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公开(公告)号：CN115377339B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202211162470.9
申请日：2022-09-23
IPC分类号： H10K71/00 , H10K50/10 , H10K50/115
摘要： 本发明提出一种基于静电吸附量子点制备图案化QLED的方法，先制备P4VP（４‑乙烯基吡啶二嵌段共聚物）薄膜，再用DPN（蘸水笔纳米光刻术）法制备图案化的P4VP薄膜，最后在P4VP薄膜上旋涂配体（如羧酸、膦酸和硫醇末端的配体）修饰的量子点。在P4VP薄膜上的图案是由于局部质子化形成的，通过静电作用可以吸附由于配体电离而带负电的量子点得到图案化的量子点薄膜。以此为基础可以通过在P4VP薄膜上设计和制备不同尺寸的图案，从而获得亚微米以及纳米级别的量子点薄膜发光像素，通过转印技术把图案化的量子点薄膜转移到预制QLED基底功能层上，制备出QLED器件。
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公开(公告)号：CN118475152A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410606197.7
申请日：2024-05-16
申请人： 福州大学
IPC分类号： H10K50/856 , H10K50/858 , H10K71/00 , H10K50/115
摘要： 本发明涉及一种自组装双层光提取微纳结构量子点发光器件的方法。在透明导电衬底的ITO层上依次沉积空穴注入层、空穴传输层和量子点薄膜、电子传输层、金属阴极以及导电衬底的ITO层背面以自组装方式制备的光提取微纳结构；以自组装方式制备的光提取微纳结构操作为：（1）通过聚苯乙烯微球（PS球）自组装技术形成一个致密有序的微纳结构。（2）通过捞取的方法将自组装后的PS球转移到基板背部聚乙烯醇缩丁醛(PVB)薄膜上。（3）通过一块平整的硅片放置在PS球微纳结构上施加一定的压力，使得PS球可以嵌入PVB薄膜中。本发明通过自组装工艺形成致密有序的PS球阵列，通过施加压力使PS阵列与PVB形成紧密粘连的双层微纳结构加强了量子点发光器件光提取效率。
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公开(公告)号：CN118159054A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410287970.8
申请日：2024-03-13
申请人： 福州大学
IPC分类号： H10K50/115 , H10K71/12 , B82Y30/00
摘要： 本发明涉及一种混合组分纳米粒子薄膜及其量子点发光二极管以及制备方法。通过均匀间隔分布发光量子点和不发光的宽禁带纳米粒子，制成混合组分的纳米粒子薄膜，显著降低相邻发光量子点间的荧光共振能量转移（FRET）效率。将混合组分的纳米粒子薄膜作为QLED的发光层，可以有效抑制QLED发光层中的激子离域行为，减少非辐射弛豫过程对激子能量的损耗，提高量子点发光器件的发光效率及稳定性，实现高性能QLED的制备。本发明的混合组分纳米粒子薄膜适用于现存的大部分商用纳米粒子体系，可采用简单便捷的溶液加工工艺制备获得，与现有的各种溶液工艺制膜设备兼容性良好。本发明的基于混合组分纳米粒子薄膜的QLED与现有QLED结构及工艺兼容，生产局限性小。
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公开(公告)号：CN117939979A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410114244.6
申请日：2024-01-28
申请人： 福州大学 , 广东聚华新型显示研究院
IPC分类号： H10K71/13 , H10K50/115 , B41M5/00
摘要： 本发明提供一种喷墨打印技术下的全彩量子点网格打印方法，利用喷墨打印技术制备具有彩色网格结构的发光层，从而在发光二极管(LED)中实现全彩显示。通过在发光层使用溶液加工方法涂覆蓝色量子点层，再利用喷墨打印技术使用红色量子点打印红色线条，使用绿色量子点打印垂直于红色量子点的线条，形成由红、绿量子点线条线交叉的网格结构以及由具有规则形状的蓝色量子点，从而实现彩色网格的制备，实现全彩显示。本专利方法简单、高效，并可广泛应用于显示器、光电子器件等领域。
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公开(公告)号：CN117067468A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310879518.6
申请日：2023-07-18
申请人： 福州大学
