公开(公告)号：CN113707835B

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202110973186.9

申请日：2021-08-24

Applicant: 福州大学

Inventor： 李福山 ,  毛超民 ,  郑悦婷 ,  孟汀涛 ,  赵等临 ,  郑文晨 ,  胡海龙

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明提出一种纳米压印图案化量子点LED制备方法，其特征在于：通过使用带有凹陷图案的PDMS印章压印的方法在LED中制备一层图案化的绝缘材料，阻挡该部分的载流子注入，以实现与印章图案一致的图案化发光。该方法通过使用带有图案化的印章制作相应的发光图案，所制作的单像素尺寸可达纳米级别，从而获得高分辨率的EL器件，制备流程简单，可重复性较高，且印章可重复使用，适用于大量生产。

公开(公告)号：CN113937244A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202111005348.6

申请日：2021-08-30

Applicant: 福州大学 ,  闽都创新实验室

Inventor： 李福山 ,  郑文晨 ,  郑悦婷 ,  孟汀涛 ,  赵等临 ,  毛超民 ,  胡海龙 ,  郭太良

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明提出一种转印图案化电极制备微米LED的方法，所述方法中，先制备带图案凹槽的PDMS印章，再通过PDMS印章在PET面上印制图案形状的PVA图形，然后以印制出的PVA图形制备图案化的电极，在图案化的电极上依次沉积空穴注入层、空穴传输层、量子点薄膜、电子传输层、金属阴极；本发明所述方法可以使QLED器件的像素尺寸缩小至微米级别，从而获得高亮度、高PPI的显示像素单元。

公开(公告)号：CN113707835A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202110973186.9

申请日：2021-08-24

Applicant: 福州大学

Inventor： 李福山 ,  毛超民 ,  郑悦婷 ,  孟汀涛 ,  赵等临 ,  郑文晨 ,  胡海龙

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明提出一种纳米压印图案化量子点LED制备方法，其特征在于：通过使用带有凹陷图案的PDMS印章压印的方法在LED中制备一层图案化的绝缘材料，阻挡该部分的载流子注入，以实现与印章图案一致的图案化发光。该方法通过使用带有图案化的印章制作相应的发光图案，所制作的单像素尺寸可达纳米级别，从而获得高分辨率的EL器件，制备流程简单，可重复性较高，且印章可重复使用，适用于大量生产。

公开(公告)号：CN113937244B

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202111005348.6

申请日：2021-08-30

Applicant: 福州大学 ,  闽都创新实验室

Inventor： 李福山 ,  郑文晨 ,  郑悦婷 ,  孟汀涛 ,  赵等临 ,  毛超民 ,  胡海龙 ,  郭太良

IPC: H10K71/15 ,  H10K50/15 ,  H10K50/16 ,  H10K50/115 ,  H10K71/12 ,  H10K71/40

Abstract: 本发明提出一种转印图案化电极制备微米LED的方法，所述方法中，先制备带图案凹槽的PDMS印章，再通过PDMS印章在PET面上印制图案形状的PVA图形，然后以印制出的PVA图形制备图案化的电极，在图案化的电极上依次沉积空穴注入层、空穴传输层、量子点薄膜、电子传输层、金属阴极；本发明所述方法可以使QLED器件的像素尺寸缩小至微米级别，从而获得高亮度、高PPI的显示像素单元。