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公开(公告)号：CN102714393A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201180005910.3
申请日：2011-11-11
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01S5/0282 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/028 , H01S5/22 , H01S5/343
Abstract: 本发明涉及半导体激光器件和半导体激光器件制造方法。所述半导体激光器件能够可靠地抑制由于界面氧化和畸变出现而导致的端面劣化。所述半导体激光器件设置有具有相互面对的谐振器端面（108、109）的激光结构部（107），还设置有形成于所述相互面对的谐振器端面中的至少一者上的保护膜（110、120）。所述保护膜（110、120）是由具有多段结构的氮化物电介质膜形成的，所述多段结构的晶体结构从与所述谐振器端面相接触的那一侧起包含非晶层（111、121）和多晶层（112、122）。
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公开(公告)号：CN103022058A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110281336.6
申请日：2011-09-21
Applicant: 索尼公司 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L27/142 , H01L31/078 , H01L31/0352 , H01L31/036
CPC classification number: H01L31/0725 , H01L31/0687 , H01L31/06875 , H01L31/0735 , H01S5/0262 , H01S5/0425 , H01S5/18325 , H01S5/3095 , H01S5/4043 , Y02E10/544
Abstract: 本发明涉及多结太阳能电池、化合物半导体器件、光电转换元件和化合物半导体层叠层结构体。本发明提供一种多结太阳能电池，所述多结太阳能电池的接合部接触电阻降低，且可以进行高效率的能量转换。多结太阳能电池由多个子电池(11、12、13、14)叠层而成，所述子电池由多个化合物半导体层(11A、11B、11C、12A、12B、12C、13A、13B、13C、14A、14B、14C)叠层而成，在至少一个相邻接的子电池(12、13)之间设置有包含导电材料的非晶质连接层(20A、20B)。
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公开(公告)号：CN103022057A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110281329.6
申请日：2011-09-21
Applicant: 索尼公司 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L27/142 , H01L31/06 , H01L31/0352 , H01L31/036
CPC classification number: H01L31/0687 , H01L31/03046 , H01L31/0352 , H01L31/06875 , Y02E10/544
Abstract: 本发明涉及多结太阳能电池、光电转换元件和化合物半导体层叠层结构体。提供具备子电池的多结太阳能电池，该子电池基底与晶格匹配、具有期望的带隙。本发明多结太阳能电池是多个子电池(11)，(12)，(13)，(14)叠层而成，子电池由第1化合物半导体层和第2化合物半导体层叠层而成，至少一个特定子电池(11)由第1层(11A1，11A2)和第2层(11C)构成，第1层(11A1，11A2)由第1-A层(11AA)和第1-B层(11AB)叠层而成，第2层11C由第2-A层(11CA)和第2-B层(11CB)叠层而成，基于特定子电池11的带隙值确定第1-A层(11AA)和第2-A层(11CA)的组成-A，基于基底晶格常数和组成-A的晶格常数之差确定第1-B层(11AB)和第2-B层(11CB)的组成-B，基于基底晶格常数与组成-B的晶格常数之差、第1-A层(11AA)厚度和第2-A层(11CA)厚度确定第1-B层(11AB)和第2-B层(11CB)厚度。
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