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公开(公告)号:CN116705727A
公开(公告)日:2023-09-05
申请号:CN202310176164.9
申请日:2023-02-28
申请人: 联发科技股份有限公司
IPC分类号: H01L23/373 , H01L23/29 , H01L23/14 , H01L23/15
摘要: 本发明公开一种高带宽叠层封装结构,该HBPoP结构包括:第一封装结构,以及设置在第一封装结构上方的第二封装结构。第一封装结构包括:第一封装基板、半导体晶粒、中介层以及模制材料。第一封装基板由硅和/或陶瓷材料形成;半导体晶粒设置在第一封装基板上方;中介层设置在半导体晶粒上方并且由硅和/或陶瓷材料形成;模制材料设置在第一封装基板与中介层之间并且包围半导体晶粒。HBPoP结构包括由良好热扩散材料硅和/或陶瓷材料形成的中介层,因此可以实现更好的热扩散能力,从而减慢升温速度并延长全面性能的时间。
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公开(公告)号:CN116613113A
公开(公告)日:2023-08-18
申请号:CN202310111547.8
申请日:2023-02-13
申请人: 联发科技股份有限公司
IPC分类号: H01L23/31 , H01L23/13 , H01L23/48 , H01L23/34 , H01L23/367
摘要: 本发明提供了一种半导体封装结构,包括封装基板、半导体裸晶、中介层、粘合层以及成型材料。半导体裸晶被设置在封装基板的上方。中介层被设置在半导体裸晶的上方。粘合层连接半导体裸晶和中介层。成型材料围绕半导体裸晶和粘合层。本发明提供的半导体封装结构能够提高散热效率。
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公开(公告)号:CN116705713A
公开(公告)日:2023-09-05
申请号:CN202310200613.9
申请日:2023-03-03
申请人: 联发科技股份有限公司
IPC分类号: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/367 , H01L25/18 , H10B80/00
摘要: 本发明公开一种半导体封装,包括:底部基板和顶部基板,该顶部基板与该底部基板间隔开,使得该底部基板和该顶部基板之间限定出间隙;逻辑晶粒,其中该逻辑晶粒的厚度为125‑350微米;多个铜芯焊球;以及密封树脂。本发明中,由于逻辑晶粒的厚度较厚,使得逻辑晶粒的体积大幅增加,因此本发明中的晶粒的储热能力将大幅提升,这样逻辑晶粒在运行过程中的升温将会变得缓慢,可以让逻辑晶粒在更长的时间内位于较低的温度区间内运行,保证逻辑晶粒或半导体封装的正常工作。因此本发明的上述方案将增强逻辑晶粒和半导体封装的散热性能,并且提高应用处理器的性能。
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公开(公告)号:CN115706060A
公开(公告)日:2023-02-17
申请号:CN202210908601.7
申请日:2022-07-29
申请人: 联发科技股份有限公司
IPC分类号: H01L23/367 , H01L25/16 , H01L25/18
摘要: 本发明公开一种半导体封装组件,包括:系统单芯片封装,包括:逻辑晶粒,具有焊盘;以及第一基板,通过该焊盘电连接到该逻辑晶粒;存储器封装,堆叠在该系统单芯片封装上,包括:第二基板,具有上表面和底表面;以及存储晶粒,安装在该第二基板的该上表面上并使用接合引线电连接到该第二基板;以及散热器,位于该系统单芯片封装和该存储器封装之间,其中该散热器与远离该焊盘的该逻辑晶粒的背表面接触。本发明采用套筒式的散热器将存储器封装的四周全部围绕,使得热量可以从存储器封装四周散发,大幅提高了散热的面积,从而大大提高了散热效率。
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