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公开(公告)号：CN111599673A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010493068.3
申请日：2020-06-03
Applicant: 福建阿石创新材料股份有限公司
IPC: H01L21/304 , B24B37/04 , B24B37/11
Abstract: 本发明提供了一种钼晶圆片的磨抛方法，属于磨抛技术领域。本发明的磨抛方法包括以下步骤：将工装安装到双面研磨装置中，并将待磨抛钼晶圆片置于工装的装夹孔内，采用双面研磨装置对待磨抛钼晶圆片进行双面磨抛；所述工装的厚度小于钼晶圆片的目标厚度。本发明通过控制工装的厚度小于钼晶圆片的目标厚度，能够减少磨抛过程中研磨垫对装夹有钼晶圆片的工装的挤压，从而避免工装变形导致的钼晶圆片加工质量较差的问题。实施例的结果表明，采用本发明的方法磨抛后，得到的钼晶圆片具有高的平整度和低的粗糙度，且无变形情况出现。
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公开(公告)号：CN118007080A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410199489.3
申请日：2024-02-23
Applicant: 福建阿石创新材料股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种复合强化的银合金靶材及其制备方法和应用，属于银合金靶材技术领域。本发明通过在银靶材中添加入微量的标准电位较银低的锌、锗、铜和锰元素来改善银靶材的耐蚀性能；并且，锌、锗、铜和锰在银中固溶，具有提高晶粒的强度，可以细化晶粒，避免镀膜表面粗糙产生快速腐蚀而导致的反射率、耐蚀性和耐热性下降的不良后果。实施例结果显示，本发明提供的复合强化的银合金靶材制备的薄膜的晶粒尺寸较小，能够达到39μm；抗氧化性测试能够达到40min，具有较高的抗氧化性；耐热性和耐蚀性测试结果表明具有优异的耐热性和耐蚀性；反射率能够达到96.2%。
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公开(公告)号：CN116713548A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310882360.8
申请日：2023-07-18
Applicant: 福建阿石创新材料股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种银靶材的绑定方法，涉及功能材料制备技术领域。本发明在银靶材与铟、锡、锌锡合金焊料之间增加过渡镍合金薄膜，通过镍合金薄膜的防护作用，阻止了铟、锡以及锌锡合金焊料与纯银靶材的接触和固溶侵蚀，然后再执行正常钎焊工艺，解决了纯银靶材钎焊焊接的问题，可保证焊接结合率和焊接强度达到预期要求。实施例的结果表明，经绑定后，所获得银靶材界面无侵蚀、结合强度高，焊接结合率大于95％，焊接强度大于6MPa。本发明在制造成本、产品性能、规模化生产和环境保护等方面都展现出显著的竞争优势。
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公开(公告)号：CN116676575A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310799763.6
申请日：2023-07-03
Applicant: 福建阿石创新材料股份有限公司 , 福建理工大学
Abstract: 本发明提供了一种靶材的修复方法，包括如下步骤：在待修复靶材的修复区的沟槽内浇铸与靶材成分相同的合金熔体，得到一次修复靶材；对所述一次修复靶材的修复区进行摩擦处理，得到摩擦处理的靶材；对所述摩擦处理的靶材进行去应力退火处理，得到修复的靶材。本发明采用浇铸法，利用与待修复靶材成分相同的合金熔体进行修复，能够保证修复区与原靶材的界面为焊接态的冶金结合，不会出现脱层等现象，能够实现废弃靶材的反复使用，大幅度提高了靶材的利用率；为了消除浇铸修复区的缺陷，细化其晶粒，对修复区进行摩擦处理，并随后进行去应力退火，有效解决了靶材修复区晶粒粗大的问题，保证了溅射靶材的均匀性。
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公开(公告)号：CN117961009A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410317410.2
申请日：2024-03-20
Applicant: 福建阿石创新材料股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种超高纯铜锭的制备方法，属于超高纯铜熔炼与铸造领域。本发明还提供了一种超高纯铜锭的制备方法，包括以下步骤：将超高纯电解铜放入容器后进行真空熔炼，在所述容器中获得铜熔体；将盛有所述铜熔体的容器从真空熔炼区域以1～20mm/min的速度匀速拉出进行定向凝固，得到所述超高纯铜锭；所述容器的纯度≥5N5，超高纯铜锭的纯度≥7N。真空熔炼使超高纯电解铜中低沸点金属挥发和杂质分解与排出，提高了纯度。定向凝固为熔体凝固定向结晶的过程，而定向结晶利于提高铸锭纯度；采用熔炼‑拉出进行定向凝固的方式避免了熔体的倾倒，提高了成材率；并且本发明通过控制拉出速度避免了铸锭缩孔缩松的现象，提高了成材率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117817092A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410199952.4
