公开(公告)号：CN1545733A

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN03800861.0

申请日：2003-03-28

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 泽崎立雄

IPC: H01L27/105 ,  H01B19/00

CPC classification number: C23C14/5813 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 一种强电介质膜的形成方法，对形成在基板(10)上的非晶质的氧化物膜(30)照射脉冲状的激光或灯光，形成氧化物的微结晶核(40)。然后，对具有微结晶核(40)的膜照射脉冲状的激光或灯光，使氧化物结晶化能够而形成强电介质(50)。

公开(公告)号：CN1545734A

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN03800862.9

申请日：2003-03-28

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 泽崎立雄

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/316 ,  C01G25/00 ,  C01G35/00

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 一种强电介质膜的形成方法，对形成在基板(10)上的非晶质的氧化物膜(30)照射脉冲状的激光或灯光，形成氧化物的微结晶核(40)。然后，在含有微结晶核(40)的氧化物膜上形成光透过/吸收膜(22)。再从光透过/吸收膜(22)的上部照射脉冲状的激光或灯光，使氧化物结晶化，形成强电介质(50)。

公开(公告)号：CN100383924C

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN03818766.3

申请日：2003-08-13

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 泽崎立雄 ,  名取荣治 ,  古林智一 ,  滨田泰彰

IPC: H01L21/26 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507

Abstract: 本发明提供一种强电介质存储器的制造方法，在基板(10)上至少形成了强电介质电容器(105)的状态下，从强电介质电容器(105)的上方照射脉冲状的激光(70)。

公开(公告)号：CN1675747A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN03818766.3

申请日：2003-08-13

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 泽崎立雄 ,  名取荣治 ,  古林智一 ,  滨田泰彰

IPC: H01L21/26 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507

Abstract: 本发明提供一种强电介质存储器的制造方法，在基板(10)上至少形成了强电介质电容器(105)的状态下，从强电介质电容器(105)的上方照射脉冲状的激光(70)。