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公开(公告)号：CN110932592B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201911259957.7
申请日：2019-12-10
Applicant: 福州大学
IPC: H02N1/04
Abstract: 本发明提出一种自供电触觉传感摩擦纳米发电机其制备方法，包括下基板、下电极、摩擦介质层、上电极和上基板，下电极设于下基板上；摩擦介质层设于下电极上；上电极设于上基板上，摩擦介质层为双网络薄膜；纳米发电机初始状态下的摩擦介质层与上电极分离，当纳米发电机受到预压力而进入工作状态时，双网络薄膜与上基板摩擦使两者表面积累电荷并在上电极和下电极间形成平衡电位；当因受到触摸使纳米发电机所受压力变化时，上电极与下电极的间距变化使电位的平衡状态无法维持，从而形成上电极与下电极之间的信号电流和开路电压；本发明能制备同时实现化学改性和物理改性的摩擦电薄膜，从而得到更高的表面摩擦电荷密度以获得更高效的摩擦纳米发电机。
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公开(公告)号：CN110932592A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911259957.7
申请日：2019-12-10
Applicant: 福州大学
IPC: H02N1/04
Abstract: 本发明提出一种自供电触觉传感摩擦纳米发电机其制备方法，包括下基板、下电极、摩擦介质层、上电极和上基板，下电极设于下基板上；摩擦介质层设于下电极上；上电极设于上基板上，摩擦介质层为双网络薄膜；纳米发电机初始状态下的摩擦介质层与上电极分离，当纳米发电机受到预压力而进入工作状态时，双网络薄膜与上基板摩擦使两者表面积累电荷并在上电极和下电极间形成平衡电位；当因受到触摸使纳米发电机所受压力变化时，上电极与下电极的间距变化使电位的平衡状态无法维持，从而形成上电极与下电极之间的信号电流和开路电压；本发明能制备同时实现化学改性和物理改性的摩擦电薄膜，从而得到更高的表面摩擦电荷密度以获得更高效的摩擦纳米发电机。
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公开(公告)号：CN109545968B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201811359069.8
申请日：2018-11-15
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种基于自供电栅的有机薄膜晶体管及其制备方法，其特征在于，包括：压电栅、设置在所述压电栅上的绝缘层、设置在所述绝缘层上的有机半导体层、设置在所述有机半导体层上的源极和漏极；所述压电栅自下而上依次包括：下表面电极、压电薄膜或铁电驻极体、上表面电极。相较于现有技术，本发明具有以下有益效果：通过自供电栅结构，可以将机械能转换成电能，在与其上下表面电极相连的栅极和漏极之间产生电压差取代外加栅压的作用，在绝缘层和有机半导体层界面感应出载流子，实现栅压的调控作用。通过其可以自身提供栅压取代外加栅压的特性，可以为人机交互、物联网及触屏光电技术等的发展提供技术支持，具有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110943168A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911284770.2
申请日：2019-12-13
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于有机薄膜晶体管的可拉伸突触及其制备方法，其结构由下至上依次包括可拉伸复合共面栅衬底、褶皱形的有机半导体层以及离子凝胶绝缘层。所述可拉伸复合共面栅衬底是由聚二甲基硅氧烷（PDMS）薄膜与设置于其上的图案化的共面电极构成。本发明可以有效的推动柔性可拉伸电子在生物可植入、人机交互界面和可穿戴等方面的发展。
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公开(公告)号：CN109830598A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910119736.3
申请日：2019-02-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出自供电多栅极人工突触晶体管的制备方法和触觉学习，自供电多栅极人工突触晶体管包括摩擦纳米发电机和人工突触晶体管装置；摩擦纳米发电机上电极、下电极处均引出供电导线；人工突触晶体管装置的漏电极为输出端；源电极和栅极为信号输入端；源电极、栅极分别与摩擦纳米发电机引出的供电导线相连；信号输入端接受的输入信号为摩擦纳米发电机产生的电压，该突触晶体管的输出信号为经漏电极读取的沟道电流；本发明自带供电模块，能实现基本的逻辑运算功能，并且每个自供电输入栅极都具有数字滤波功能。
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公开(公告)号：CN109545968A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811359069.8
申请日：2018-11-15
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种基于自供电栅的有机薄膜晶体管及其制备方法，其特征在于，包括：压电栅、设置在所述压电栅上的绝缘层、设置在所述绝缘层上的有机半导体层、设置在所述有机半导体层上的源极和漏极；所述压电栅自下而上依次包括：下表面电极、压电薄膜或铁电驻极体、上表面电极。相较于现有技术，本发明具有以下有益效果：通过自供电栅结构，可以将机械能转换成电能，在与其上下表面电极相连的栅极和漏极之间产生电压差取代外加栅压的作用，在绝缘层和有机半导体层界面感应出载流子，实现栅压的调控作用。通过其可以自身提供栅压取代外加栅压的特性，可以为人机交互、物联网及触屏光电技术等的发展提供技术支持，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN114479157A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210076420.2
申请日：2022-01-24
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供了一种应变隔离的可拉伸衬底的实现方法，采用一弹性体聚合物薄膜，该薄膜通过采用溶液法，并利用旋涂工艺在基底上成膜后，将液体有机小分子单体、交联剂、光引发剂混合溶液渗入该薄膜中，再经过激光照射部分区域，使被照射部分的所述混合溶液中的小分子单体形成交联网络嵌入弹性体聚合物中，形成互穿网络，大大增强该弹性薄膜局部区域的机械强度。应用本技术方案可有效保护其局部区域在拉伸状态下不产生形变，实现应变隔离的效果，各种类型的器件可以直接制备或转移至其刚度加强的区域，保证在衬底拉伸状态下，器件不被破坏。
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公开(公告)号：CN109449245A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811228346.1
申请日：2018-10-22
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及了一种金属氧化物光晶体管及其制备方法。该金属氧化物光晶体管采用底栅垂直结构，器件从下往上依次是带有一定厚度二氧化硅氧化层的高掺杂硅片、网状源极和源极接触电极、金属氧化物半导体薄膜以及漏电极。垂直结构金属氧化物光晶体管中的半导体层、源极接触电极和漏极均采用喷墨打印或磁控溅射技术制备。本发明提供的垂直结构金属氧化物光晶体管可实现直接图案化、器件均一性好，可突破传统工艺对尺寸的限制，并实现大的电流密度和出色的光响应R和外量子效率EQE。该垂直结构的金属氧化物光晶体管有望广泛用于光传感器、人工突触及大规模集成电路等领域。
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