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公开(公告)号：CN115765628A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211514512.0
申请日：2022-11-29
Applicant: 福建金石能源有限公司
Abstract: 本发明涉及一种真空镀膜的测试方法，它包括如下步骤，A、选取硅片作为衬底；B、对硅片的测试面进行化学抛光；C、在硅片的测试面上形成衬底膜层；D、将硅片送入待测设备中，在衬底膜层上形成待测膜层；E、使用椭偏仪，录入硅片和衬底膜层的信息，以进行膜层测试并拟合计算测试结果；所述衬底膜层最外层的折射率与待测膜层的折射率的差值大于0.5。本发明的目的在于提供一种真空镀膜测试用衬底以及真空镀膜的测试方法，尺寸、材质同实际生产用硅片相当，提高实验监测的准确性，解决使用抛光晶圆衬底成本高、消耗大的问题。
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公开(公告)号：CN118039745A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410431327.8
申请日：2024-04-11
Applicant: 福建金石能源有限公司
IPC: H01L31/20 , H01L31/0216 , H01L31/0747 , C23C16/34 , C23C16/50 , C23C16/52
Abstract: 本发明属于背接触电池制备技术领域，具体涉及一种背接触电池的制作方法，减反层中的氮化硅采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成且条件包括：沉积采用的两个电极板之间的间距L为15‑50mm，通入硅烷、氨气、氮气且流量比为1:（0.1‑30）:（20‑100），L与腔室压力P为1:（2.0‑23.3），沉积的功率密度为0.6‑2.8kW/m2；沉积温度为200‑300℃，且沉积温度与沉积时间的比为1:（0.3‑1.5）。本发明能够实现减反层中的氮化硅在低温的情况下均匀的生长，且能有效地避免正背面非晶硅或微晶膜层受到损伤，保持较高的钝化水平，从而有利于提高背接触电池的性能，且具有广泛的适用性。
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公开(公告)号：CN117673201A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311648643.2
申请日：2023-12-01
Applicant: 福建金石能源有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224
Abstract: 本发明涉及一种带有P型隧穿结构的异质结太阳能电池的制备方法，它包括如下步骤，步骤A，准备正面形成N型异质结膜层、背面形成P型隧穿结构膜层的太阳能电池片；步骤B，在太阳能电池片的背面形成氧化铝膜层；步骤C，对氧化铝膜层进行局部激光开口处理，形成P型隧穿结构膜层与背面透明导电膜层的电接触槽；步骤D，在太阳能电池片的正面形成正面透明导电膜层，在太阳能电池片的背面形成背面透明导电膜层。本发明的目的在于提供一种带有P型隧穿结构的异质结太阳能电池的制备方法，可以改善载流子在电池背面传输引起的电学功率损失，能够提高电池效率，具有较高的可执行性和量产性。
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公开(公告)号：CN113707764B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202110992690.3
申请日：2021-08-27
Applicant: 福建金石能源有限公司
Abstract: 本发明涉及一种采用倒金字塔绒面的太阳能电池的制造方法，它包括如下步骤，步骤A，对半导体基板进行倒金字塔制绒；步骤B，对经步骤A处理的半导体基板进行表面钝化。本发明的目的在于提供一种采用倒金字塔绒面的太阳能电池的制造方法，其有别于传统倒金字塔绒面制备方法，提高了制绒效果。
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公开(公告)号：CN116759473A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202311035008.7
申请日：2023-08-17
Applicant: 福建金石能源有限公司
IPC: H01L31/0236 , H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/054 , H01L31/056 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种减少背面寄生吸收的背接触电池及其制备方法，背接触电池包括具有正面和背面的硅片，在硅片背面设置的第一半导体层，所述硅片的背面为倒金字塔绒面结构，所述第一半导体层包括隧穿氧化层和第一掺杂多晶硅层，所述倒金字塔绒面结构具有交替布置的平面和向硅片内凹陷的凹坑，第一掺杂多晶硅层包括多晶硅内层、多晶硅中层和多晶硅外层，所述多晶硅内层、多晶硅中层和多晶硅外层中均掺杂磷且还掺杂碳和/或氧，多晶硅内层、多晶硅中层和多晶硅外层中掺氧量逐渐递减、掺碳量和掺磷量逐渐递增。本发明能够在保证钝化性能、保证导电性的同时减少背面的寄生吸收，有利于提高短路电流密度和电池转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118156362A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311648458.3
