高带宽叠层封装结构
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116705727A

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202310176164.9

    申请日:2023-02-28

    摘要: 本发明公开一种高带宽叠层封装结构,该HBPoP结构包括:第一封装结构,以及设置在第一封装结构上方的第二封装结构。第一封装结构包括:第一封装基板、半导体晶粒、中介层以及模制材料。第一封装基板由硅和/或陶瓷材料形成;半导体晶粒设置在第一封装基板上方;中介层设置在半导体晶粒上方并且由硅和/或陶瓷材料形成;模制材料设置在第一封装基板与中介层之间并且包围半导体晶粒。HBPoP结构包括由良好热扩散材料硅和/或陶瓷材料形成的中介层,因此可以实现更好的热扩散能力,从而减慢升温速度并延长全面性能的时间。

    半导体封装
    2.
    发明公开
    半导体封装 审中-实审

    公开(公告)号:CN113161333A

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN202110025798.5

    申请日:2021-01-08

    摘要: 本发明公开一种半导体封装,包括:基板部件,包括第一表面、与该第一表面相对的第二表面以及在该第一表面和该第二表面之间延伸的侧壁表面;重分布层结构,设置在该第一表面上并通过第一连接元件电连接至该第一表面;球栅阵列球,安装在该基板部件的该第二表面上;以及至少一个集成电路晶粒,通过第二连接元件安装在该重分布层结构上。由于重分布层结构是在基板部件的第一表面上以及在密封剂的上表面上制造的,因此无需过高的铜柱或焊球等结构,因此可以避免仅使用铜柱连接晶粒与基板部件所带来的问题,降低了使用过高铜柱的成本。因此,可以降低封装的成本,并且可以改善封装的性能。

    半导体封装结构
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112086414A

    公开(公告)日:2020-12-15

    申请号:CN202010484230.5

    申请日:2020-06-01

    IPC分类号: H01L23/367 H01L23/373

    摘要: 本发明提供了一种半导体封装结构。该半导体封装结构包括:基板,半导体裸晶,成型材料,第一接合层和热接口材料。半导体裸晶被设置在基板的上方。成型材料环绕半导体裸晶。第一接合层被设置在半导体裸晶的上方。热接口材料被设置在成型材料的上方。

    半导体封装和印刷电路板

    公开(公告)号:CN111508947A

    公开(公告)日:2020-08-07

    申请号:CN202010052472.7

    申请日:2020-01-17

    摘要: 本发明公开一种半导体封装,包括:基底,包括上表面和与所述上表面相对的下表面;射频结构,嵌入所述基底中,并靠近所述基底的上表面;集成电路晶粒,以倒装芯片的方式安装在所述基底的下表面上;导电结构,设置在所述基底的下表面上并围绕所述集成电路晶粒布置;以及金属热界面层,包括与所述集成电路晶粒的背面直接接触的背面金属层,以及印刷在所述背面金属层上的焊膏。这样可以通过集成电路晶粒的背面进行散热,并且金属热界面层加快了散热速度,提高了散热效率。

    天线模块叠层封装和射频叠层封装

    公开(公告)号:CN116799472A

    公开(公告)日:2023-09-22

    申请号:CN202310277570.4

    申请日:2023-03-21

    IPC分类号: H01Q1/22 H01Q1/00

    摘要: 本发明公开天线模块叠层封装,包括:天线封装,具有上表面和与上表面相对的底表面,其中该天线封装包括在该底表面上的辐射天线元件;芯片封装,安装于该天线封装的该上表面,该芯片封装包括半导体芯片;导电元件,配置于该天线封装与该芯片封装之间,以电性互连该芯片封装与该天线封装;以及至少一个空气沟槽,设置于该天线封装的底表面。本发明中通过在天线封装上设置空气沟槽,可以降低天线封装的翘曲,改善天线封装的上表面和底表面之间的热膨胀系数失配。

    半导体封装和印刷电路板
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115884499A

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN202211415765.2

    申请日:2020-01-17

    摘要: 本发明公开一种半导体封装,包括:基底,包括上表面和与所述上表面相对的下表面;射频结构,嵌入所述基底中,并靠近所述基底的上表面;集成电路晶粒,以倒装芯片的方式安装在所述基底的下表面上;导电结构,设置在所述基底的下表面上并围绕所述集成电路晶粒布置;以及金属热界面层,包括与所述集成电路晶粒的背面直接接触的背面金属层,以及印刷在所述背面金属层上的焊膏。这样可以通过集成电路晶粒的背面进行散热,并且金属热界面层加快了散热速度,提高了散热效率。