公开(公告)号：CN112838135B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN201911162472.6

申请日：2019-11-25

申请人： 福建金石能源有限公司

发明人： 谢志刚

IPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0475 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种边缘钝化修复的柔性太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：提供硅片，在硅片其中一面预切割形成网格状凹槽；将硅片制绒清洗，形成金字塔绒面；在硅片表面形成钝化层及掺杂层；在硅片的正背面沉积透明导电膜层，通过激光开口或印刷掩模的方法在透明导电膜层形成缺口；在硅片表面形成金属电极，N型电极位于电池正面而P型引出电极位于电池的背面；在硅片的背面通过图形印刷的方式，形成多个子电池单元，相邻子电池单元之间预留间隙。本发明在P面切割预设位置附近，通过印刷制作掩模的方式移除该处的ITO膜层，P面切割入光成为可能，不限于只从N面切割HIT电池，且切割深度无限制，增大了由小电池单元组合成柔性组件的工艺选择范围。

公开(公告)号：CN113809186A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202111070379.X

申请日：2021-09-13

申请人： 福建金石能源有限公司

发明人： 黄巍辉 ,  张超华 ,  谢志刚

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及一种采用形成电极、开槽绝缘二步法的背接触异质结太阳能电池制造方法，它的具体步骤如下，步骤A，在半导体基板的第一主面设置第一导电区，和第二导电区；步骤B，在第一导电区和第二导电区表面设置导电层；步骤C，在第一导电区与第二导电区的交界处采用印刷方式设置抗沉积层；步骤D，在导电层的未遮盖抗沉积层的区域表面形成电极；步骤E，在抗沉积层对导电层采用激光蚀刻方式或激光蚀刻与化学蚀刻相结合方式进行开槽；所述开槽在第一导电区和第二导电区之间形成分隔绝缘。本发明的目的在于提供一种采用形成电极、开槽绝缘二步法的背接触异质结太阳能电池制造方法，缩短制程，并减少绝缘分隔对导电层的影响。

公开(公告)号：CN113745357A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202111077279.X

申请日：2021-09-13

申请人： 福建金石能源有限公司

发明人： 张超华 ,  黄巍辉 ,  谢志刚 ,  林朝晖

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/05 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及一种多主栅背接触异质结太阳电池的制作方法，它包括以下步骤：步骤A，在半导体基板的第一主面上从左到右交替设置第一半导体区和第二半导体区，且在第一半导体区和第二半导体区之间设置隔离槽；步骤B，在第一主面上从上到下错开设置的两列以上焊带连接区段；设置在第一半导体区同一水平位置上的为第一焊带连接层阵列，设置在第二半导体区同一水平位置上的为第二焊带连接层阵列；步骤C，在各个第一半导体区表面上设置第一焊带绝缘层阵列，在各个第二半导体区表面上设置第二焊带绝缘层阵列。本发明的目的在于提供一种制作方法，可以极大地降低金属化成本，规避较复杂的湿法铜电镀方案，更加有利于太阳能电池技术的生产、应用。

公开(公告)号：CN115528122A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210635506.4

申请日：2022-06-06

申请人： 福建金石能源有限公司

发明人： 张超华 ,  黄魏辉 ,  谢志刚 ,  林振鹏 ,  林桂婷

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/05 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及多主栅背接触异质结太阳电池，它包括半导体基板、设置在半导体基板的第一主面上交替设置的多个第一半导体区和第二半导体区、设置在各个第一半导体区和第二半导体区之间的隔离槽、水平设置在各个第一半导体区上的一列以上第一绝缘层阵列、水平设置在各个第二半导体区上的一列以上第二绝缘层阵列、与各个第二绝缘层阵列相同水平位置进行对应设置的一列以上第一可焊接主栅线以及与各个第一绝缘层阵列相同水平位置进行对应设置的一列以上第二可焊接主栅线；第一绝缘层阵列与第二绝缘层阵列从上到下错开设置。本发明的目的在于提供一种多主栅背接触异质结太阳电池，在显著降低细栅线的导电性要求的同时，实现多主栅结构，降低生产成本。

公开(公告)号：CN114497290A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210125200.4

申请日：2022-02-10

申请人： 福建金石能源有限公司

发明人： 林锦山 ,  张超华 ,  谢志刚

IPC分类号： H01L31/20 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0747

摘要： 本发明涉及一种背接触异质结太阳能电池制造方法，它包括步骤A，其具体工艺如下：步骤a1，在半导体基板双面同步沉积第一半导体钝化层、第一半导体层和减反射绝缘层；所述第一半导体层为N型掺杂多晶硅层；步骤a2，蚀刻去除覆盖第二导电区的第一半导体钝化层、第一半导体层和减反射绝缘层以露出第二导电区；步骤a3，在第二导电区依次沉积的第二半导体钝化层和第二半导体层；所述第二半导体层为P型掺杂非晶硅层；步骤a4，蚀刻去除半导体基板第二主面外露的减反射绝缘层。本发明目的在于提供一种制造方法，其减少了工艺步骤，并采用了N型多晶硅层与P型非晶硅层交叉排列结构，在制备过程中更加耐腐蚀，以保持膜层的完整性，提高了性能。

公开(公告)号：CN114078986A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202010829128.4