申请日：2023-12-01
Applicant: 福建金石能源有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224
Abstract: 本发明涉及一种带有P型隧穿结构的异质结太阳能电池的制造方法，它包括如下步骤，步骤A，准备正面形成N型异质结膜层、背面形成P型隧穿结构膜层的太阳能电池片；步骤B，在太阳能电池片的正面形成正面透明导电膜层，在太阳能电池片的背面形成背面透明导电膜层；步骤C，对太阳能电池片背面待覆盖背面电极的区域进行激光处理，使该区域的背面透明导电膜层的晶化率得到提高；步骤D，在太阳能电池片的正面形成正面电极，在太阳能电池片的背面形成背面电极。本发明的目的在于提供一种带有P型隧穿结构的异质结太阳能电池的制造方法，可以改善载流子在电池背面传输引起的电学功率损失，能够提高电池效率，具有较高的可执行性和量产性。
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公开(公告)号：CN116759473B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311035008.7
申请日：2023-08-17
Applicant: 福建金石能源有限公司
IPC: H01L31/0236 , H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/054 , H01L31/056 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种减少背面寄生吸收的背接触电池及其制备方法，背接触电池包括具有正面和背面的硅片，在硅片背面设置的第一半导体层，所述硅片的背面为倒金字塔绒面结构，所述第一半导体层包括隧穿氧化层和第一掺杂多晶硅层，所述倒金字塔绒面结构具有交替布置的平面和向硅片内凹陷的凹坑，第一掺杂多晶硅层包括多晶硅内层、多晶硅中层和多晶硅外层，所述多晶硅内层、多晶硅中层和多晶硅外层中均掺杂磷且还掺杂碳和/或氧，多晶硅内层、多晶硅中层和多晶硅外层中掺氧量逐渐递减、掺碳量和掺磷量逐渐递增。本发明能够在保证钝化性能、保证导电性的同时减少背面的寄生吸收，有利于提高短路电流密度和电池转换效率。
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公开(公告)号：CN113707764A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110992690.3
申请日：2021-08-27
Applicant: 福建金石能源有限公司
Abstract: 本发明涉及一种采用倒金字塔绒面的太阳能电池的制造方法，它包括如下步骤，步骤A，对半导体基板进行倒金字塔制绒；步骤B，对经步骤A处理的半导体基板进行表面钝化。本发明的目的在于提供一种采用倒金字塔绒面的太阳能电池的制造方法，其有别于传统倒金字塔绒面制备方法，提高了制绒效果。
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公开(公告)号：CN119342946A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411886166.8
申请日：2024-12-20
Applicant: 福建金石能源有限公司
IPC: H10F77/30 , H10F71/10 , H10F10/166
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种硅基背接触异质结太阳电池及其制备方法、电池组件，该硅基背接触异质结太阳电池通过在非晶硅钝化层增加一层超薄掺氧型非晶硅，从而避免沉积非晶硅钝化层时单晶外延生长影响非晶硅钝化层的成膜质量以及钝化效果。同时结合在P型非晶硅层的最外层制备一层掺氧型非晶硅层作为牺牲层，另外硼和氧容易形成稳定的结构，因此掺氧型非晶硅层可以很好地覆盖住P型非晶硅层防止硼外溢，从而实现非晶硅钝化层与P型非晶硅层在同一套PECVD系统内沉积完成，进而减少了一套PECVD系统，降低了设备成本。
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公开(公告)号：CN115763609A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211531546.0
申请日：2022-12-01
Applicant: 福建金石能源有限公司
IPC: H01L31/0747 , H01L31/20
Abstract: 本发明涉及一种隧穿型背接触异质结太阳能电池的制作方法，硅片背面划分为第一半导体区、第二半导体区以及位于第一半导体区和第二半导体区之间的隔离区；该制作方法包括如下步骤，A.在硅片背面形成背面钝化层；B.在背面钝化层上形成绝缘膜层；C.去除第一半导体区上的绝缘膜层，以形成第一半导体区开口；D.在硅片背面形成第一导电型的第一半导体膜层；E.去除第二半导体区上的第一半导体层和绝缘膜层，以形成第二半导体区开口；F.在硅片背面形成第二导电型的第二半导体膜层。本发明的目的在于提供一种隧穿型背接触异质结太阳能电池及其制作方法，其能极大缩短制造流程，生产成本降低。
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