公开(公告)号：CN101483162A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200910000776.2

申请日：2009-01-09

Applicant: 索尼株式会社 ,  株式会社藤仓

Inventor： 原田恵充 ,  铃木优美 ,  锅义博 ,  高冈裕二 ,  和田英之 ,  猿田正畅 ,  末益龙夫

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明涉及具有形成在半导体芯片中的通孔互连部的半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括半导体基板、绝缘层、过孔和通孔互连部。所述绝缘层形成在所述半导体基板上。所述过孔形成为穿过所述半导体基板和绝缘层。通过填充在所述半导体基板与形成在所述半导体基板上的绝缘层之间的边界上的凹入部，使形成在所述过孔的内表面上的绝缘层的表面基本平坦化。因此，由于能够防止导电层形成可能集中有由累积热或其它情况引起的热膨胀应力的诸如凸起部等部分，能够提高半导体装置的可靠性。

公开(公告)号：CN101483162B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200910000776.2

申请日：2009-01-09

Applicant: 索尼株式会社 ,  株式会社藤仓

Inventor： 原田恵充 ,  铃木优美 ,  锅义博 ,  高冈裕二 ,  和田英之 ,  猿田正畅 ,  末益龙夫

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明涉及具有形成在半导体芯片中的通孔互连部的半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括半导体基板、绝缘层、过孔和通孔互连部。所述绝缘层形成在所述半导体基板上。所述过孔形成为穿过所述半导体基板和绝缘层。通过填充在所述半导体基板与形成在所述半导体基板上的绝缘层之间的边界上的凹入部，使形成在所述过孔的内表面上的绝缘层的表面基本平坦化。因此，由于能够防止导电层形成可能集中有由累积热或其它情况引起的热膨胀应力的诸如凸起部等部分，能够提高半导体装置的可靠性。

公开(公告)号：CN101373747B

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200810161861.2

申请日：2005-03-14

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 山本敏 ,  末益龙夫

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/522 ,  H01L27/146 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L2224/10

Abstract: 一种具有改进的电连接的装置，包括第一基板，其包括第一侧和第二侧；功能元件，其在第一基板的第一侧；垫，其电连接到功能元件；以及通孔互连，其被提供在从第一侧延伸通过第一基板到第二侧的孔中，所述通孔互连包括：第一导电材料，其被电连接到垫；以及导电区，其被沿着第一导电材料与第一基板之间的孔的内表面提供，并且包括由第二导电材料制成的第一层和由不同于第二导电材料的第三导电材料制成的第二层，其中，第二导电材料和第三导电材料不同于第一导电材料，第二层提供在孔的内表面上，并且第一层相邻于第一导电材料被提供而在第一导电材料和第一层之间没有任何插入层，以便覆盖第二层和限定孔的底部的垫。

公开(公告)号：CN101689534A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880024605.7

申请日：2008-01-18

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 平船纱耶佳 ,  末益龙夫

IPC: H01L23/02 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L23/10 ,  H01L31/0203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/16195 ,  H04N5/2253 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体封装体至少具备：机件，其在至少一个面上具备器件；壁部，其沿所述器件的外周以分离的方式设置；保护部件，其配置成在所述器件上方形成第一空间，且隔着所述壁部被所述机件支承，所述第一空间具备至少一个以上与外部空间连通的第二空间。

公开(公告)号：CN101373747A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810161861.2

申请日：2005-03-14

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 山本敏 ,  末益龙夫

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/522 ,  H01L27/146 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L2224/10

Abstract: 一种具有改进的电连接的装置，包括第一基板，其包括第一侧和第二侧；功能元件，其在所述第一基板的第一侧；垫，其电连接到所述功能元件；以及通孔互连，其被提供在从所述第一侧延伸通过第一基板到所述第二侧的孔中，所述通孔互连包括：第一导电材料，其被电连接到所述垫；以及导电区，其被沿着所述第一导电材料与所述第一基板之间的孔的内表面提供，并且包括由第二导电材料制成的第一层和由不同于所述第二导电材料的第三导电材料制成的第二层，其中，所述第二导电材料和所述第三导电材料不同于所述第一导电材料，并且其中，所述第二层提供在所述孔的内表面上，并且所述第一层被提供以便覆盖所述第二层和限定所述孔的底部的所述垫。

