-
公开(公告)号：CN101261947A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810085510.8
申请日：2008-03-10
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 中村卓矢
IPC: H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/48 , H01L23/482 , H01L23/52
CPC classification number: C23C26/00 , H01L21/76898 , Y10T29/49155 , Y10T29/49165
Abstract: 本发明提供了制造电路板的方法和电路板。该方法包括：在半导体衬底中形成多个第一孔，每个第一孔朝着半导体衬底的前表面开口；用绝缘层填充多个第一孔的底侧；用第一导电层填充在底侧填充有绝缘层的第一孔；从后表面研磨半导体衬底，直到填充在多个第一孔中的相应绝缘层被暴露出来为止；以及在每个暴露的绝缘层中形成延伸到第一导电层的第二孔，并且通过用第二导电层填充每个第二孔来形成与第一导电层连接的第二导电层。
-
公开(公告)号：CN101197298A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710196755.3
申请日：2007-12-06
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L23/485
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/563 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/12 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05572 , H01L2224/11 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/26145 , H01L2224/26175 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/92125 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/15311 , H01L2924/19043 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，能缓和由半导体衬底与埋入导体层之间的热膨胀差而引起的影响，不需要高精度对准位置就能形成希望的过孔。本发明半导体装置的制造方法在半导体衬底(衬底本体)(21)的第一面(21A)侧设置元件形成层(30)，在与半导体衬底(21)第一面(21A)相对的第二面(21B)侧设置经由过孔而与元件形成层(30)电连接的外部连接端子(48)，该半导体装置的制造方法中，所述过孔经过下面的工序形成：在所述第一面(21A)形成相对半导体衬底(21)电绝缘的埋入导体层(27)的工序、在所述第二面(21B)形成与埋入导体层(27)连络的连络孔(40)(40A、40B)的工序、把埋入导体层(27)与连络孔(47)之间进行电连接的工序。
-
公开(公告)号：CN101261947B
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200810085510.8
申请日：2008-03-10
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 中村卓矢
IPC: H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/48 , H01L23/482 , H01L23/52
CPC classification number: C23C26/00 , H01L21/76898 , Y10T29/49155 , Y10T29/49165
Abstract: 本发明提供了制造电路板的方法和电路板。该方法包括：在半导体衬底中形成多个第一孔，每个第一孔朝着半导体衬底的前表面开口；用绝缘层填充多个第一孔的底侧；用第一导电层填充在底侧填充有绝缘层的第一孔；从后表面研磨半导体衬底，直到填充在多个第-孔中的相应绝缘层被暴露出来为止；以及在每个暴露的绝缘层中形成延伸到第一导电层的第二孔，并且通过用第二导电层填充每个第二孔来形成与第一导电层连接的第二导电层。
-
公开(公告)号：CN101197298B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200710196755.3
申请日：2007-12-06
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L23/485
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/563 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/12 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05572 , H01L2224/11 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/26145 , H01L2224/26175 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/92125 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/15311 , H01L2924/19043 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，能缓和由半导体衬底与埋入导体层之间的热膨胀差而引起的影响，不需要高精度对准位置就能形成希望的过孔。本发明半导体装置的制造方法在半导体衬底(衬底本体)(21)的第一面(21A)侧设置元件形成层(30)，在与半导体衬底(21)第一面(21A)相对的第二面(21B)侧设置经由过孔而与元件形成层(30)电连接的外部连接端子(48)，该半导体装置的制造方法中，所述过孔经过下面的工序形成：在所述第一面(21A)形成相对半导体衬底(21)电绝缘的埋入导体层(27)的工序、在所述第二面(21B)形成与埋入导体层(27)连络的连络孔(40)(40A、40B)的工序、把埋入导体层(27)与连络孔(47)之间进行电连接的工序。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.015 seconds)
