一种有机薄膜晶体管及提高有机薄膜晶体管迁移率的方法

    公开(公告)号:CN105552228B

    公开(公告)日:2018-06-15

    申请号:CN201610080077.3

    申请日:2016-02-05

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种有机薄膜晶体管及提高有机薄膜晶体管迁移率的方法。该有机薄膜晶体管采用底栅顶接触结构,器件从下往上依次是一定尺寸的带有一定厚度二氧化硅氧化层的硅片,有机半导体聚合物薄膜,以及通过热蒸发的方式制作的源漏电极。本发明制作的有机薄膜晶体管器件,其有源层在制备完成后,将硅片置于如图所示装置中进行溶剂蒸汽退火处理,同时,在该装置两侧的电极基板上施加一定大小的电场,通过电场增加有源层分子排列的有序性,从而提高该薄膜晶体管的迁移率和相关电学性能。本发明所述的溶剂蒸汽退火及加电场处理的方式,其方法简单,易操作,投入成本低,且得到的有机薄膜晶体管迁移率有较大提升。

    一种图形化厚膜银浆导电层的制造方法

    公开(公告)号:CN104411103B

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201410237615.6

    申请日:2014-05-31

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种图形化厚膜银浆导电层的制造方法,包含以下步骤:1、选取一平板基底,并对平板基底进行清洗;2、在平板基底表面沉积一层过渡层;3、在过渡层表面涂覆一层厚膜银浆浆料,并高温焙烧形成厚膜银浆导电层;4、在厚膜银浆导电层表面沉积一层保护层;5、光刻胶涂覆、曝光、显影和固膜,在保护层表面形成图形化光刻胶;6、刻蚀无光刻胶覆盖的保护层;7、刻蚀无保护层覆盖的厚膜银浆导电层,得到图形化厚膜银浆导电层;8、去除光刻胶,然后刻蚀图形化厚膜银浆导电层表面的保护层;9、对图形化厚膜银浆导电层进行表面处理,形成最终的图形化厚膜银浆导电层。该方法不仅可以提高图形化厚膜银浆导电层的精细度,还能避免因高温加热而导致图形化导电层收缩。

    一种基于喷墨打印技术的有机薄膜晶体管器件的优化方法

    公开(公告)号:CN105514039A

    公开(公告)日:2016-04-20

    申请号:CN201610047534.9

    申请日:2016-01-25

    Applicant: 福州大学

    CPC classification number: H01L21/822 G06F17/5081 G06F2217/64 H01L27/04

    Abstract: 本发明涉及一种基于喷墨打印技术的有机薄膜晶体管器件的优化方法,该器件包括基底、有源层以及源漏电极;基底为一生长有一层SiO2氧化层的硅片,SiO2氧化层上方通过喷墨打印方式制备形成一半导体聚合物与绝缘体聚合物的混合物薄膜作为有源层;混合物薄膜上方通过热蒸发方式制作形成源漏电极。本发明制作的有源层采用喷墨打印的方式制作,并且有源层材料进行了特殊优化处理,即在薄膜成膜前添加高沸点共混溶剂到半导体聚合物与绝缘体聚合物混合溶液中,提高了半导体聚合物有序度和相的纯度来增大其空穴的迁移率,其工艺简单,操作快速准确,能得到较高性能的OTFT器件及其阵列;该器件具有电流开关比及空穴迁移率较高、制备工艺简单、成本低的优点。

    一种用于切换2D/3D显示模式的狭缝光栅阵列组件

    公开(公告)号:CN103278931B

    公开(公告)日:2015-08-12

    申请号:CN201310228154.1

    申请日:2013-06-09

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种用于切换2D/3D显示模式的狭缝光栅阵列组件,其特征在于:包括一框架,所述框架内均匀间隔设置有若干个挡光条,所述每一个挡光条的上端部都设置一蜗轮,且所有的蜗轮与一蜗杆相啮合,所述蜗杆通过齿轮与一步进电机的转轴齿轮相啮合,从而带动蜗轮的旋转,实现挡光条的90°旋转。本发明能够实现实时的全屏幕2D/3D画面的切换,相对于其他2D/3D可切换的平板显示装置,不仅实施难度低,具有高速响应、切换效果出色、结构简单、可靠性高、成本低廉的优势,而且能够实现低成本、高质量的2D/3D转换效果。

