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公开(公告)号：CN117497422A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311228225.8
申请日：2023-09-22
Applicant: 福州大学
IPC: H01L21/34 , H01L21/02 , H01L21/423
Abstract: 本发明提供了一种高稳定性高性能氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括在衬底形成源漏极之后，并覆盖上一层氧化物半导体层，并使用两种气体对氧化物半导体层上在PECVD装置中进行等离子处理；本发明避免了一般等离子处理需要额外的步骤以及机器，通过在PECVD装置中直接进行等离子处理，降低制造工艺的复杂性，同时获得了稳定性良好、器件性能优良的氧化物晶体管。
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公开(公告)号：CN110932592B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201911259957.7
申请日：2019-12-10
Applicant: 福州大学
IPC: H02N1/04
Abstract: 本发明提出一种自供电触觉传感摩擦纳米发电机其制备方法，包括下基板、下电极、摩擦介质层、上电极和上基板，下电极设于下基板上；摩擦介质层设于下电极上；上电极设于上基板上，摩擦介质层为双网络薄膜；纳米发电机初始状态下的摩擦介质层与上电极分离，当纳米发电机受到预压力而进入工作状态时，双网络薄膜与上基板摩擦使两者表面积累电荷并在上电极和下电极间形成平衡电位；当因受到触摸使纳米发电机所受压力变化时，上电极与下电极的间距变化使电位的平衡状态无法维持，从而形成上电极与下电极之间的信号电流和开路电压；本发明能制备同时实现化学改性和物理改性的摩擦电薄膜，从而得到更高的表面摩擦电荷密度以获得更高效的摩擦纳米发电机。
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公开(公告)号：CN111048664A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911245752.3
申请日：2019-12-07
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种垂直结构的有机电化学晶体管及其制备方法，所述垂直结构的有机电化学晶体管为顶栅垂直结构，从下往上依次为基底、漏电极、有源层、网状源电极，电解质层和栅电极。其制备方法包括以下步骤：1）在具有图案化漏电极的基底上通过旋涂工艺沉积聚合物导电薄膜并退火，制得有源层；2）在有源层上通过旋涂工艺沉积网状源电极薄膜并退火；3）在网状源电极上通过旋涂或刮涂工艺沉积聚合物离子凝胶电解质并退火，制得电解质层；4）在电解质层上通过热蒸镀的方法制备栅电极，得到垂直结构的有机电化学晶体管。该方法制备的有机电化学晶体管可以缩小器件尺寸，提高器件性能，扩展其应用范围。
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公开(公告)号：CN108511530A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810236465.5
申请日：2018-03-21
Applicant: 福州大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/24
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种氮化碳薄膜场效应晶体管。所述的场效应晶体管自下而上包括：栅极，介质层，氮化碳沟道层，以及分布于氮化碳沟道层上两侧的源极和漏极；其中介质层将栅极和氮化碳沟道层完全隔开；栅极与介质层一起构成了晶体管的衬底。氮化碳沟道层是通过前驱体升华原位聚合法沉积在介质层上的，然后制备源极和漏极，得到氮化碳场效应晶体管。这类氮化碳晶体管所用材料廉价易得，低污染，可大规模生产，能在有机光电器件领域有一定的应用意义。
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公开(公告)号：CN105702700A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610072062.2
申请日：2016-02-02
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L27/283 , H01L51/0541
Abstract: 本发明涉及一种基于激光刻蚀技术的薄膜晶体管阵列及其制作方法。该薄膜晶体管阵列中的单个薄膜晶体管器件从下往上依次是激光刻蚀好ITO/银等源漏电极的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或玻璃基板，并五苯/P3HT/ PDVT-8/ N2200等有机聚合物薄膜作为有源层，PMMA/PVP/PVA/PS等有机聚合物薄膜作为绝缘层，PEDOT:PSS/银/银纳米线等作为栅电极。本发明制作的薄膜晶体管阵列，各层均可采用卷对卷或印刷的方式制备，其工艺简单、快速；而源漏电极、器件阵列中各器件及各器件的各功能层的独立均采用激光刻蚀的方式，其操作快速准确，可制作任意图案，且得到的器件沟道及器件尺寸较小，有利于节约成本及大规模生产，该薄膜晶体管阵列有望广泛用于气体传感器、有源主动显示、大规模集成电路及物联网等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111180582A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010088592.2
