公开(公告)号：CN101535441A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200680056303.9

申请日：2006-11-29

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 郑载薰 ,  李仁庆

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 本文提供了化学机械抛光(CMP)浆料及其制造方法。本发明实施方式包括CMP浆料，该浆料包括：(a)金属氧化物；(b)pH调节剂；(c)氟化表面活性剂；和(d)季铵表面活性剂。在某些实施方式中，氟化表面活性剂是非离子型全氟烷基磺酰化合物。本文还提供了抛光多晶硅表面的方法，包括向多晶硅表面提供根据本发明一个实施方式的浆料组合物，并实施CMP工艺从而抛光多晶硅表面。

公开(公告)号：CN101300320A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200580051984.5

申请日：2005-12-27

Applicant: 第一毛织株式会社 ,  三星电子株式会社

Inventor： 郑载薰 ,  李仁庆 ,  崔源永 ,  李泰永 ,  梁智喆

IPC: C09K3/14

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明公开了一种用于对多晶硅膜进行抛光的化学机械抛光(CMP)浆料组合物以及制备该浆料的方法。所述CMP浆料组合物含有在超纯水中的金属氧化物研磨颗粒和添加剂的混合物，所述添加剂包括非离子氟类表面活性剂和季铵碱。所述CMP浆料能够提供优异的晶片内不均匀性和较高的选择性，并且解决凹陷问题。

公开(公告)号：CN101300320B

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200580051984.5

申请日：2005-12-27

Applicant: 第一毛织株式会社 ,  三星电子株式会社

Inventor： 郑载薰 ,  李仁庆 ,  崔源永 ,  李泰永 ,  梁智喆

IPC: C09K3/14

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明公开了一种用于对多晶硅膜进行抛光的化学机械抛光(CMP)浆料组合物以及制备该浆料的方法。所述CMP浆料组合物含有在超纯水中的金属氧化物研磨颗粒和添加剂的混合物，所述添加剂包括非离子氟类表面活性剂和季铵碱。所述CMP浆料能够提供优异的晶片内不均匀性和较高的选择性，并且解决凹陷问题。

公开(公告)号：CN101535441B

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN200680056303.9

申请日：2006-11-29

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 郑载薰 ,  李仁庆

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供了化学机械抛光(CMP)浆料及其制造方法。本发明实施方式包括CMP浆料，该浆料包括：(a)金属氧化物；(b)pH调节剂；(c)氟化表面活性剂；和(d)季铵表面活性剂。在某些实施方式中，氟化表面活性剂是非离子型全氟烷基磺酰化合物。本发明还提供了抛光多晶硅表面的方法，包括向多晶硅表面提供根据本发明一个实施方式的浆料组合物，并实施CMP工艺从而抛光多晶硅表面。