    用于集成成像3D显示的组合微透镜阵列及其制作方法

    公开(公告)号:CN103064136B

    公开(公告)日:2014-12-31

    申请号:CN201310014861.0

    申请日:2013-01-16

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及集成成像3D显示技术领域,尤其涉及一种用于集成成像3D显示的组合微透镜阵列及其制作方法。提供一种用于集成成像3D显示的组合微透镜阵列,其特征在于:包括一基板;一小孔光栅,设置于所述基板的一表面,所述小孔光栅是一带有镂空小孔阵列的不透明金属或光刻胶;以及一微透镜阵列,设置于所述基板含有所述小孔光栅的一面,所述微透镜阵列由与所述小孔光栅的小孔阵列一一对应的透镜单元组成,且所述透镜单元位于所述对应的小孔阵列中。本发明制作方法简单、成本低廉,并且有效解决了单一微透镜阵列带来的图像串扰严重和分辨率降低的问题,同时也解决了单一小孔阵列带来的显示亮度降低的问题,易于实现高性能集成成像3D显示。

    用厚膜介质作为隔离子的场致发射显示结构

    公开(公告)号:CN102610471B

    公开(公告)日:2014-09-10

    申请号:CN201210082091.9

    申请日:2012-03-27

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明提供了一种用厚膜介质作为隔离子的场致发射显示结构及其制作方法,场致发射显示结构由阴极基板和阳极基板组成,所述的阴极基板和阳极基板之间设有厚膜介质隔离子,隔离子设置于阴极基板的玻璃基底上,隔离子与玻璃基底牢固粘在一起成一整体。隔离子在水平方向和竖直方向上均匀间隔排列,在水平和竖直方向上相邻隔离子之间的距离均为10-50mm。所述的场致发射显示结构有二极结构、三极结构和多极结构。本发明可以实现场致发射显示结构所用的隔离子图形化,避免了制作隔离子时的复杂安装工艺,解决了隔离子放置存在对位不准的问题,并且使原来分立的隔离子装配问题得到了解决,降低工艺难度,增加器件性能的稳定性。

    基于接触印刷转移的表面传导场发射电子源的制作方法

    公开(公告)号:CN102623278A

    公开(公告)日:2012-08-01

    申请号:CN201210117860.4

    申请日:2012-04-21

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于接触印刷转移的表面传导场发射电子源的制作方法,包括以下步骤:第一步,制作场发射电子源电极;第二步,制备用于接触印刷表面传导场发射电子源的硅橡胶模板;第三步,在硅橡胶模板上制作场发射电子源薄膜,硅橡胶模板吸附有机气体膨胀,产生几纳米到几十纳米宽的裂痕;第四步,在制作场发射电子源电极的平面绝缘基板上自组装一层(3-巯基丙基)三甲氧基硅烷偶联剂;第五步,把第四部制成的具有裂痕的场发射电子发射源薄膜接触印刷在第五步形成的场发射电子源电极上,最终制成表面传导场发射电子源。其中,场发射电子源电极的制备也可以放在最后完成。该场发射电子源制作方法简单,又可有效避免场发射电子源的破坏和污染。

    平整裸眼3D显示柱透镜光栅及其制作方法

    公开(公告)号:CN102436069A

    公开(公告)日:2012-05-02

    申请号:CN201110438216.2

    申请日:2011-12-24

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明公开了一种平整裸眼3D显示柱透镜光栅及其制作方法,玻璃基板四周磨边倒角一致,柱透镜光栅基板是由一面是平面的光栅基板另一面是由众多完全相同的柱透镜平行排列半圆柱曲面和设置于上面的凹槽带组成,UV固化紫外胶设置于玻璃的磨边倒角处,带四周磨边倒角的玻璃基板与带透镜的光栅基板匹配对接,紫外照射固化UV胶,四周磨边倒角的玻璃和柱透镜光栅基板经真空排气封装成一整体。该方法不仅可以实现大尺寸柱透镜光栅基板的平整性,解决不平整的柱透镜光栅与2D显示器发出的周期性光场平行度匹配性问题,同时制作方法简单、成本低廉,不影响3D显示的图形质量。

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