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公开(公告)号：CN113707835B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202110973186.9
申请日：2021-08-24
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种纳米压印图案化量子点LED制备方法，其特征在于：通过使用带有凹陷图案的PDMS印章压印的方法在LED中制备一层图案化的绝缘材料，阻挡该部分的载流子注入，以实现与印章图案一致的图案化发光。该方法通过使用带有图案化的印章制作相应的发光图案，所制作的单像素尺寸可达纳米级别，从而获得高分辨率的EL器件，制备流程简单，可重复性较高，且印章可重复使用，适用于大量生产。
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公开(公告)号：CN113937244B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202111005348.6
申请日：2021-08-30
Abstract: 本发明提出一种转印图案化电极制备微米LED的方法，所述方法中，先制备带图案凹槽的PDMS印章，再通过PDMS印章在PET面上印制图案形状的PVA图形，然后以印制出的PVA图形制备图案化的电极，在图案化的电极上依次沉积空穴注入层、空穴传输层、量子点薄膜、电子传输层、金属阴极；本发明所述方法可以使QLED器件的像素尺寸缩小至微米级别，从而获得高亮度、高PPI的显示像素单元。
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公开(公告)号：CN115172638A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210781660.2
申请日：2022-07-05
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种转印图案化自组装绝缘材料制备微纳QLED的方法，在透明导电衬底的ITO层上依次沉积空穴注入层、空穴传输层和图案化绝缘材料、发光层、电子传输层、金属阴极，所述图案化绝缘材料的制备方法为：先制备带图案化柱状的PDMS印章；再将起固定在亚相表面上，并放置玻璃基板，通过LB膜拉膜机自组装生成图案化的绝缘材料LB膜；并提出水面，对其进行80℃退火；最后将含有图案化绝缘材料的玻璃基板贴合到空穴传输层上，依次按压、分离，使图案化的绝缘材料被转印到空穴传输层上。该方法可以使QLED器件的像素尺寸缩小至微纳级别，从而获得高亮度、高PPI的显示像素单元。
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公开(公告)号：CN113937244A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111005348.6
申请日：2021-08-30
Abstract: 本发明提出一种转印图案化电极制备微米LED的方法，所述方法中，先制备带图案凹槽的PDMS印章，再通过PDMS印章在PET面上印制图案形状的PVA图形，然后以印制出的PVA图形制备图案化的电极，在图案化的电极上依次沉积空穴注入层、空穴传输层、量子点薄膜、电子传输层、金属阴极；本发明所述方法可以使QLED器件的像素尺寸缩小至微米级别，从而获得高亮度、高PPI的显示像素单元。
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公开(公告)号：CN113707835A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110973186.9
申请日：2021-08-24
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种纳米压印图案化量子点LED制备方法，其特征在于：通过使用带有凹陷图案的PDMS印章压印的方法在LED中制备一层图案化的绝缘材料，阻挡该部分的载流子注入，以实现与印章图案一致的图案化发光。该方法通过使用带有图案化的印章制作相应的发光图案，所制作的单像素尺寸可达纳米级别，从而获得高分辨率的EL器件，制备流程简单，可重复性较高，且印章可重复使用，适用于大量生产。
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