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公开(公告)号：CN106129247B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201610768689.1
申请日：2016-08-31
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种通过双交联反应对有机薄膜晶体管绝缘层优化的方法，提供一有机薄膜晶体管，该有机薄膜晶体管包括自下而上依次设置的基底、绝缘层、有源层以及源漏电极；绝缘层通过采用溶液法，并利用旋涂工艺或刮涂工艺在基底中的栅极上形成绝缘层膜后，将液态有机小分子单体溶液渗入该绝缘层中，并经过UV光处理，使所述小分子单体溶液中的小分子单体聚合固化嵌入绝缘层的网状结构中，进行对绝缘层表面改性。本发明提出的绝缘层表面改性的方法，其操作方法简单、方便、改性效果明显，能有效降低了有机薄膜晶体管的漏电流并提高了有机薄膜晶体管的迁移率。
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公开(公告)号：CN109545968B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201811359069.8
申请日：2018-11-15
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种基于自供电栅的有机薄膜晶体管及其制备方法，其特征在于，包括：压电栅、设置在所述压电栅上的绝缘层、设置在所述绝缘层上的有机半导体层、设置在所述有机半导体层上的源极和漏极；所述压电栅自下而上依次包括：下表面电极、压电薄膜或铁电驻极体、上表面电极。相较于现有技术，本发明具有以下有益效果：通过自供电栅结构，可以将机械能转换成电能，在与其上下表面电极相连的栅极和漏极之间产生电压差取代外加栅压的作用，在绝缘层和有机半导体层界面感应出载流子，实现栅压的调控作用。通过其可以自身提供栅压取代外加栅压的特性，可以为人机交互、物联网及触屏光电技术等的发展提供技术支持，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN109830598A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910119736.3
申请日：2019-02-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出自供电多栅极人工突触晶体管的制备方法和触觉学习，自供电多栅极人工突触晶体管包括摩擦纳米发电机和人工突触晶体管装置；摩擦纳米发电机上电极、下电极处均引出供电导线；人工突触晶体管装置的漏电极为输出端；源电极和栅极为信号输入端；源电极、栅极分别与摩擦纳米发电机引出的供电导线相连；信号输入端接受的输入信号为摩擦纳米发电机产生的电压，该突触晶体管的输出信号为经漏电极读取的沟道电流；本发明自带供电模块，能实现基本的逻辑运算功能，并且每个自供电输入栅极都具有数字滤波功能。
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公开(公告)号：CN109545968A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811359069.8
申请日：2018-11-15
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种基于自供电栅的有机薄膜晶体管及其制备方法，其特征在于，包括：压电栅、设置在所述压电栅上的绝缘层、设置在所述绝缘层上的有机半导体层、设置在所述有机半导体层上的源极和漏极；所述压电栅自下而上依次包括：下表面电极、压电薄膜或铁电驻极体、上表面电极。相较于现有技术，本发明具有以下有益效果：通过自供电栅结构，可以将机械能转换成电能，在与其上下表面电极相连的栅极和漏极之间产生电压差取代外加栅压的作用，在绝缘层和有机半导体层界面感应出载流子，实现栅压的调控作用。通过其可以自身提供栅压取代外加栅压的特性，可以为人机交互、物联网及触屏光电技术等的发展提供技术支持，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN105702700B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201610072062.2
申请日：2016-02-02
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于激光刻蚀技术的薄膜晶体管阵列及其制作方法。该薄膜晶体管阵列中的单个薄膜晶体管器件从下往上依次是激光刻蚀好ITO/银等源漏电极的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或玻璃基板，并五苯/P3HT/PDVT‑8/N2200等有机聚合物薄膜作为有源层，PMMA/PVP/PVA/PS等有机聚合物薄膜作为绝缘层，PEDOT:PSS/银/银纳米线等作为栅电极。本发明制作的薄膜晶体管阵列，各层均可采用卷对卷或印刷的方式制备，其工艺简单、快速；而源漏电极、器件阵列中各器件及各器件的各功能层的独立均采用激光刻蚀的方式，其操作快速准确，可制作任意图案，且得到的器件沟道及器件尺寸较小，有利于节约成本及大规模生产，该薄膜晶体管阵列有望广泛用于气体传感器、有源主动显示、大规模集成电路及物联网等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106129247A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610768689.1
申请日：2016-08-31
