-
公开(公告)号：CN100474596C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200510129482.1
申请日：2005-12-09
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 武田健
IPC: H01L27/14 , H01L23/522 , H01L21/822 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14683
Abstract: 本发明公开了一种固态成像装置，包括：半导体衬底；设置在所述半导体衬底上或上方的一个或多个线路层间膜；以及，嵌入在所述线路层间膜中的一个或多个金属连线。所述一个或多个线路层间膜由防止所述金属连线扩散的扩散阻止材料构成。
-
公开(公告)号：CN101567336B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200910132143.7
申请日：2009-04-21
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/148
CPC classification number: H01L27/14812 , H01L27/14831
Abstract: 本发明提供了固态成像装置和电子装置的制造方法。固态成像装置的制造方法包括如下步骤：在具有多个感光部分的基板上经由栅极绝缘层形成转移电极并露出感光部分；在基板上形成平坦化绝缘层以覆盖形成在基板上的转移电极；在平坦化绝缘层中形成开口，使得转移电极的每一个在预定的位置处部分地从平坦化绝缘层露出；形成配线材料层，使得开口填充有配线材料层；在配线材料层上形成抗蚀剂层；曝光和显影抗蚀剂层，使得只有在覆盖开口的预定区域中的抗蚀剂层被保留；以及采用曝光和显影的抗蚀剂层来图案化配线材料层以形成通过开口连接到转移电极的连接配线。
-
公开(公告)号：CN101752398A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910253963.1
申请日：2009-12-09
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/82 , H01L21/28 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14843 , H01L27/14601 , H01L27/14623 , H01L27/14683
Abstract: 本发明涉及固态成像器件及其制造方法，公开了一种固态成像器件，包括：第一转移电极部分以及第二转移电极部分，所述第二转移电极部分的图案面积比率高于所述第一转移电极部分的图案面积比率。所述第一转移电极部分包括具有金属材料单层结构的多个第一转移电极。所述第二转移电极部分包括具有多晶硅或非晶硅单层结构的多个第二转移电极。
-
公开(公告)号：CN101729797B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200910179871.3
申请日：2009-10-16
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/148
CPC classification number: H01L27/14818 , H01L27/14623 , H01L27/14689 , H01L27/14843
Abstract: 本发明提供了一种固体摄像装置、照相机以及制造该固体摄像装置的方法。该固体摄像装置包括：多个光电转换单元，被构造成由在其光接收面上接收的光生成信号电荷，多个光电转换单元设置在基板的图像传感区域中；电荷读取单元，被构造成读取由光电转换单元生成的信号电荷，其电荷读出沟道区域设置在基板的图像传感区域中；转移寄存器单元，被构造成转移通过电荷读取单元从多个光电转换单元读取的信号电荷，其电荷转移沟道区域设置在基板的图像传感区域中；以及遮光单元，设置在基板的图像传感区域中，并且具有在对应于各个光电转换单元的光接收面的区域中形成的通过其传输光的开口。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101729797A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910179871.3
申请日：2009-10-16
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H04N5/335 , H04N3/15 , H04N5/225 , H01L27/146 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/14818 , H01L27/14623 , H01L27/14689 , H01L27/14843
Abstract: 本发明提供了一种固体摄像装置、照相机以及制造该固体摄像装置的方法。该固体摄像装置包括：多个光电转换单元，被构造成由在其光接收面上接收的光生成信号电荷，多个光电转换单元设置在基板的图像传感区域中；电荷读取单元，被构造成读取由光电转换单元生成的信号电荷，其电荷读出沟道区域设置在基板的图像传感区域中；转移寄存器单元，被构造成转移通过电荷读取单元从多个光电转换单元读取的信号电荷，其电荷转移沟道区域设置在基板的图像传感区域中；以及遮光单元，设置在基板的图像传感区域中，并且具有在对应于各个光电转换单元的光接收面的区域中形成的通过其传输光的开口。
-
公开(公告)号：CN1787221A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510129482.1
申请日：2005-12-09
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 武田健
IPC: H01L27/14 , H01L23/522 , H01L21/822 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14683
Abstract: 本发明公开了一种固态成像装置，包括：半导体衬底；设置在所述半导体衬底上或上方的一个或多个线路层间膜；以及，嵌入在所述线路层间膜中的一个或多个金属连线。所述一个或多个线路层间膜由防止所述金属连线扩散的扩散阻止材料构成。
-
公开(公告)号：CN101399282B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200810211485.3
申请日：2008-09-26
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 武田健
IPC: H01L27/148 , H01L23/522 , H01L21/822 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/14812
Abstract: 本发明中公开了固态图像拾取装置、固态图像拾取装置的制造方法以及图像拾取装置，其中，该固态图像拾取装置包括：多个光接收单元、转移沟道、第一转移电极、第二转移电极、第一配线、以及第二配线。通过本发明，可以减少水平方向上从倾斜角度入射至光接收单元上的光的遮挡，从而能够改善光接收单元的灵敏度。
-
公开(公告)号：CN101567336A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910132143.7
申请日：2009-04-21
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/82 , H01L21/768 , H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14812 , H01L27/14831
Abstract: 本发明提供了固态成像装置和电子装置的制造方法。固态成像装置的制造方法包括如下步骤：在具有多个感光部分的基板上经由栅极绝缘层形成转移电极并露出感光部分；在基板上形成平坦化绝缘层以覆盖形成在基板上的转移电极；在平坦化绝缘层中形成开口，使得转移电极的每一个在预定的位置处部分地从平坦化绝缘层露出；形成配线材料层，使得开口填充有配线材料层；在配线材料层上形成抗蚀剂层；曝光和显影抗蚀剂层，使得只有在覆盖开口的预定区域中的抗蚀剂层被保留；以及采用曝光和显影的抗蚀剂层来图案化配线材料层以形成通过开口连接到转移电极的连接配线。
-
公开(公告)号：CN101399282A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810211485.3
申请日：2008-09-26
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 武田健
IPC: H01L27/148 , H01L23/522 , H01L21/822 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/14812
Abstract: 本发明中公开了固态图像拾取装置、固态图像拾取装置的制造方法以及图像拾取装置，其中，该固态图像拾取装置包括：多个光接收单元、转移沟道、第一转移电极、第二转移电极、第一配线、以及第二配线。通过本发明，可以减少水平方向上从倾斜角度入射至光接收单元上的光的遮挡，从而能够改善光接收单元的灵敏度。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.025 seconds)
