公开(公告)号：CN101567336A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200910132143.7

申请日：2009-04-21

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 武田健 ,  安藤幸弘 ,  冈本正喜 ,  冈田雅幸 ,  泷本香织 ,  钉宫克尚 ,  木村忠之

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14812 ,  H01L27/14831

Abstract: 本发明提供了固态成像装置和电子装置的制造方法。固态成像装置的制造方法包括如下步骤：在具有多个感光部分的基板上经由栅极绝缘层形成转移电极并露出感光部分；在基板上形成平坦化绝缘层以覆盖形成在基板上的转移电极；在平坦化绝缘层中形成开口，使得转移电极的每一个在预定的位置处部分地从平坦化绝缘层露出；形成配线材料层，使得开口填充有配线材料层；在配线材料层上形成抗蚀剂层；曝光和显影抗蚀剂层，使得只有在覆盖开口的预定区域中的抗蚀剂层被保留；以及采用曝光和显影的抗蚀剂层来图案化配线材料层以形成通过开口连接到转移电极的连接配线。

公开(公告)号：CN100485882C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200710086371.6

申请日：2007-03-15

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 岛山努 ,  龟嶋隆季 ,  冈本正喜

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7682 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76835 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2221/1047

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置的制造方法，涉及用双层绝缘膜涂覆衬底的第一步骤和蚀刻所述绝缘膜的上层直到所述绝缘膜的下层的第二步骤，所述双层绝缘膜是具有无机材料的骨架结构的层叠结构。在制造半导体装置的该方法中，如此执行所述第一步骤使得所述骨架结构与碳氢化合物的孔形成材料结合，从而所述绝缘膜的一层包含比所述绝缘膜的另一层更多的碳。

公开(公告)号：CN101567336B

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200910132143.7

申请日：2009-04-21

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 武田健 ,  安藤幸弘 ,  冈本正喜 ,  冈田雅幸 ,  泷本香织 ,  钉宫克尚 ,  木村忠之

IPC: H01L27/148

CPC classification number: H01L27/14812 ,  H01L27/14831

Abstract: 本发明提供了固态成像装置和电子装置的制造方法。固态成像装置的制造方法包括如下步骤：在具有多个感光部分的基板上经由栅极绝缘层形成转移电极并露出感光部分；在基板上形成平坦化绝缘层以覆盖形成在基板上的转移电极；在平坦化绝缘层中形成开口，使得转移电极的每一个在预定的位置处部分地从平坦化绝缘层露出；形成配线材料层，使得开口填充有配线材料层；在配线材料层上形成抗蚀剂层；曝光和显影抗蚀剂层，使得只有在覆盖开口的预定区域中的抗蚀剂层被保留；以及采用曝光和显影的抗蚀剂层来图案化配线材料层以形成通过开口连接到转移电极的连接配线。

公开(公告)号：CN101038873A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710086371.6

申请日：2007-03-15

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 岛山努 ,  龟嶋隆季 ,  冈本正喜

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7682 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76835 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2221/1047

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置的制造方法，涉及用双层绝缘膜涂覆衬底的第一步骤和蚀刻所述绝缘膜的上层直到所述绝缘膜的下层的第二步骤，所述双层绝缘膜是具有无机材料的骨架结构的层叠结构。在制造半导体装置的该方法中，如此执行所述第一步骤使得所述骨架结构与碳氢化合物的孔形成材料结合，从而所述绝缘膜的一层包含比所述绝缘膜的另一层更多的碳。