导电类型相一致；对任一第二导电类型柱，包括若干依次外延填充在第二导电类型柱沟槽内的第二导电类型柱掺杂区，其中，依照在第二导电类型柱沟槽内外延填充的顺序，第二导电类型柱掺杂区的掺杂浓度依次增大。本发明能有效提升超结器件的雪崩能量，与现有工艺兼容。
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公开(公告)号：CN119767694A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411953848.6
申请日：2024-12-27
Applicant: 江苏芯长征微电子集团股份有限公司 , 芯长征微电子制造(山东)有限公司
Abstract: 本申请提供一种快恢复二极管及其制作方法。该快恢复二极管包括第一导电类型衬底及第一导电类型漂移层。第一导电类型漂移层位于第一导电类型衬底上方。第一导电类型漂移层包括第一区域与第二区域。第二区域位于第一区域与第一导电类型衬底之间。其中，在第一导电类型漂移层至第一导电类型衬底的方向上，第一区域的掺杂浓度逐渐降低；第二区域内具有一高掺杂浓度峰，高掺杂浓度峰的掺杂浓度高于第一区域的掺杂浓度的最低值。该快恢复二极管，基于第一导电类型漂移层，改善了载流子在正向导通和反向恢复过程中的分布与运动，降低开关损耗和减少电磁干扰，并改善了在全电流状态下的反向恢复特性，提升了可靠性。该制作方法制作步骤简单。
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公开(公告)号：CN119562491A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411558300.1
申请日：2024-11-04
Applicant: 芯长征微电子制造(山东)有限公司
IPC: H05K7/20 , H01L23/473 , H01L23/367
Abstract: 树形水路结构及其冷却装置，包括分隔挡板，用于划分水路空间；进出水口，分别设置在分隔挡板的对角区域，实现分隔挡板内的液体流通；导流块，位于分隔挡板中心位置，将主流路径的水流分为两股，提高水流分布均匀性；一级分水结构，其数量为两个并呈月牙形，两个一级分水结构对称设置于导流块两侧，且凹向导流块本发明结构紧凑、合理，操作方便，本发明的树形水路结构及散热冷却装置，通过巧妙的设计和优化，实现了水流的均匀分布和高效散热。多种类型的散热冷却装置，满足了不同场景下的散热需求，提高了空间利用率和产品的竞争力。同时，本发明的结构设计合理，制造成本低，易于推广和应用。
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公开(公告)号：CN117116937A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311199175.5
申请日：2023-09-18
Applicant: 芯长征微电子制造(山东)有限公司 , 江苏芯长征微电子集团股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L29/06 , H01L21/8222
Abstract: 本发明公开了一种RC‑IGBT器件结构及制备方法。包括具有第一导电类型的衬底、制备于所述衬底正面的正面元胞结构以及制备于所述衬底背面的背面结构。所述背面结构包括与衬底背面对应的集电区、制备于衬底内的第一导电类型缓冲层以及用于在正向导通时阻挡载流子流通的载流子阻挡单元；正向导通时，通过载流子阻挡单元以及隔离单元阻挡载流子从所述第二导电类型集电区上方流向所述第一导电类型集电区，加快所述第二导电类型集电区与所述衬底构成的PN结开启，使RC‑IGBT器件进入双极导通状态。本发明能消除RC‑IGBT器件的Snapback效应，有效提高器件耐压。
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公开(公告)号：CN112670276A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011546565.1
申请日：2020-12-24
Applicant: 芯长征微电子制造(山东)有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L29/739 , H01L29/868 , H01L23/488
Abstract: 本发明涉及一种高效率封装的IGBT模块。其包括封装底板、设置于所述封装底板上的模块第一覆铜陶瓷板以及设置于所述封装底板上的模块第二覆铜陶瓷板，在模块第一覆铜陶瓷板上设有第一IGBT芯片单元体，在模块第二覆铜陶瓷板上设有第二IGBT芯片单元体；第一IGBT芯片单元体、第二IGBT芯片单元体能与封装底板上的功率端子组、控制端子板组适配连接，以连接成所需的IGBT拓扑电路；功率端子组与模块第一覆铜陶瓷板、模块第二覆铜陶瓷板适配电连接，且功率端子组内的功率端子体与模块第一覆铜陶瓷板和/或模块第二覆铜陶瓷板通过超声波焊接或软钎料焊接固定。本发明结构紧凑，采用超声波焊接，能提高IGBT模块的生产效率以及质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119767695A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411953849.0
申请日：2024-12-27
Applicant: 江苏芯长征微电子集团股份有限公司 , 芯长征微电子制造(山东)有限公司
