公开(公告)号：CN110312776B

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN201880011959.1

申请日：2018-01-29

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 森嘉男 ,  谷口惠 ,  向井贵俊 ,  土屋公亮

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  C09G1/02 ,  H01L21/304

Abstract: [课题]提供消除激光硬标记周缘的隆起的性能优异的研磨用组合物。[解决方案]一种研磨用组合物，其包含磨粒、水溶性高分子、碱性化合物和水，前述水溶性高分子为包含源自苯乙烯或其衍生物的结构单元、和源自除此之外的单体的结构单元的共聚物。

公开(公告)号：CN105612236B

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201480053942.4

申请日：2014-09-22

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 土屋公亮 ,  森嘉男

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09K3/1463 ,  B24B37/00 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09K3/1436 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02052

Abstract: 本发明提供一种能够减少雾度及表面缺陷的研磨用组合物。根据本发明，可提供包含水溶性合成高分子ML‑end的研磨用组合物，所述水溶性合成高分子ML‑end在主链的至少一个端部具有疏水性区域。前述疏水性区域具有来自聚合引发剂的至少1个疏水性基团。

公开(公告)号：CN106233424A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580020029.9

申请日：2015-04-07

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 土屋公亮 ,  丹所久典 ,  森嘉男

IPC: H01L21/02 ,  C09K3/14 ,  C09G1/02

CPC classification number: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02052

Abstract: 本发明提供一种降低硅晶圆表面的雾度的效果及过滤性优异的硅晶圆研磨用组合物。此处所提供的硅晶圆研磨用组合物含有硅晶圆研磨促进剂、含酰胺基聚合物X、不含酰胺基的有机化合物Y及水。含酰胺基聚合物X在主链中具有源自下述通式(1)所示的单体的结构单元A。另外，含酰胺基聚合物X的分子量Mx与有机化合物Y的分子量My的关系满足下式200≤My

公开(公告)号：CN105593330B

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201480053941.X

申请日：2014-09-22

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 土屋公亮 ,  森嘉男

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09K3/1463 ,  B24B37/00 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09K3/1436 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02052

Abstract: 本发明提供一种能够有效地减少表面缺陷的研磨用组合物。根据本发明，可提供包含水溶性高分子MC‑end的研磨用组合物。前述水溶性高分子MC‑end的主链包含作为主构成区域的非阳离子性区域和位于该主链的至少一个端部的阳离子性区域。前述阳离子性区域具有至少一个阳离子性基团。

公开(公告)号：CN103890114B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201280051935.1

申请日：2012-10-09

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 土屋公亮 ,  森嘉男 ,  高见信一郎 ,  高桥修平

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/304 ,  B24B37/00

CPC classification number: B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种研磨用组合物，其特征在于，其为含有磨粒、水溶性高分子、聚集抑制剂和水的研磨用组合物，在将前述研磨用组合物中存在的颗粒的平均粒径设为R1、将使前述磨粒分散在水中而使得与前述研磨用组合物中的磨粒的浓度相同时的磨粒的平均粒径设为R2的情况下，R1/R2为1.3以下。该研磨用组合物主要在研磨硅基板的表面的用途中使用。

公开(公告)号：CN103890114A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280051935.1

申请日：2012-10-09

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 土屋公亮 ,  森嘉男 ,  高见信一郎 ,  高桥修平

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/304 ,  B24B37/00

CPC classification number: B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种研磨用组合物，其特征在于，其为含有磨粒、水溶性高分子、聚集抑制剂和水的研磨用组合物，在将前述研磨用组合物中存在的颗粒的平均粒径设为R1、将使前述磨粒分散在水中而使得与前述研磨用组合物中的磨粒的浓度相同时的磨粒的平均粒径设为R2的情况下，R1/R2为1.3以下。该研磨用组合物主要在研磨硅基板的表面的用途中使用。

公开(公告)号：CN110312776A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201880011959.1

申请日：2018-01-29

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 森嘉男 ,  谷口惠 ,  向井贵俊 ,  土屋公亮

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  C09G1/02 ,  H01L21/304

Abstract: [课题]提供消除激光硬标记周缘的隆起的性能优异的研磨用组合物。[解决方案]一种研磨用组合物，其包含磨粒、水溶性高分子、碱性化合物和水，前述水溶性高分子为包含源自苯乙烯或其衍生物的结构单元、和源自除此之外的单体的结构单元的共聚物。

公开(公告)号：CN106233424B

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201580020029.9

申请日：2015-04-07

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 土屋公亮 ,  丹所久典 ,  森嘉男

IPC: H01L21/02 ,  C09K3/14 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明提供一种降低硅晶圆表面的雾度的效果及过滤性优异的硅晶圆研磨用组合物。此处所提供的硅晶圆研磨用组合物含有硅晶圆研磨促进剂、含酰胺基聚合物X、不含酰胺基的有机化合物Y及水。含酰胺基聚合物X在主链中具有源自下述通式(1)所示的单体的结构单元A。另外，含酰胺基聚合物X的分子量Mx与有机化合物Y的分子量My的关系满足下式200≤My

公开(公告)号：CN107532067A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680026870.3

申请日：2016-05-02

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 织田博之 ,  高桥修平 ,  森嘉男 ,  高见信一郎 ,  田畑诚

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明涉及可以优选用于主要是硅晶圆等半导体基板以及其它研磨对象物的研磨的研磨用组合物，提供获得良好的整体形状的研磨用组合物。将研磨用组合物的相对于研磨垫的适应性设为Wp、相对于研磨对象物的适应性设为Ww、相对于研磨对象物保持工具的适应性设为Wc时，满足Wp≥Wc或Ww≥Wc≥Wp。

公开(公告)号：CN106233423A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580020002.X

申请日：2015-04-07

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 土屋公亮 ,  丹所久典 ,  森嘉男

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种降低硅晶圆表面的雾度的效果优异的硅晶圆研磨用组合物。此处所提供的硅晶圆研磨用组合物含有磨粒、硅晶圆研磨促进剂、含酰胺基聚合物及水。含酰胺基聚合物在主链中具有源自下述通式(1)所示的单体的结构单元A。另外，磨粒的平均二次粒径为10nm以上且60nm以下。