公开(公告)号：CN1671273A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510055503.X

申请日：2005-03-14

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 山本敏 ,  末益龙夫

IPC: H05K3/40 ,  H05K1/11 ,  H05K1/00 ,  H05K3/00

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/388 ,  H05K3/4038 ,  H05K2201/0394 ,  H05K2201/09572 ,  H01L2224/05599

Abstract: 一种具有改进的电连接的装置，包括第一基板，其包括第一侧和第二侧；功能元件，其在所述第一基板的第一侧；被电连接到所述功能元件的垫；以及通孔互连，其被提供在从第一侧延伸通过所述第一基板到第二侧的孔中，所述通孔互连包括第一导电材料并且被电连接到所述垫，以及导电区，其被沿所述孔的内表面的一部分提供，并且由与第一导电材料不同的第二导电材料制成。

公开(公告)号：CN1716579A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510080225.3

申请日：2005-06-28

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 冨田道和 ,  末益龙夫 ,  平船沙亚卡

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L31/0203 ,  H01L2224/94

Abstract: 一种半导体封装，包括：第一衬底，其包括：半导体基底材料，其具有第一侧面和第二侧面；功能元件，其提供在半导体基底材料的第一侧面上；第一导线；引脚，其通过第一导线与功能元件电连接；贯通孔互连，其与引脚电连接，并提供在从半导体基底材料的第一侧面穿透该半导体基底材料到其第二侧面所限定的孔中，所述的贯通孔互连包括第一绝缘膜和在第一绝缘膜上形成的第一导电材料；和密封材料，其提供来包围功能元件；第二衬底，其通过密封材料与第一衬底的第一侧面粘合。

公开(公告)号：CN100483693C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200510080225.3

申请日：2005-06-28

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 冨田道和 ,  末益龙夫 ,  平船沙亚卡

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L31/0203 ,  H01L2224/94

Abstract: 一种半导体封装，包括：第一衬底，其包括：半导体基底材料，其具有第一侧面和第二侧面；功能元件，其提供在半导体基底材料的第一侧面上；第一导线；引脚，其通过第一导线与功能元件电连接；贯通孔互连，其与引脚电连接，并提供在从半导体基底材料的第一侧面穿透该半导体基底材料到其第二侧面所限定的孔中，所述的贯通孔互连包括第一绝缘膜和在第一绝缘膜上形成的第一导电材料；和密封材料，其提供来包围功能元件；第二衬底，其通过密封材料与第一衬底的第一侧面粘合。

公开(公告)号：CN100470769C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200480024004.8

申请日：2004-08-25

Applicant: 株式会社藤仓 ,  奥林巴斯株式会社

Inventor： 山本敏 ,  末益龙夫 ,  平船优香 ,  矶川俊彦 ,  盐谷浩一 ,  松本一哉

IPC: H01L23/12

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体封装体具有：半导体元件，其在半导体基片的一个面设有电路元件；外部布线区，其设于上述半导体基片的另一个面；支撑基片，其配置于上述半导体基片的一个面；电极焊盘，其配置于上述半导体基片的一个面；以及贯通电极，其从上述电极焊盘到达上述半导体基片的另一个面。

公开(公告)号：CN1826432A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200480020892.6

申请日：2004-07-07

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 平船优香 ,  末益龙夫

IPC: C23C26/00

CPC classification number: C23C2/34 ,  C23C2/00 ,  H01L21/76898 ,  H05K3/4038 ,  H05K2203/0285 ,  H05K2203/128 ,  H05K2203/1527

Abstract: 一种金属填充方法，是通过将工件插入熔融金属中而将工件浸渍于熔融金属中，其后将工件从熔融金属中取出，从而在形成于工件上的微细孔中填充金属的金属填充方法，其特征是，在将工件插入熔融金属中时，使工件下面相对于熔融金属液面形成0.5°以上的倾斜地进行，在将工件从熔融金属中取出时，使工件上面相对于熔融金属液面形成0.5°以上而小于85°的倾斜地进行。可以防止在将工件插入熔融金属中时，或将工件从熔融金属中取出时，工件破裂的问题，另外，可以防止在将工件从熔融金属中取出后，金属残留于工件表面的问题。