Abstract: 本申请提供一种快恢复二极管及其制作方法，该快恢复二极管包括第一导电类型衬底及第一导电类型半导体层，第一导电类型半导体层位于第一导电类型衬底上，第一导电类型半导体层中具有至少一掺杂浓度峰，每一掺杂浓度峰与第一导电类型衬底之间的距离，小于掺杂浓度峰与第一导电类型半导体层远离第一导电类型衬底的一面之间的距离。该快恢复二极管，基于第一导电类型半导体层的结构，即具有至少一掺杂浓度峰，使得快恢复二极管的反向恢复特性及开关损耗均得到改善，且通过掺杂浓度峰的形态参数的调整，即可使得快恢复二极管满足不同应用场景的特定性能需求。该制作方法，整体工艺步骤简单，适于规模化生产。
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公开(公告)号：CN119212340A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411558301.6
申请日：2024-11-04
Applicant: 芯长征微电子制造(山东)有限公司
IPC: H05K7/20
Abstract: 一种回转水道散热结构，包括散热主体底板，为各个部件提供支撑；周边挡板，其固定于散热主体底板上并形成储液空间；散热单元矩阵，其包括设置在周边挡板内的至少一个散热单元组，且散热单元组内设置有至少一列散热单元，散热单元内通过交错设置的分隔挡板分割成蛇形流道；缓冲区，其数量为两个并分布在周边挡板相对的两侧边，靠近所述缓冲区的散热单元组内至少设置有一个通向该缓冲区流道口。本发明结构紧凑、合理，操作方便，本发明的回转水道散热结构通过显著提升散热效率、优化水流路径、提高灵活性和适应性以及增强稳固性和耐用性等多方面的有益效果，为碳化硅功率器件的散热问题提供了有效的解决方案。
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公开(公告)号：CN117393595A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311622050.9
申请日：2023-11-29
Applicant: 芯长征微电子制造(山东)有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06 , H01L29/417
Abstract: 本发明涉及一种可抑制闩锁的功率器件及制备方法。其包括：对任一元胞沟槽，至少在所述元胞沟槽的一侧设置第一导电类型源区，其中，第一导电类型源区包括若干沿元胞沟槽长度方向依次排布的第一导电类型子源区；对任一第一导电类型子源区，配置一与所述第一导电类型子源区对应的接触孔，第一导电类型子源区与填充于所述接触孔内的源极金属欧姆接触，以使得有源区内的所有第一导电类型子源区均与源极金属欧姆接触。本发明可有效抑制功率器件的闩锁效应，提高对感性负载驱动的稳定性及可靠性，制备方法与现有工艺兼容。
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公开(公告)号：CN113644125A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202111207125.8
申请日：2021-10-18
Applicant: 芯长征微电子制造(山东)有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/331 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种能降低米勒电容的功率半导体器件及制备方法。其包括半导体衬底以及设置于所述半导体衬底中心区的元胞区；所述元胞区内包括若干并联分布的元胞，且元胞采用沟槽结构；在所述功率半导体器件的截面上，元胞包括元胞沟槽、制备于所述元胞沟槽内下部的槽底厚氧层以及支撑于所述槽底厚氧层上的槽内厚氧柱，槽内厚氧柱的顶端位于元胞沟槽槽口的下方；在元胞沟槽内填充有栅极导电多晶硅，所述栅极导电多晶硅支撑在槽底厚氧层上且包覆槽内厚氧柱，栅极导电多晶硅通过栅氧化层与元胞沟槽的侧壁绝缘隔离，栅氧化层与槽底厚氧层接触。本发明能降低米勒电容，提高器件的可靠性，与现有工艺兼容，安全可靠。
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公开(公告)号：CN119767696A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411953852.2
申请日：2024-12-27
Applicant: 江苏芯长征微电子集团股份有限公司 , 芯长征微电子制造(山东)有限公司
Abstract: 本申请提供一种快恢复二极管及其制作方法。该快恢复二极管包括第一导电类型衬底及第一导电类型漂移层。第一导电类型漂移层位于第一导电类型衬底上。且第一导电类型漂移层包括多层外延层。其中，距离第一导电类型衬底最近的外延层的掺杂浓度低于第一导电类型衬底的掺杂浓度。且在沿第一导电类型衬底至第一导电类型漂移层的方向上，多层外延层的掺杂浓度逐渐降低，使得在反向恢复过程中，第一导电类型漂移层内的载流子的扫除速度逐渐降低。该快恢复二极管中，通过漂移层的结构设计使得载流子均匀分布，减小了导通电阻。同时优化电场分布，以控制载流子行为，实现软恢复过程，有效降低了开关损耗。该制作方法整体工艺步骤简单，成本低廉。
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