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公开(公告)号：CN107532067A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680026870.3
申请日：2016-05-02
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09K3/14 , B24B37/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及可以优选用于主要是硅晶圆等半导体基板以及其它研磨对象物的研磨的研磨用组合物，提供获得良好的整体形状的研磨用组合物。将研磨用组合物的相对于研磨垫的适应性设为Wp、相对于研磨对象物的适应性设为Ww、相对于研磨对象物保持工具的适应性设为Wc时，满足Wp≥Wc或Ww≥Wc≥Wp。
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公开(公告)号：CN107107302A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580060434.3
申请日：2015-10-30
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: B24B37/00 , B24B1/00 , C09K3/14 , H01L21/304 , C09G1/02
CPC classification number: C09K3/1409 , B24B1/00 , B24B37/042 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/02024 , H01L21/304 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供对具有1500Hv以上的维氏硬度的材料进行研磨的方法。该研磨方法包括：使用包含磨粒APRE的预抛光用组合物进行预抛光的工序；以及使用包含硬度比磨粒APRE低的磨粒AFIN的精加工抛光用组合物进行精加工抛光的工序。
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公开(公告)号：CN104603227A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201380045596.0
申请日：2013-08-12
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044 , C08B11/08 , C08F16/06 , C08F26/10 , C08G81/00 , C09G1/16 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , H01L21/02024 , Y02P20/582
Abstract: 研磨用组合物含有重均分子量为1000000以下、且用重均分子量(Mw)/数均分子量(Mn)表示的分子量分布不足5.0的水溶性高分子。该研磨用组合物主要用于研磨基板的用途，优选为对基板进行最终研磨的用途。
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公开(公告)号：CN102190961A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110047516.8
申请日：2011-02-28
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/304
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02
Abstract: 提供除了可以降低抛光后的半导体基板表面的雾度之外，还可以抑制颗粒对该表面的附着的抛光用组合物以及使用这种抛光用组合物对半导体基板进行抛光的方法。本发明的抛光用组合物，含有分子量为1000以上、小于100000且HLB值为17以上的非离子活性剂、碱性化合物和水。非离子活性剂优选为氧化烯的均聚物或多种氧化烯的共聚物。抛光用组合物还可以含有二氧化硅和水溶性高分子中的至少任意一方。
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公开(公告)号：CN107109191A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580060437.7
申请日：2015-10-30
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09K3/14 , C09G1/02 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC classification number: C09K3/1409 , B24B1/00 , B24B37/042 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/02024 , H01L21/304 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供用于对具有1500Hv以上的维氏硬度的研磨对象材料进行研磨的研磨用组合物。对于该研磨用组合物，该研磨用组合物的氧化还原电位ORPx[mV]与所述研磨对象材料的氧化还原电位ORPy[mV]的关系满足ORPx‑ORPy≥100mV。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103403123B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201280006289.7
申请日：2012-01-18
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/30625 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09G1/04 , C09K3/1409 , H01L21/02024
Abstract: 提供一种研磨用组合物，其特征在于：包括至少一种有机酸或有机酸盐，并包括包含羟乙基纤维素、氨、磨料粒和水的组合物(A)；且所述研磨用组合物的电导率比所述组合物(A)的电导率大1.2-8倍。所述研磨用组合物主要用于基板表面研磨的用途。
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公开(公告)号：CN107075347A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580056621.4
申请日：2015-10-15
Applicant: 福吉米株式会社
Abstract: 提供能够稳定地维持良好的研磨速率的研磨用组合物。提供一种研磨用组合物，其包含作为磨粒的二氧化硅颗粒、和作为研磨促进剂的碱性化合物。上述二氧化硅颗粒的硅烷醇基团密度为1.5～6.0个/nm2。将上述碱性化合物吸附于上述二氧化硅颗粒的吸附量的浓度依赖性以高浓度时吸附量/低浓度时吸附量的比值的形式表示的吸附比参数A为1.2以下。
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公开(公告)号：CN103890114B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201280051935.1
申请日：2012-10-09
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/304 , B24B37/00
CPC classification number: B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/02024 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨用组合物，其特征在于，其为含有磨粒、水溶性高分子、聚集抑制剂和水的研磨用组合物，在将前述研磨用组合物中存在的颗粒的平均粒径设为R1、将使前述磨粒分散在水中而使得与前述研磨用组合物中的磨粒的浓度相同时的磨粒的平均粒径设为R2的情况下，R1/R2为1.3以下。该研磨用组合物主要在研磨硅基板的表面的用途中使用。
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公开(公告)号：CN103890114A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280051935.1
申请日：2012-10-09
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/304 , B24B37/00
CPC classification number: B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/02024 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨用组合物，其特征在于，其为含有磨粒、水溶性高分子、聚集抑制剂和水的研磨用组合物，在将前述研磨用组合物中存在的颗粒的平均粒径设为R1、将使前述磨粒分散在水中而使得与前述研磨用组合物中的磨粒的浓度相同时的磨粒的平均粒径设为R2的情况下，R1/R2为1.3以下。该研磨用组合物主要在研磨硅基板的表面的用途中使用。
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