公开(公告)号：CN101567336B

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200910132143.7

申请日：2009-04-21

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 武田健 ,  安藤幸弘 ,  冈本正喜 ,  冈田雅幸 ,  泷本香织 ,  钉宫克尚 ,  木村忠之

IPC: H01L27/148

CPC classification number: H01L27/14812 ,  H01L27/14831

Abstract: 本发明提供了固态成像装置和电子装置的制造方法。固态成像装置的制造方法包括如下步骤：在具有多个感光部分的基板上经由栅极绝缘层形成转移电极并露出感光部分；在基板上形成平坦化绝缘层以覆盖形成在基板上的转移电极；在平坦化绝缘层中形成开口，使得转移电极的每一个在预定的位置处部分地从平坦化绝缘层露出；形成配线材料层，使得开口填充有配线材料层；在配线材料层上形成抗蚀剂层；曝光和显影抗蚀剂层，使得只有在覆盖开口的预定区域中的抗蚀剂层被保留；以及采用曝光和显影的抗蚀剂层来图案化配线材料层以形成通过开口连接到转移电极的连接配线。

公开(公告)号：CN101752398A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910253963.1

申请日：2009-12-09

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 泷本香织 ,  冈田雅幸 ,  武田健

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/82 ,  H01L21/28 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14843 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14683

Abstract: 本发明涉及固态成像器件及其制造方法，公开了一种固态成像器件，包括：第一转移电极部分以及第二转移电极部分，所述第二转移电极部分的图案面积比率高于所述第一转移电极部分的图案面积比率。所述第一转移电极部分包括具有金属材料单层结构的多个第一转移电极。所述第二转移电极部分包括具有多晶硅或非晶硅单层结构的多个第二转移电极。

公开(公告)号：CN101567336A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200910132143.7

申请日：2009-04-21

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 武田健 ,  安藤幸弘 ,  冈本正喜 ,  冈田雅幸 ,  泷本香织 ,  钉宫克尚 ,  木村忠之

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14812 ,  H01L27/14831

Abstract: 本发明提供了固态成像装置和电子装置的制造方法。固态成像装置的制造方法包括如下步骤：在具有多个感光部分的基板上经由栅极绝缘层形成转移电极并露出感光部分；在基板上形成平坦化绝缘层以覆盖形成在基板上的转移电极；在平坦化绝缘层中形成开口，使得转移电极的每一个在预定的位置处部分地从平坦化绝缘层露出；形成配线材料层，使得开口填充有配线材料层；在配线材料层上形成抗蚀剂层；曝光和显影抗蚀剂层，使得只有在覆盖开口的预定区域中的抗蚀剂层被保留；以及采用曝光和显影的抗蚀剂层来图案化配线材料层以形成通过开口连接到转移电极的连接配线。