摘要： 本发明涉及一种基于旋涂法和喷墨打印的薄膜制膜机。结合了旋涂法和喷墨打印制膜时的各自优点，主要包含中心圆筒支柱，所述圆筒支柱与外部电机相连可以带动机器旋转；所述圆筒支柱可安装可拆卸的喷墨打印头及物料存储器；所述圆筒支柱上套有可以旋转的转盘，转盘半径可依据生产要求进行更改，通过卡扣与物料盘连接；所述物料盘为可拆卸盘内部的构造可以依据生产要求就行更改，以便降低成本；所述转盘外还有一层保护壳。利用旋涂法的离心原理使薄膜均匀，而利用喷墨打印可以减少物料的损耗。此设备结构简单，便于用于大规模的量子点发光二极管器件薄膜制备。
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公开(公告)号：CN116685159A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310749107.5
申请日：2023-06-25
申请人： 福州大学
IPC分类号： H10K50/115 , H10K50/15 , H10K50/17 , H10K50/85 , H10K71/00
摘要： 本发明提出一种表面等离子共振增强超高分辨QLED器件及其制备方法，制备完成的QLED器件结构包括：ITO玻璃基板（6）、空穴注入层（5）、空穴传输层（4）、量子点发光层（3）、电子传输层（2）和金属阴极（1），其中，空穴注入层（5）、空穴传输层（4）、量子点发光层（3）设置在由绝缘聚合物与嵌入其中具有表面等离子增强效应的纳米颗粒组成的图形化像素阻隔层（7）的孔隙中。本发明通过将功能层涂布在像素阻隔层的孔隙中构建发光单元，实现高分辨图案化像素阵列。嵌入在绝缘聚合物层中的纳米颗粒与量子点无接触，产生强的表面等离子共振增强荧光效应，从而提升器件的发光效率、寿命以及稳定性。
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公开(公告)号：CN113540372B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202110675293.3
申请日：2021-06-18
摘要： 本发明提出一种基于LS技术的叠层白光QLED及制备方法，其提供的叠层白光QLED包括基板、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、三色量子点发光层、电子传输层以及阴极层。本发明所制备的叠层白光QLED，可以直接通过LS技术直接将三种不同颜色的量子点薄膜转移到器件上，并且没有溶剂的参与，无需在红、绿、蓝三色量子点发光层之间添加缓冲层，节省工艺流程，实现低开启电压的叠层白光QLED。
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公开(公告)号：CN113937244A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111005348.6
申请日：2021-08-30
摘要： 本发明提出一种转印图案化电极制备微米LED的方法，所述方法中，先制备带图案凹槽的PDMS印章，再通过PDMS印章在PET面上印制图案形状的PVA图形，然后以印制出的PVA图形制备图案化的电极，在图案化的电极上依次沉积空穴注入层、空穴传输层、量子点薄膜、电子传输层、金属阴极；本发明所述方法可以使QLED器件的像素尺寸缩小至微米级别，从而获得高亮度、高PPI的显示像素单元。
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公开(公告)号：CN113937242A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110984773.8
申请日：2021-08-26
摘要： 本发明涉及一种超精细化量子点薄膜及其高分辨QLED制备方法。首先通过光刻方法制备像素bank结构的模板。此外，量子点薄膜通过自组装的方法在PDMS印章上形成。再将上述的PDMS印章和像素bank结构的模板接触并进行加热。PDMS印章在80℃加热过程中粘性减弱，导致所接触部分的量子点被像素bank模板带走，剩余的量子点构成超精细的像素图案。最后将上述的PDMS印章贴合到空穴传输层上，依次按压、分离PDMS印章，使超精细像素化的量子点薄膜被转印到空穴传输层上。这里采用的构图技术使量子点薄膜有着超精细的像素点且制备的像素点均匀。最终使QLED器件的像素尺寸可缩小至几微米甚至微米以下，从而获得高亮度的超高分辨率显示像素单元，可应用下一代显示。
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公开(公告)号：CN113707835A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110973186.9
申请日：2021-08-24
申请人： 福州大学
摘要： 本发明提出一种纳米压印图案化量子点LED制备方法，其特征在于：通过使用带有凹陷图案的PDMS印章压印的方法在LED中制备一层图案化的绝缘材料，阻挡该部分的载流子注入，以实现与印章图案一致的图案化发光。该方法通过使用带有图案化的印章制作相应的发光图案，所制作的单像素尺寸可达纳米级别，从而获得高分辨率的EL器件，制备流程简单，可重复性较高，且印章可重复使用，适用于大量生产。
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