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公开(公告)号：CN101300320B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200580051984.5
申请日：2005-12-27
IPC: C09K3/14
CPC classification number: H01L21/3212 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 本发明公开了一种用于对多晶硅膜进行抛光的化学机械抛光(CMP)浆料组合物以及制备该浆料的方法。所述CMP浆料组合物含有在超纯水中的金属氧化物研磨颗粒和添加剂的混合物，所述添加剂包括非离子氟类表面活性剂和季铵碱。所述CMP浆料能够提供优异的晶片内不均匀性和较高的选择性，并且解决凹陷问题。
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公开(公告)号：CN101300320A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200580051984.5
申请日：2005-12-27
IPC: C09K3/14
CPC classification number: H01L21/3212 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 本发明公开了一种用于对多晶硅膜进行抛光的化学机械抛光(CMP)浆料组合物以及制备该浆料的方法。所述CMP浆料组合物含有在超纯水中的金属氧化物研磨颗粒和添加剂的混合物，所述添加剂包括非离子氟类表面活性剂和季铵碱。所述CMP浆料能够提供优异的晶片内不均匀性和较高的选择性，并且解决凹陷问题。
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公开(公告)号：CN100490082C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN03825534.0
申请日：2003-07-30
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/30625 , C09G1/02
Abstract: 公开了一种用于硅晶片二次抛光的淤浆组合物，它含有2～10wt%平均颗粒直径为30～80nm的胶态二氧化硅、0.5～1.5wt%的氨、0.2～1wt%的水合烷基纤维素基聚合物用于调节组合物的流变、0.03～0.5wt%的聚氧乙烯烷基胺醚基非离子表面活性剂、0.01～1wt%的季铵碱和余量为去离子水。
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公开(公告)号：CN101333420A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810085567.8
申请日：2008-03-19
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09G1/18 , C09G1/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供了一种用于对相变存储设备进行化学机械抛光(CMP)的浆料组合物。该组合物含有去离子水；含氮化合物；和选择性含有的研磨颗粒、氧化剂、或研磨颗粒和氧化剂的组合。该浆料组合物可以实现对相变存储设备的高抛光速率，并提高在相变存储材料和抛光阻挡层(如氧化硅膜)间的抛光选择性，能够使加工瑕疵(如凹陷和侵蚀)的出现最小化，从而提供高质量的抛光表面。本发明还提供了一种使用该浆料组合物对相变存储设备进行抛光的方法。
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公开(公告)号：CN101191036B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200710145660.9
申请日：2007-09-10
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/31053
Abstract: 公开了一种用于化学机械抛光的淤浆组合物及其前体组合物。该抛光淤浆组合物含有磨料颗粒、pH值调节剂、表面活性剂和去离子水，其中，所述表面活性剂包括两个或更多个离子部分和两个或更多个亲脂基团。该组合物对具有阶梯高度的半导体的凸面进行抛光的抛光速率高于作为半导体抛光停止层的凹面的抛光速率，从而使抛光可以自动停止，以减少抛光过程后表面缺陷的产生，并且具有高度的抛光平面化和优良的分散稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101535441B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN200680056303.9
申请日：2006-11-29
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供了化学机械抛光(CMP)浆料及其制造方法。本发明实施方式包括CMP浆料，该浆料包括：(a)金属氧化物；(b)pH调节剂；(c)氟化表面活性剂；和(d)季铵表面活性剂。在某些实施方式中，氟化表面活性剂是非离子型全氟烷基磺酰化合物。本发明还提供了抛光多晶硅表面的方法，包括向多晶硅表面提供根据本发明一个实施方式的浆料组合物，并实施CMP工艺从而抛光多晶硅表面。
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公开(公告)号：CN101768412B
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN200910215848.5
申请日：2009-12-30
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: H01L21/304 , C09G1/02 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/7684
Abstract: 本发明提供了一种用于制造铜互连的阻挡层抛光的CMP浆料组合物、使用该组合物的抛光方法以及包括通过该方法制造的铜互连的半导体器件。该组合物包括磨料颗粒、铜表面保护剂、铜缓蚀剂、氧化剂和pH调节剂，其中，磨料颗粒是具有约0.6或更小的平均一次粒径与平均二次粒径的比率的非球形胶体氧化硅，而所述铜表面保护剂是羧基官能化的水溶性聚合物。
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公开(公告)号：CN101535441A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200680056303.9
申请日：2006-11-29
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 本文提供了化学机械抛光(CMP)浆料及其制造方法。本发明实施方式包括CMP浆料，该浆料包括：(a)金属氧化物；(b)pH调节剂；(c)氟化表面活性剂；和(d)季铵表面活性剂。在某些实施方式中，氟化表面活性剂是非离子型全氟烷基磺酰化合物。本文还提供了抛光多晶硅表面的方法，包括向多晶硅表面提供根据本发明一个实施方式的浆料组合物，并实施CMP工艺从而抛光多晶硅表面。
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公开(公告)号：CN101821354B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN200880111053.3
申请日：2008-01-21
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C23F3/06 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供了一种用于金属的化学机械抛光(CMP)的浆料组合物。该浆料组合物包括其平均分子量为从约600,000至约1,300,000并且其单体为丙烯酸和丙烯酰胺以约1∶30至约30∶1的摩尔比的共聚物。该浆料组合物呈现出非普列斯东行为以达到最小化的凹陷并获得高的平坦化程度。
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公开(公告)号：CN101333420B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN200810085567.8
申请日：2008-03-19
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: H01L21/304 , C09G1/18 , C09G1/02
Abstract: 本发明提供了一种用于对相变存储设备进行化学机械抛光(CMP)的浆料组合物。该组合物含有去离子水；含氮化合物；和选择性含有的研磨颗粒、氧化剂、或研磨颗粒和氧化剂的组合。该浆料组合物可以实现对相变存储设备的高抛光速率，并提高在相变存储材料和抛光阻挡层(如氧化硅膜)间的抛光选择性，能够使加工瑕疵(如凹陷和侵蚀)的出现最小化，从而提供高质量的抛光表面。本发明还提供了一种使用该浆料组合物对相变存储设备进行抛光的方法。
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