公开(公告)号：CN100355016C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200410104615.5

申请日：2004-12-22

Applicant: 索尼株式会社 ,  三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 嵯峨幸一郎 ,  渡边广也 ,  东友之

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/311 ,  B81B5/00

CPC classification number: B81C1/00849 ,  B81C2201/117

Abstract: 通过包括下述步骤的方法：在基底上按序形成由氧化硅膜制造的牺牲层和结构层的膜沉积步骤；通过用处理流体蚀刻除去牺牲层，在基底与结构层之间形成空隙的空隙形成步骤，和清洗步骤，从而生产包括基底和经空隙在基底上形成的结构层的结构体，所述结构层充当微型可移动元件。通过使用含氟化合物、水溶性有机溶剂和水的超临界二氧化碳流体作为处理流体，采用小量处理流体，在短时间内除去牺牲层，且对结构体没有任何破坏。

公开(公告)号：CN1571122A

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN200410033070.3

申请日：2004-02-19

Applicant: 索尼株式会社 ,  三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 嵯峨幸一郎 ,  渡边广也 ,  东友之

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67057 ,  B08B7/0021 ,  H01L21/67034

Abstract: 公开了一种使用超临界流体清洗具有微细结构的衬底的简单和可靠的方法。首先，衬底放置于处理室后密闭处理室。当压力/温度控制装置调节压力和温度时，气态二氧化碳从供应源引入处理室，且通过调整压力和温度引起相变以直接转变成超临界二氧化碳。其次，从供应源添加预定量叔胺化合物。提供超临界二氧化碳直到排出阀开启和处理室内部完全替换为超临界二氧化碳。将衬底浸入超临界二氧化碳预定时间进行清洗工序以除去粘附于衬底的外来物。此后，停止供应叔胺化合物和仅提供超临界二氧化碳在衬底上执行漂洗工序。最后，停止供应二氧化碳，排出超临界二氧化碳，使处理室内部温度和压力下降导致处理室内部的二氧化碳气化和衬底被超临界干燥。

公开(公告)号：CN1649084A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200410104615.5

申请日：2004-12-22

Applicant: 索尼株式会社 ,  三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 嵯峨幸一郎 ,  渡边广也 ,  东友之

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/311 ,  B81B5/00

CPC classification number: B81C1/00849 ,  B81C2201/117

Abstract: 通过包括下述步骤的方法：在基底上按序形成由氧化硅膜制造的牺牲层和结构层的膜沉积步骤；通过用处理流体蚀刻除去牺牲层，在基底与结构层之间形成空隙的空隙形成步骤，和清洗步骤，从而生产包括基底和经空隙在基底上形成的结构层的结构体，所述结构层充当微型可移动元件。通过使用含氟化合物、水溶性有机溶剂和水的超临界二氧化碳流体作为处理流体，采用小量处理流体，在短时间内除去牺牲层，且对结构体没有任何破坏。

公开(公告)号：CN102683243A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210059156.8

申请日：2012-03-05

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 ,  大日本网屏制造株式会社

Inventor： 东友之 ,  山田健二 ,  荒木浩之 ,  安藤幸嗣

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  B08B3/08

CPC classification number: H01L21/67075 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67253

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，具有：第一处理室以及第二处理室；在所述第一处理室保持基板的第一基板保持单元；向所述第一基板保持单元所保持的基板供给含有蚀刻成分和增稠剂的药液的药液供给单元；在所述基板保持有所述药液的状态下，将该基板从所述第一处理室搬运到所述第二处理室的基板搬运单元；以及在所述第二处理室，对保持有所述药液的多张基板进行保持的第二基板保持单元。

公开(公告)号：CN102683243B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201210059156.8

申请日：2012-03-05

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 ,  斯克林集团公司

Inventor： 东友之 ,  山田健二 ,  荒木浩之 ,  安藤幸嗣

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  B08B3/08

CPC classification number: H01L21/67075 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67253

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，具有：第一处理室以及第二处理室；在所述第一处理室保持基板的第一基板保持单元；向所述第一基板保持单元所保持的基板供给含有蚀刻成分和增稠剂的药液的药液供给单元；在所述基板保持有所述药液的状态下，将该基板从所述第一处理室搬运到所述第二处理室的基板搬运单元；以及在所述第二处理室，对保持有所述药液的多张基板进行保持的第二基板保持单元。

公开(公告)号：CN101253605A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200680031456.8

申请日：2006-09-05

Applicant: 索尼公司 ,  三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 嵯峨幸一郎 ,  山田健二 ,  东友之 ,  村田裕史

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76883 ,  Y10S438/906

Abstract: 提供洗涤方法以及使用该洗涤方法的半导体装置的制备方法，该洗涤方法为除去基体表面上附着的金属化合物的洗涤方法，其特征在于，该方法包括对上述基体表面供给含有三烯丙基胺和三(3－氨丙基)胺中的至少一种的超临界二氧化碳流体并进行洗涤。对于构成导电层的导电材料，通过本发明的洗涤方法以及使用该洗涤方法的半导体装置的制备方法，可以有选择性地、高效地除去含有金属化合物的蚀刻残渣或研磨残渣。从而，导电层为配线时，可以防止因金属化合物的残留引起的配线的高电阻化的同时，防止因金属从金属化合物扩散到绝缘膜上引起的漏电流的增加。因此，可以提高配线可靠性，并且可以提高半导体装置的成品率。