公开(公告)号：CN115380097A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202180026914.3

申请日：2021-03-17

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 高见信一郎

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 提供：在高硬度材料的研磨中，能实现与用不包含磨粒的研磨用组合物得到的面同等以上的平滑的面、在低压力、高压力的任意条件下均可优选使用的研磨用组合物。研磨用组合物是对具有1500Hv以上的维氏硬度的材料进行研磨的研磨用组合物。此处，上述研磨用组合物包含颗粒和氧化剂，该颗粒的含量小于400ppm。

公开(公告)号：CN107532067A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680026870.3

申请日：2016-05-02

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 织田博之 ,  高桥修平 ,  森嘉男 ,  高见信一郎 ,  田畑诚

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明涉及可以优选用于主要是硅晶圆等半导体基板以及其它研磨对象物的研磨的研磨用组合物，提供获得良好的整体形状的研磨用组合物。将研磨用组合物的相对于研磨垫的适应性设为Wp、相对于研磨对象物的适应性设为Ww、相对于研磨对象物保持工具的适应性设为Wc时，满足Wp≥Wc或Ww≥Wc≥Wp。

公开(公告)号：CN106463382A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580030457.X

申请日：2015-06-02

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 井出匠学 ,  田畑诚 ,  高见信一郎

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

Abstract: 本发明提供消除硬激光标记周缘的隆起的性能优异的研磨用组合物。提供一种硅晶圆用的研磨用组合物。该研磨用组合物包含BET平均粒径为50nm以下的二氧化硅颗粒、弱酸盐和季铵化合物。上述季铵化合物的含量Y[mol/L]满足下述式(1)(此处，Y0[mol/L]为基于理论缓冲比A、弱酸盐的含量X[mol/L]及季铵化合物在二氧化硅颗粒上的吸附量B[mol/L]，通过下式：Y0＝AX+B；定义的量。)。0.80≤(Y/Y0)  (1)。

公开(公告)号：CN103890114B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201280051935.1

申请日：2012-10-09

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 土屋公亮 ,  森嘉男 ,  高见信一郎 ,  高桥修平

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/304 ,  B24B37/00

CPC classification number: B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种研磨用组合物，其特征在于，其为含有磨粒、水溶性高分子、聚集抑制剂和水的研磨用组合物，在将前述研磨用组合物中存在的颗粒的平均粒径设为R1、将使前述磨粒分散在水中而使得与前述研磨用组合物中的磨粒的浓度相同时的磨粒的平均粒径设为R2的情况下，R1/R2为1.3以下。该研磨用组合物主要在研磨硅基板的表面的用途中使用。

公开(公告)号：CN103890114A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280051935.1

申请日：2012-10-09

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 土屋公亮 ,  森嘉男 ,  高见信一郎 ,  高桥修平

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/304 ,  B24B37/00

CPC classification number: B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种研磨用组合物，其特征在于，其为含有磨粒、水溶性高分子、聚集抑制剂和水的研磨用组合物，在将前述研磨用组合物中存在的颗粒的平均粒径设为R1、将使前述磨粒分散在水中而使得与前述研磨用组合物中的磨粒的浓度相同时的磨粒的平均粒径设为R2的情况下，R1/R2为1.3以下。该研磨用组合物主要在研磨硅基板的表面的用途中使用。

公开(公告)号：CN107532067B

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN201680026870.3

申请日：2016-05-02

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 织田博之 ,  高桥修平 ,  森嘉男 ,  高见信一郎 ,  田畑诚

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明涉及可以优选用于主要是硅晶圆等半导体基板以及其它研磨对象物的研磨的研磨用组合物，提供获得良好的整体形状的研磨用组合物。将研磨用组合物的相对于研磨垫的适应性设为Wp、相对于研磨对象物的适应性设为Ww、相对于研磨对象物保持工具的适应性设为Wc时，满足Wp≥Wc或Ww≥Wc≥Wp。

公开(公告)号：CN111919286A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201980022816.5

申请日：2019-03-22

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 织田博之 ,  今宏树 ,  野口直人 ,  高见信一郎

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

Abstract: 通过本发明，提供镓化合物系半导体基板的研磨中使用的研磨用组合物。该研磨用组合物包含二氧化硅磨粒、具有磷酸基或膦酸基的化合物Cpho、及水。另外，通过本发明，提供镓化合物系半导体基板的研磨方法。该方法依次包括用包含磨粒A1及水的浆料S1进行研磨的第一研磨工序，和用包含磨粒A2及水的浆料S2进行研磨的第二研磨工序。上述磨粒A2包含二氧化硅磨粒。上述浆料S2还包含具有磷酸基或膦酸基的化合物Cpho。上述浆料S1不包含上述化合物Cpho，或者上述化合物Cpho的浓度[重量％]比上述浆料S2中的上述化合物Cpho的浓度[重量％]低。

公开(公告)号：CN106463382B

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201580030457.X

申请日：2015-06-02

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 井出匠学 ,  田畑诚 ,  高见信一郎

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

Abstract: 本发明提供消除硬激光标记周缘的隆起的性能优异的研磨用组合物。提供一种硅晶圆用的研磨用组合物。该研磨用组合物包含BET平均粒径为50nm以下的二氧化硅颗粒、弱酸盐和季铵化合物。上述季铵化合物的含量Y[mol/L]满足下述式(1)(此处，Y0[mol/L]为基于理论缓冲比A、弱酸盐的含量X[mol/L]及季铵化合物在二氧化硅颗粒上的吸附量B[mol/L]，通过下式：Y0＝AX+B；定义的量。)。0.80≤(Y/Y0)(1)。

公开(公告)号：CN115697629A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202180038172.6

申请日：2021-05-24

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 高见信一郎

IPC: B24B1/00 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  B24B37/005 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种研磨方法，对于高硬度材料能够有效地实现精度良好地消除了潜伤的表面。本发明提供的研磨方法用于对包含具有1500Hv以上的维氏硬度的材料的基板的研磨。上述研磨方法包含：使用预抛光用组合物对所述基板进行预抛光的工序；以及、使用精加工抛光用组合物对所述经预抛光的基板进行精加工抛光的工序。在此，所述经预抛光的基板的通过AFM测定的表面粗糙度RaPRE为0.1nm以下，上述精加工抛光工序中的研磨余量为0.3μm以上。

公开(公告)号：CN108713242A

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201780014728.1

申请日：2017-02-13

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 高见信一郎 ,  川崎雄介

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: B24B37/00 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 提供：可共通地应用于电阻率互不相同的多种硅基板的研磨方法及该研磨方法中使用的研磨用组合物套组。由本发明提供的硅基板研磨方法包括：对研磨对象的硅基板在上述硅基板的研磨途中依次交替供给第1研磨浆料S1及第2研磨浆料S2。上述第1研磨浆料S1含有磨粒A1及水溶性高分子P1。上述第1研磨浆料S1的研磨效率高于上述第2研磨浆料S2的研磨效率。