申请日：2020-02-12
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于驻极体的突触晶体管及其制备方法，所述的晶体管自下而上由带有绝缘层的基底、驻极体介电层、有机半导体层以及顶部电极组成；所述的驻极体介电层在绝缘层与半导体之间形成一个界面捕获层，用于捕获电子与空穴，形成额外的电场，对半导体层起到额外的栅极调控作用。该晶体管具有高的开关比，较大的电导调控范围，并且电导增加与调控的脉冲数呈现很好的线性关系，适用于神经形态计算，有效地提高对模式识别的精度，为未来的人工突触提供了一个应用前景。
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公开(公告)号：CN111048665A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911375393.3
申请日：2019-12-27
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出纤维状垂直沟道晶体管，所述晶体管从内至外依次设有栅极衬底、聚合物绝缘层、氧化物绝缘层、网状源极、半导体层和电极；所述电极包括半导体层上的漏极接触电极，还包括位于半导体层旁的设于网状源极上的源极接触电极；所述栅极衬底以直径为100μm至200μm的金属丝成型；所述金属丝为银丝或铝丝；本发明突破了传统工艺对沟道长度的限制，可以获得高的光电性能和出色的机械鲁棒性，而且有利于将器件编织集成在衣物上。
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公开(公告)号：CN110932592A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911259957.7
申请日：2019-12-10
Applicant: 福州大学
IPC: H02N1/04
Abstract: 本发明提出一种自供电触觉传感摩擦纳米发电机其制备方法，包括下基板、下电极、摩擦介质层、上电极和上基板，下电极设于下基板上；摩擦介质层设于下电极上；上电极设于上基板上，摩擦介质层为双网络薄膜；纳米发电机初始状态下的摩擦介质层与上电极分离，当纳米发电机受到预压力而进入工作状态时，双网络薄膜与上基板摩擦使两者表面积累电荷并在上电极和下电极间形成平衡电位；当因受到触摸使纳米发电机所受压力变化时，上电极与下电极的间距变化使电位的平衡状态无法维持，从而形成上电极与下电极之间的信号电流和开路电压；本发明能制备同时实现化学改性和物理改性的摩擦电薄膜，从而得到更高的表面摩擦电荷密度以获得更高效的摩擦纳米发电机。
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公开(公告)号：CN109411605A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811259152.8
申请日：2018-10-26
Applicant: 福州大学
IPC: H01L51/05 , H01L51/40 , H01L27/1159
Abstract: 本发明涉及一种铁电存储器及其制备方法，所述铁电存储器自上而下由基底、铁电绝缘层、隧穿层、网状源极、源极接触电极、有机半导体层和顶部漏极组成；其网状源极、有机半导体层和顶部漏极层层堆叠在其空间上形成垂直的器件结构，在该结构下晶体管的沟道长度为有机半导体层的厚度（纳米级），超短的沟道长度为器件带来超高的电流密度和快速的响应速度，并且器件的电流方向是从网状源极垂直穿过有机半导体层到达顶部漏极，垂直的电流传输能有效避免由于铁电绝缘层粗糙度较大引起的界面问题提高了铁电存储器的性能；本发明有效提高了器件的驱动能力和响应速度。其在柔性上也有巨大的应用价值，为未来的铁电存储器件的应用提供了参考。
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公开(公告)号：CN106835062A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710045303.9
申请日：2017-01-22
Applicant: 福州大学
CPC classification number: C23C14/5846 , C03C17/22 , C03C2217/288 , C03C2217/289 , C03C2218/152 , C03C2218/17 , C03C2218/32 , C23C14/5813 , C23C14/5866
Abstract: 本发明涉及一种利用激光快速制备过渡金属硫族化合物的方法，包括以下步骤：（1）提供一基板，将固态M源均匀覆盖于所述基板表面，形成固态M源层，其中 M为过渡金属元素；（2）在气态X源的环境下，用激光束辐照所述基板表面，使得基板表面的M源层瞬间加热，并与其附近的气态X源发生反应，在基板表面形成MX2薄膜，其中X为硫族元素。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单易行，不仅制备的速度快，而且制备的环境相对容易满足要求，在常温常压的隔氧保护环境下就可进行。
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