公开(公告)号：CN113056821B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN201980076134.2

申请日：2019-11-19

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 史考特·E·西利士 ,  拉玛纳生·甘地 ,  浅野治 ,  李宜芳

IPC: H10D84/83 ,  H10D84/03 ,  H10D84/80 ,  H10D84/82 ,  H10B80/00 ,  H01L21/02

Abstract: 一些实施例包含一种集成组合件，其具有栅极材料、邻近所述栅极材料的绝缘材料和邻近所述绝缘材料的半导体氧化物。所述半导体氧化物具有接近所述栅极材料且通过所述绝缘材料与所述栅极材料间隔开的沟道区。沿着所述栅极材料的电场诱发所述沟道区内的载流子流动，其中所述载流子流动沿着第一方向。所述半导体氧化物包含晶界，所述晶界具有沿着第二方向延伸的部分，所述第二方向与所述载流子流动的所述第一方向交叉。在一些实施例中，所述半导体氧化物具有晶界，所述晶界沿着所述第一方向延伸且通过所述半导体氧化物的中介部分从所述绝缘材料偏移。所述载流子流动在中介区内且基本上平行于所述晶界。一些实施例包含形成集成组合件的方法。

公开(公告)号：CN113056821A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201980076134.2

申请日：2019-11-19

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 史考特·E·西利士 ,  拉玛纳生·甘地 ,  浅野治 ,  李宜芳

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/07 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/02

Abstract: 一些实施例包含一种集成组合件，其具有栅极材料、邻近所述栅极材料的绝缘材料和邻近所述绝缘材料的半导体氧化物。所述半导体氧化物具有接近所述栅极材料且通过所述绝缘材料与所述栅极材料间隔开的沟道区。沿着所述栅极材料的电场诱发所述沟道区内的载流子流动，其中所述载流子流动沿着第一方向。所述半导体氧化物包含晶界，所述晶界具有沿着第二方向延伸的部分，所述第二方向与所述载流子流动的所述第一方向交叉。在一些实施例中，所述半导体氧化物具有晶界，所述晶界沿着所述第一方向延伸且通过所述半导体氧化物的中介部分从所述绝缘材料偏移。所述载流子流动在中介区内且基本上平行于所述晶界。一些实施例包含形成集成组合件的方法。