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公开(公告)号：CN101300320A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200580051984.5
申请日：2005-12-27
IPC: C09K3/14
CPC classification number: H01L21/3212 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 本发明公开了一种用于对多晶硅膜进行抛光的化学机械抛光(CMP)浆料组合物以及制备该浆料的方法。所述CMP浆料组合物含有在超纯水中的金属氧化物研磨颗粒和添加剂的混合物，所述添加剂包括非离子氟类表面活性剂和季铵碱。所述CMP浆料能够提供优异的晶片内不均匀性和较高的选择性，并且解决凹陷问题。
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公开(公告)号：CN101300320B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200580051984.5
申请日：2005-12-27
IPC: C09K3/14
CPC classification number: H01L21/3212 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 本发明公开了一种用于对多晶硅膜进行抛光的化学机械抛光(CMP)浆料组合物以及制备该浆料的方法。所述CMP浆料组合物含有在超纯水中的金属氧化物研磨颗粒和添加剂的混合物，所述添加剂包括非离子氟类表面活性剂和季铵碱。所述CMP浆料能够提供优异的晶片内不均匀性和较高的选择性，并且解决凹陷问题。
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公开(公告)号：CN101768412B
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN200910215848.5
申请日：2009-12-30
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: H01L21/304 , C09G1/02 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/7684
Abstract: 本发明提供了一种用于制造铜互连的阻挡层抛光的CMP浆料组合物、使用该组合物的抛光方法以及包括通过该方法制造的铜互连的半导体器件。该组合物包括磨料颗粒、铜表面保护剂、铜缓蚀剂、氧化剂和pH调节剂，其中，磨料颗粒是具有约0.6或更小的平均一次粒径与平均二次粒径的比率的非球形胶体氧化硅，而所述铜表面保护剂是羧基官能化的水溶性聚合物。
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公开(公告)号：CN101333420A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810085567.8
申请日：2008-03-19
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09G1/18 , C09G1/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供了一种用于对相变存储设备进行化学机械抛光(CMP)的浆料组合物。该组合物含有去离子水；含氮化合物；和选择性含有的研磨颗粒、氧化剂、或研磨颗粒和氧化剂的组合。该浆料组合物可以实现对相变存储设备的高抛光速率，并提高在相变存储材料和抛光阻挡层(如氧化硅膜)间的抛光选择性，能够使加工瑕疵(如凹陷和侵蚀)的出现最小化，从而提供高质量的抛光表面。本发明还提供了一种使用该浆料组合物对相变存储设备进行抛光的方法。
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公开(公告)号：CN101333421B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200810085569.7
申请日：2008-03-19
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: H01L21/304 , C09G1/18 , B24B29/00
CPC classification number: C09G1/04 , H01L45/06 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供了一种用于对相变存储设备进行化学机械抛光的浆料组合物，该浆料组合物含有去离子水、和铁或铁化合物。该浆料组合物可以实现对相变存储设备的高抛光速率，并提高在相变存储材料和抛光阻挡层(如氧化硅膜)间的抛光选择性，能够使加工瑕疵(如凹陷和侵蚀)的出现最小化，而且能够降低相变存储材料的蚀刻速率，从而提供高质量的抛光表面。本发明还提供了一种使用该浆料组合物对相变存储设备进行抛光的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101821354A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200880111053.3
申请日：2008-01-21
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C23F3/06 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供了一种用于金属的化学机械抛光(CMP)的浆料组合物。该浆料组合物包括其平均分子量为从约600,000至约1,300,000并且其单体为丙烯酸和丙烯酰胺以约1∶30至约30∶1的摩尔比的共聚物。该浆料组合物呈现出非普列斯东行为以达到最小化的凹陷并获得高的平坦化程度。
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公开(公告)号：CN101333421A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810085569.7
申请日：2008-03-19
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09G1/18 , B24B29/00 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/04 , H01L45/06 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供了一种用于对相变存储设备进行化学机械抛光的浆料组合物，该浆料组合物含有去离子水、和铁或铁化合物。该浆料组合物可以实现对相变存储设备的高抛光速率，并提高在相变存储材料和抛光阻挡层(如氧化硅膜)间的抛光选择性，能够使加工瑕疵(如凹陷和侵蚀)的出现最小化，而且能够降低相变存储材料的蚀刻速率，从而提供高质量的抛光表面。本发明还提供了一种使用该浆料组合物对相变存储设备进行抛光的方法。
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公开(公告)号：CN101821354B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN200880111053.3
申请日：2008-01-21
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C23F3/06 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供了一种用于金属的化学机械抛光(CMP)的浆料组合物。该浆料组合物包括其平均分子量为从约600,000至约1,300,000并且其单体为丙烯酸和丙烯酰胺以约1∶30至约30∶1的摩尔比的共聚物。该浆料组合物呈现出非普列斯东行为以达到最小化的凹陷并获得高的平坦化程度。
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公开(公告)号：CN101333420B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN200810085567.8
申请日：2008-03-19
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: H01L21/304 , C09G1/18 , C09G1/02
Abstract: 本发明提供了一种用于对相变存储设备进行化学机械抛光(CMP)的浆料组合物。该组合物含有去离子水；含氮化合物；和选择性含有的研磨颗粒、氧化剂、或研磨颗粒和氧化剂的组合。该浆料组合物可以实现对相变存储设备的高抛光速率，并提高在相变存储材料和抛光阻挡层(如氧化硅膜)间的抛光选择性，能够使加工瑕疵(如凹陷和侵蚀)的出现最小化，从而提供高质量的抛光表面。本发明还提供了一种使用该浆料组合物对相变存储设备进行抛光的方法。
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公开(公告)号：CN101768412A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910215848.5
申请日：2009-12-30
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/7684
Abstract: 本发明提供了一种用于制造铜互连的阻挡层抛光的CMP浆料组合物、使用该组合物的抛光方法以及包括通过该方法制造的铜互连的半导体器件。该组合物包括磨料颗粒、铜表面保护剂、铜缓蚀剂、氧化剂和pH调节剂，其中，磨料颗粒是具有约0.6或更小的平均一次粒径与平均二次粒径的比率的非球形胶体氧化硅，而所述铜表面保护剂是羧基官能化的水溶性聚合物。
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