公开(公告)号：CN101038873A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710086371.6

申请日：2007-03-15

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 岛山努 ,  龟嶋隆季 ,  冈本正喜

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7682 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76835 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2221/1047

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置的制造方法，涉及用双层绝缘膜涂覆衬底的第一步骤和蚀刻所述绝缘膜的上层直到所述绝缘膜的下层的第二步骤，所述双层绝缘膜是具有无机材料的骨架结构的层叠结构。在制造半导体装置的该方法中，如此执行所述第一步骤使得所述骨架结构与碳氢化合物的孔形成材料结合，从而所述绝缘膜的一层包含比所述绝缘膜的另一层更多的碳。

公开(公告)号：CN100485882C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200710086371.6

申请日：2007-03-15

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 岛山努 ,  龟嶋隆季 ,  冈本正喜

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7682 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76835 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2221/1047

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置的制造方法，涉及用双层绝缘膜涂覆衬底的第一步骤和蚀刻所述绝缘膜的上层直到所述绝缘膜的下层的第二步骤，所述双层绝缘膜是具有无机材料的骨架结构的层叠结构。在制造半导体装置的该方法中，如此执行所述第一步骤使得所述骨架结构与碳氢化合物的孔形成材料结合，从而所述绝缘膜的一层包含比所述绝缘膜的另一层更多的碳。