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公开(公告)号：CN105451940A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480044741.8
申请日：2014-06-12
Applicant: 福吉米株式会社
CPC classification number: H01L21/30625 , B24B37/28 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , H01L21/02024
Abstract: 本发明课题在于，提供一种能够显著降低研磨对象物表面的雾度水平，而且明显减少缺陷的研磨完的研磨对象物的制造方法。提供一种研磨完的研磨对象物的制造方法，其包括如下的工序：双面研磨工序，使用包含平均一次粒径为40nm以上的第1磨粒和含氮水溶性高分子的双面研磨用组合物对研磨对象物进行双面研磨，得到双面研磨完的研磨对象物；单面研磨工序，使用包含平均一次粒径为40nm以下的第2磨粒和水溶性高分子的单面研磨用组合物对前述双面研磨完的研磨对象物进行单面研磨；前述第1磨粒的平均一次粒径(A)相对于前述第2磨粒的平均一次粒径(B)的比(A)/(B)超过1且为2.5以下。
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公开(公告)号：CN105451940B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201480044741.8
申请日：2014-06-12
Applicant: 福吉米株式会社
CPC classification number: H01L21/30625 , B24B37/28 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , H01L21/02024
Abstract: 本发明课题在于，提供一种能够显著降低研磨对象物表面的雾度水平，而且明显减少缺陷的研磨完的研磨对象物的制造方法。提供一种研磨完的研磨对象物的制造方法，其包括如下的工序：双面研磨工序，使用包含平均一次粒径为40nm以上的第1磨粒和含氮水溶性高分子的双面研磨用组合物对研磨对象物进行双面研磨，得到双面研磨完的研磨对象物；单面研磨工序，使用包含平均一次粒径为40nm以下的第2磨粒和水溶性高分子的单面研磨用组合物对前述双面研磨完的研磨对象物进行单面研磨；前述第1磨粒的平均一次粒径(A)相对于前述第2磨粒的平均一次粒径(B)的比(A)/(B)超过1且为2.5以下。
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公开(公告)号：CN107532067B
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201680026870.3
申请日：2016-05-02
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09K3/14 , B24B37/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及可以优选用于主要是硅晶圆等半导体基板以及其它研磨对象物的研磨的研磨用组合物，提供获得良好的整体形状的研磨用组合物。将研磨用组合物的相对于研磨垫的适应性设为Wp、相对于研磨对象物的适应性设为Ww、相对于研磨对象物保持工具的适应性设为Wc时，满足Wp≥Wc或Ww≥Wc≥Wp。
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公开(公告)号：CN106463382B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201580030457.X
申请日：2015-06-02
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
Abstract: 本发明提供消除硬激光标记周缘的隆起的性能优异的研磨用组合物。提供一种硅晶圆用的研磨用组合物。该研磨用组合物包含BET平均粒径为50nm以下的二氧化硅颗粒、弱酸盐和季铵化合物。上述季铵化合物的含量Y[mol/L]满足下述式(1)(此处，Y0[mol/L]为基于理论缓冲比A、弱酸盐的含量X[mol/L]及季铵化合物在二氧化硅颗粒上的吸附量B[mol/L]，通过下式：Y0＝AX+B；定义的量。)。0.80≤(Y/Y0)(1)。
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公开(公告)号：CN110914958B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201880047433.9
申请日：2018-07-18
Applicant: 福吉米株式会社
Inventor： 田畑诚
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09G1/02 , C09K3/14
Abstract: 本发明提供可有效达成高平坦度且低缺陷的表面的基板研磨方法。根据本发明所提供的基板研磨方法，在基板的预研磨工序中，包含依照顺序供给第1研磨液、第2研磨液与第3研磨液所进行的多个预研磨阶段。第1研磨液所含的水溶性高分子P1的含量COMP1、第2研磨液所含的水溶性高分子P2的含量COMP2、与第3研磨液所含的水溶性高分子P3的含量COMP3的关满足COMP1
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108966673A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201780014069.1
申请日：2017-02-13
Applicant: 福吉米株式会社
Inventor： 田畑诚
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
CPC classification number: B24B37/00 , H01L21/304
Abstract: 提供：能降低PID的硅基板研磨方法和该研磨方法中使用的研磨用组合物套组。由本发明提供的硅基板研磨方法包括预研磨工序和精研磨工序。上述预研磨工序包括在同一平板上进行的多个预研磨阶段。上述多个预研磨阶段包括向上述硅基板供给最终预研磨浆料PF而进行的最终预研磨阶段。上述最终预研磨阶段中向上述硅基板供给的全部最终预研磨浆料PF中的总Cu重量和总Ni重量中的至少一者为1μg以下。
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公开(公告)号：CN106463382A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580030457.X
申请日：2015-06-02
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
Abstract: 本发明提供消除硬激光标记周缘的隆起的性能优异的研磨用组合物。提供一种硅晶圆用的研磨用组合物。该研磨用组合物包含BET平均粒径为50nm以下的二氧化硅颗粒、弱酸盐和季铵化合物。上述季铵化合物的含量Y[mol/L]满足下述式(1)(此处，Y0[mol/L]为基于理论缓冲比A、弱酸盐的含量X[mol/L]及季铵化合物在二氧化硅颗粒上的吸附量B[mol/L]，通过下式：Y0＝AX+B；定义的量。)。0.80≤(Y/Y0) (1)。
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公开(公告)号：CN108966673B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN201780014069.1
申请日：2017-02-13
Applicant: 福吉米株式会社
Inventor： 田畑诚
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
Abstract: 提供：能降低PID的硅基板研磨方法和该研磨方法中使用的研磨用组合物套组。由本发明提供的硅基板研磨方法包括预研磨工序和精研磨工序。上述预研磨工序包括在同一平板上进行的多个预研磨阶段。上述多个预研磨阶段包括向上述硅基板供给最终预研磨浆料PF而进行的最终预研磨阶段。上述最终预研磨阶段中向上述硅基板供给的全部最终预研磨浆料PF中的总Cu重量和总Ni重量中的至少一者为1μg以下。
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公开(公告)号：CN117020927A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311017332.6
申请日：2018-07-18
Applicant: 福吉米株式会社
Inventor： 田畑诚
IPC: B24B37/04 , H01L21/304 , C09G1/02 , C09K3/14 , B24B57/02
Abstract: 本发明涉及基板的研磨方法及研磨用组合物套组。具体地，本发明提供可有效达成高平坦度且低缺陷的表面的基板研磨方法。根据本发明所提供的基板研磨方法，在基板的预研磨工序中，包含依照顺序供给第1研磨液、第2研磨液与第3研磨液所进行的多个预研磨阶段。第1研磨液所含的水溶性高分子P1的含量COMP1、第2研磨液所含的水溶性高分子P2的含量COMP2、与第3研磨液所含的水溶性高分子P3的含量COMP3的关满足COMP1
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公开(公告)号：CN110914958A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201880047433.9
申请日：2018-07-18
Applicant: 福吉米株式会社
Inventor： 田畑诚
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09G1/02 , C09K3/14
Abstract: 本发明提供可有效达成高平坦度且低缺陷的表面的基板研磨方法。根据本发明所提供的基板研磨方法，在基板的预研磨工序中，包含依照顺序供给第1研磨液、第2研磨液与第3研磨液所进行的多个预研磨阶段。第1研磨液所含的水溶性高分子P1的含量COMP1、第2研磨液所含的水溶性高分子P2的含量COMP2、与第3研磨液所含的水溶性高分子P3的含量COMP3的关满足COMP1
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