申请日：2020-08-18

申请人： 福建金石能源有限公司

发明人： 谢志刚 ,  张超华 ,  曾清华 ,  王树林

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  H01L31/0747

摘要： 本发明公开了一种异质结太阳能电池的制作方法，包括：提供N型单晶硅片；通过制绒清洗工艺在单晶硅片正面形成金字塔绒面结构；通过化学抛光清洗工艺在单晶硅片背面形成半抛光结构；依次设在硅片正面金字塔表面的第一本征非晶硅层、n型掺杂非晶硅层、第一透明导电膜层、第一金属电极；依次设在硅片背面半抛光表面的第二本征非晶硅层、p型掺杂非晶硅层、第二透明导电膜层、第二金属电极。本发明通过将电池背面设置为半抛光面，使电池背面非晶硅膜层更加均匀，从而实现更好的钝化效果；提高电池背面反射，从而提高电池电流；减少电池背面20％‑30％透明导电膜沉积，大幅降低透明导电膜成本。

公开(公告)号：CN112838141A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201911162623.8

申请日：2019-11-25

申请人： 福建金石能源有限公司

发明人： 谢志刚

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/05

摘要： 本发明公开了一种长条形柔性太阳能电池及其模组的制备方法，模组的制备方法，包括如下步骤：提供相邻电池单元之间预留间隙形成凹槽的太阳能电池；在所述太阳能电池表面贴上转移用的静电膜，将所述太阳能电池沿着凹槽裂成子电池；拉伸静电膜，使得所述子电池之间产生一定的间隙；去除静电膜，用导电胶带贴在太阳能电池背面，将子电池的主栅线背面电极和相邻子电池的主栅线背面电极连接在一起；将柔性背板、第一热熔胶、串联焊接后的太阳能电池、第二热熔胶、柔性前板依次堆叠，经过高温层压形成长条形柔性太阳能电池模组。本发明的模组弯曲时子电池之间有足够的弯曲拉伸空间，使得硅基电池模组可以实现柔性卷曲。

公开(公告)号：CN111477694A

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN201910061179.4

申请日：2019-01-23

申请人： 福建金石能源有限公司

发明人： 林朝晖 ,  谢志刚 ,  王树林 ,  张超华

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种背接触异质结太阳能电池及其制作方法，包括提供制绒清洗后的N型单晶硅片，依次设在硅片正面的钝化膜层、透明减反射层，设在硅片背面表面的本征非晶硅层，依次设在硅片背面N区本征非晶硅层表面的N型非晶硅层、透明导电膜层、种子铜层、铜栅线电极，依次设在硅片背面P区本征非晶硅层表面的P型非晶硅层、透明导电膜层、金属种子层、绝缘槽、铜栅线电极，设在硅片背面N/P分隔区非晶硅表面的透明导电膜层。本发明利用P型非晶硅耐腐蚀性能好的特点，将绝缘槽直接设置在P型非晶硅表面，可以大幅简化背接触异质结太阳能电池工艺流程，降低生产成本，提高生产良率，非常适合于大规模化量产。

公开(公告)号：CN110896107A

公开(公告)日：2020-03-20

申请号：CN201811065843.4

申请日：2018-09-13

申请人： 福建金石能源有限公司

发明人： 黄巍辉 ,  张宇 ,  张超华 ,  谢志刚 ,  王树林 ,  林朝晖

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/075 ,  H01L31/20

摘要： 本发明公开了一种双面发电的背接触异质结太阳能电池及其制作方法，其结构包括双面制绒的N型或P型单晶硅片，依次设在单晶硅片正面上的钝化膜层和透明减反层，交叉设置在单晶硅片背面上的第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层，设在第一本征非晶硅层上的P型非晶硅层和第二本征非晶硅层上的N型非晶硅层，设在P型非晶硅层和N型非晶硅层之间交叠区的第一透明绝缘层，设在P型非晶硅层和N型非晶硅层上的透明导电层，依次设在透明导电层上的金属导电层、金属电极及其保护层。本发明具有双面受光发电的优异特性，正面受光面积达100％，背面受光面积可大于50％，提高背接触太阳电池的实际发电功率，制作方法简洁易控，工艺简单，易于大规模量产的实现。

公开(公告)号：CN116581167A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310164943.7

申请日：2023-02-24

申请人： 福建金石能源有限公司

发明人： 谢志刚 ,  谢艺峰 ,  黄巍辉 ,  林朝晖

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及一种背接触太阳能电池制造方法，对半导体基板第二主面进行划分，一部分为第一半导体区，另一部分为第二半导体区；在半导体基板第二主面依次形成第一导电型膜层、第一绝缘膜层、激光吸收牺牲叠层；所述激光吸收牺牲叠层包括在第一绝缘膜层上依次形成的硅基激光吸收膜层、第二绝缘膜层以及保护膜层；采用激光曝光消融工艺以第一激光去除第二半导体区上的激光吸收牺牲叠层的部分膜层，采用化学腐蚀工艺依次去除第一激光曝光区域剩余的激光吸收牺牲叠层、第一绝缘膜层和第一导电型膜层以形成第二半导体区的开口，之后进行化学清洁以露出第一半导体区的硅基激光吸收膜层。本发明的目的在于保证生产效率，又防止异质结膜层热衰减的问题。