申请日：2024-02-23
Applicant: 福建阿石创新材料股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种金属靶材的焊接方法，属于半导体靶材技术领域。本发明提供了一种金属靶材的焊接方法，包括以下步骤：将背板的焊接面加工成齿形，然后在所述齿形的表面镀焊接材料，得到镀焊接材料的背板；将金属靶材与所述镀焊接材料的背板的焊接面进行爆炸焊接。本发明在背板的焊接面增加齿形设计，然后镀焊接材料能够提高焊接强度；采用爆炸焊接的方法对金属靶材进行快速焊接，能够提高焊接强度，焊接界面均匀一致，界面无过度熔化和分层以及不结合的问题，焊接后靶材晶粒没有明显长大。实验结果表明，本申请提供的焊接方法焊合强度≥80MPa，焊接界面均匀一致，界面无过度熔化和分层以及不结合的问题，焊接后靶材晶粒没有明显长大。
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公开(公告)号：CN113444914A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110813070.9
申请日：2021-07-19
Applicant: 福建阿石创新材料股份有限公司
IPC: C22C5/06 , C22C1/02 , C22F1/14 , C21D8/00 , C22C5/08 , C23C14/08 , C23C14/18 , C23C14/34 , H01L51/52
Abstract: 本发明属于OLED技术领域，具体涉及一种银基合金及其制备方法、银合金复合薄膜及其应用。本发明提供的银基合金，包括银和掺杂元素，所述掺杂元素占银基合金的质量百分含量为0.01～0.8％，所述掺杂元素包括锌。本发明的银基合金既有银优异的导电性、导热性，又有锌的抗腐蚀性能，使银基合金在高温条件下具有较高的耐蚀性，保证银基合金在高温条件下减少岛状结构的形成，仍具有极高的反射率。本发明提供的银合金复合薄膜，包括银基合金薄膜层和覆盖于银基合金薄膜两侧的氧化铟锡薄膜层。银合金复合薄膜在具有较高功函数的同时在较高温度下具有较高的反射率；将所述银合金复合薄膜作为OLED中的阳极能够提高OLED的发光效率。
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公开(公告)号：CN117512511A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311633735.3
申请日：2023-12-01
Applicant: 福州大学 , 福建阿石创新材料股份有限公司 , 常州苏晶电子材料有限公司 , 福建兆元光电有限公司
Abstract: 本发明公开了一种在难熔金属基底上生长AlN缓冲层的方法，常见的五种难熔金属有W、Mo、Nb、Ta、Re，这里以纯金属Mo为例。以金属Mo做基底，运用射频溅射技术，生长AlN缓冲层。此种方法具有以下优点：Mo具有优异的导电性、导热性和化学稳定性，做基底可使得制造的器件更加稳定可靠；成本低、易剥离、易清洗；射频溅射技术工艺简单，易操作等。旨在提供一种简单有效的方法，用于高质量的AlN缓冲层生长。
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公开(公告)号：CN117431430A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202210817180.7
申请日：2022-07-12
Applicant: 华为技术有限公司 , 福建阿石创新材料股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种银合金及其制备方法、导电薄膜和显示器件。该银合金包括银以及第一掺杂物质和第二掺杂物质，第一掺杂物质选自钌、钯、锡、锂、钠、钾、铷、铯、钫、镁、钙、锶、钡、镭、镉、铝、镓、锑、硒、碲、钋、砹、镧、铈、镨、钕、钷和钐中的至少一种，第二掺杂物质为锌；其中，以原子数百分比计，第一掺杂物质的含量为0.01％～1.3％，第二掺杂物质的含量为0.01％～1.3％，且第一掺杂物质和第二掺杂物质的总含量为0.02％～1.6％。利用该银合金用作显示器件的电极，具有良好的可靠性，同时在蓝光波段具有较高的反射率。
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公开(公告)号：CN116770240A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310793789.X
申请日：2023-06-30
Applicant: 福建阿石创新材料股份有限公司 , 福建理工大学
Abstract: 本发明提供了一种大尺寸银合金镶嵌靶材及其制备方法，属于溅射靶材技术领域。本发明提供的大尺寸银合金镶嵌靶材的制备方法，采用纯银靶加合金钉镶嵌的设计可以将合金钉与银靶冶金结合，结合面无缝隙空洞，导热导电性好，镶嵌处理得到的靶材结合紧密，溅射效率高、性能稳定、品质优良；利用旋转摩擦发热的原理将钉子放入靶槽中，使其熔化焊接在一起，解决了因靶钉与靶之间存在缝隙而引起的异常放电问题，操作简单，手持式钻头即可实现；且本发明的制备方法可以采用不同元素的合金钉在靶面上优化分布，实现多元合金靶。
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