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公开(公告)号：CN119545873A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411713893.4
申请日：2020-02-11
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开涉及包括在两种或更多种不同半导体材料内扩散的氢的集成组合件及形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种集成组合件，其具有在第二半导体材料的两个区之间的第一半导体材料。所述第二半导体材料是不同于所述第一半导体材料的成分。氢在所述第一及第二半导体材料内扩散。所述第二半导体材料的导电性响应于扩散在其中的所述氢而增加，以借此创建具有所述第二半导体材料作为源极/漏极区并且具有所述第一半导体材料作为在所述源极/漏极区之间的沟道区的结构。晶体管栅极邻近所述沟道区并且经配置以在所述沟道区内感应电场。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
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公开(公告)号：CN113169225B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN201980072826.X
申请日：2019-10-08
Applicant: 美光科技公司
IPC: H10D10/40 , H10D10/01 , H01L21/28 , H01L21/768
Abstract: 本申请案涉及包含具有氢气势垒材料的垂直晶体管的装置及相关方法。一种装置包括垂直晶体管，所述垂直晶体管包含各自个别地包括经配置以抑制氢气通过其渗透的至少一种导电材料的源极区域及漏极区域且包含垂直介于所述源极区域与所述漏极区域之间的沟道区域。所述垂直晶体管进一步包括横向邻近半导电支柱的所述沟道区域的至少一个栅极电极，及介于所述半导电支柱与所述至少一个栅极电极之间的电介质材料。还揭示相关装置、电子系统及方法。
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公开(公告)号：CN113169172B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN201980078563.3
申请日：2019-11-19
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 一种存储器阵列包括绝缘材料和存储器单元的竖直交替层。所述存储器单元个别地包括晶体管，所述晶体管包括其间具有沟道区的第一和第二源极/漏极区，以及以操作方式接近所述沟道区的栅极。所述个别存储器单元包括电容器，所述电容器包括其间具有电容器绝缘体的第一和第二电极。所述第一电极电耦合到所述第一源极/漏极区。字线结构竖向地延伸穿过所述竖直交替层的所述绝缘材料和所述存储器单元。所述存储器单元层中的不同者的所述栅极的个别者直接电耦合到所述字线结构的个别者。感测线电耦合到所述晶体管的个别者的所述第二源极/漏极区中的多个。
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公开(公告)号：CN113964133A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202110480799.9
申请日：2021-04-30
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11585 , H01L27/1159
Abstract: 本申请涉及竖直晶体管阵列和用于形成竖直晶体管阵列的方法。竖直晶体管阵列包括个别竖直晶体管的间隔开的柱，其个别地包括上部源极/漏极区、下部源极/漏极区和竖直地位于它们之间的沟道区。上部源极/漏极区包括柱中的个别柱中的导体氧化物材料。沟道区包括个别柱中的氧化物半导体材料。下部源极/漏极区包括个别柱中的位于个别柱中的第二导电氧化物材料顶上且直接抵靠第二导电氧化物材料的第一导电氧化物材料。水平延长且间隔开的导体线在列方向上个别地互连相应多个竖直晶体管。导体线个别地包括位于金属材料顶上且直接抵靠金属材料的第二导电氧化物材料。第一导电氧化物材料、第二导电氧化物材料和金属材料相对彼此包括不同组分。
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公开(公告)号：CN112970121A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201980073391.0
申请日：2019-10-08
Applicant: 美光科技公司
Inventor： S·E·西里斯 , R·甘地 , D·V·N·拉马斯瓦米 , 李宜芳 , K·M·考尔道
IPC: H01L29/778 , H01L21/28 , H01L21/02 , H01L29/80 , H01L27/108 , H01L43/08 , H01L45/00
Abstract: 本发明揭示一种晶体管，其包括：第一导电接触件；异构沟道，其在所述第一导电接触件上方包括至少一种氧化物半导体材料；第二导电接触件，其在所述异构沟道上方；及栅极电极，其横向邻近所述异构沟道。还揭示一种半导体装置、一种形成半导体装置的方法、一种存储器装置及一种电子系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112053951A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010166851.9
申请日：2020-03-11
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L21/3213 , H01L21/8242
Abstract: 一种用于集成电路制造的方法包括在衬底的外部形成金属材料。至少大部分(即高达并且包括100％)的所述金属材料含有元素形式、金属化合物形式或合金形式中的至少一种形式的钌。在所述含钌金属材料的外部形成掩模材料。所述掩模材料包括九种具体列举的材料或材料类别中的至少一种。当蚀刻穿过所述含钌金属材料的暴露部分以形成包括所述含钌金属材料的集成电路的特征件时，将所述掩模材料用作掩模。
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公开(公告)号：CN113056821B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN201980076134.2
申请日：2019-11-19
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 一些实施例包含一种集成组合件，其具有栅极材料、邻近所述栅极材料的绝缘材料和邻近所述绝缘材料的半导体氧化物。所述半导体氧化物具有接近所述栅极材料且通过所述绝缘材料与所述栅极材料间隔开的沟道区。沿着所述栅极材料的电场诱发所述沟道区内的载流子流动，其中所述载流子流动沿着第一方向。所述半导体氧化物包含晶界，所述晶界具有沿着第二方向延伸的部分，所述第二方向与所述载流子流动的所述第一方向交叉。在一些实施例中，所述半导体氧化物具有晶界，所述晶界沿着所述第一方向延伸且通过所述半导体氧化物的中介部分从所述绝缘材料偏移。所述载流子流动在中介区内且基本上平行于所述晶界。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
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公开(公告)号：CN115497939A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210197474.4
申请日：2022-03-02
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/108 , H01L29/06 , H01L21/8242
Abstract: 本公开的实施例涉及集成组合件和形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种集成组合件，所述集成组合件含有包含一或多种过渡金属的第一结构且含有在所述第一结构上方的第二结构。所述第二结构具有直接抵靠所述第一结构的第一区域且具有通过间隙区域与所述第一结构间隔开的第二区域。所述第二结构包含具有选自周期表的第13族的至少一个元素以及选自所述周期表的第15族和第16族的至少一个元素的半导体材料。离子化合物在所述间隙区域内。一些实施例包含一种形成集成组合件的方法。
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公开(公告)号：CN114078858A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110952896.3
申请日：2021-08-19
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本申请案涉及集成组合件和形成集成组合件的方法。一些实施例包含具有存储元件与导电结构之间的存取装置的集成组合件。所述存取装置具有包含半导体材料的沟道材料。所述沟道材料具有第一端和相对的第二端，且具有从所述第一端延伸到所述第二端的侧面。所述第一端邻近所述导电结构，且所述第二端邻近所述存储元件。导电栅极材料邻近所述沟道材料的所述侧面。第一半球形含金属盖在所述导电结构上方且在所述沟道材料下方，和/或第二半球形含金属盖在所述沟道材料上方且在所述存储元件下方。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
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公开(公告)号：CN113169225A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980072826.X
申请日：2019-10-08
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L29/732 , H01L29/66 , H01L21/28 , H01L21/768
Abstract: 本发明揭示一种装置，其包括垂直晶体管，所述垂直晶体管包含各自个别地包括经配置以抑制氢气通过其渗透的至少一种导电材料的源极区域及漏极区域且包含垂直介于所述源极区域与所述漏极区域之间的沟道区域。所述垂直晶体管进一步包括横向邻近半导电支柱的所述沟道区域的至少一个栅极电极，及介于所述半导电支柱与所述至少一个栅极电极之间的电介质材料。还揭示相关装置、电子系统及方法。
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