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种通过双交联反应对有机薄膜晶体管绝缘层优化的方法，提供一有机薄膜晶体管，该有机薄膜晶体管包括自下而上依次设置的基底、绝缘层、有源层以及源漏电极；绝缘层通过采用溶液法，并利用旋涂工艺或刮涂工艺在基底中的栅极上形成绝缘层膜后，将液态有机小分子单体溶液渗入该绝缘层中，并经过UV光处理，使所述小分子单体溶液中的小分子单体聚合固化嵌入绝缘层的网状结构中，进行对绝缘层表面改性。本发明提出的绝缘层表面改性的方法，其操作方法简单、方便、改性效果明显，能有效降低了有机薄膜晶体管的漏电流并提高了有机薄膜晶体管的迁移率。
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公开(公告)号：CN105552228A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610080077.3
申请日：2016-02-05
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L51/0508 , H01L51/0028
Abstract: 本发明涉及一种有机薄膜晶体管及提高有机薄膜晶体管迁移率的方法。该有机薄膜晶体管采用底栅顶接触结构，器件从下往上依次是一定尺寸的带有一定厚度二氧化硅氧化层的硅片，有机半导体聚合物薄膜，以及通过热蒸发的方式制作的源漏电极。本发明制作的有机薄膜晶体管器件，其有源层在制备完成后，将硅片置于如图所示装置中进行溶剂蒸汽退火处理，同时，在该装置两侧的电极基板上施加一定大小的电场，通过电场增加有源层分子排列的有序性，从而提高该薄膜晶体管的迁移率和相关电学性能。本发明所述的溶剂蒸汽退火及加电场处理的方式，其方法简单，易操作，投入成本低，且得到的有机薄膜晶体管迁移率有较大提升。
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公开(公告)号：CN105552228B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201610080077.3
申请日：2016-02-05
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种有机薄膜晶体管及提高有机薄膜晶体管迁移率的方法。该有机薄膜晶体管采用底栅顶接触结构，器件从下往上依次是一定尺寸的带有一定厚度二氧化硅氧化层的硅片，有机半导体聚合物薄膜，以及通过热蒸发的方式制作的源漏电极。本发明制作的有机薄膜晶体管器件，其有源层在制备完成后，将硅片置于如图所示装置中进行溶剂蒸汽退火处理，同时，在该装置两侧的电极基板上施加一定大小的电场，通过电场增加有源层分子排列的有序性，从而提高该薄膜晶体管的迁移率和相关电学性能。本发明所述的溶剂蒸汽退火及加电场处理的方式，其方法简单，易操作，投入成本低，且得到的有机薄膜晶体管迁移率有较大提升。
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公开(公告)号：CN105514039A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201610047534.9
申请日：2016-01-25
Applicant: 福州大学
IPC: H01L21/822 , H01L27/04 , G06F17/50
CPC classification number: H01L21/822 , G06F17/5081 , G06F2217/64 , H01L27/04
Abstract: 本发明涉及一种基于喷墨打印技术的有机薄膜晶体管器件的优化方法，该器件包括基底、有源层以及源漏电极；基底为一生长有一层SiO2氧化层的硅片，SiO2氧化层上方通过喷墨打印方式制备形成一半导体聚合物与绝缘体聚合物的混合物薄膜作为有源层；混合物薄膜上方通过热蒸发方式制作形成源漏电极。本发明制作的有源层采用喷墨打印的方式制作，并且有源层材料进行了特殊优化处理，即在薄膜成膜前添加高沸点共混溶剂到半导体聚合物与绝缘体聚合物混合溶液中，提高了半导体聚合物有序度和相的纯度来增大其空穴的迁移率，其工艺简单，操作快速准确，能得到较高性能的OTFT器件及其阵列；该器件具有电流开关比及空穴迁移率较高、制备工艺简单、成本低的优点。
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公开(公告)号：CN105702700A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610072062.2
申请日：2016-02-02
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L27/283 , H01L51/0541
Abstract: 本发明涉及一种基于激光刻蚀技术的薄膜晶体管阵列及其制作方法。该薄膜晶体管阵列中的单个薄膜晶体管器件从下往上依次是激光刻蚀好ITO/银等源漏电极的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或玻璃基板，并五苯/P3HT/ PDVT-8/ N2200等有机聚合物薄膜作为有源层，PMMA/PVP/PVA/PS等有机聚合物薄膜作为绝缘层，PEDOT:PSS/银/银纳米线等作为栅电极。本发明制作的薄膜晶体管阵列，各层均可采用卷对卷或印刷的方式制备，其工艺简单、快速；而源漏电极、器件阵列中各器件及各器件的各功能层的独立均采用激光刻蚀的方式，其操作快速准确，可制作任意图案，且得到的器件沟道及器件尺寸较小，有利于节约成本及大规模生产，该薄膜晶体管阵列有望广泛用于气体传感器、有源主动显示、大规模集成电路及物联网等领域。
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