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公开(公告)号：CN102015531A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980115553.9
申请日：2009-05-13
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: H01L23/295 , C01B33/12 , C01B33/18 , C01P2006/12 , C08K3/36 , C08L63/00 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供即使高填充无机质填充材料、封装时的粘度也低、成形性进一步提高的树脂组合物、特别是半导体封装材料。另外，提供适于调制这种树脂组合物的无定形二氧化硅质粉末和无定形二氧化硅质粉末的制造方法。一种无定形二氧化硅质粉末，使无定形二氧化硅质粉末吸附吡啶后，在大于或等于450℃但小于550℃的温度下进行加热时的吡啶的脱附量L与在大于或等于150℃但小于250℃的温度下进行加热时的吡啶的脱附量B之比L/B为0.8以下。进而，在大于或等于150℃但小于550℃的温度下进行加热时的吡啶的总脱附量A中，在大于或等于150℃但小于250℃的温度下进行加热时的吡啶的脱附量B所占的比例(B/A)×100％优选为20％以上。另外，前述无定形二氧化硅质粉末优选的是，比表面积为0.5～45m2/g，平均粒径为0.1～60μm，平均球形度为0.80以上。
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公开(公告)号：CN102325724A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200980157321.X
申请日：2009-10-29
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: H01L23/298 , C01F7/02 , C01F7/027 , C01P2002/85 , C01P2004/32 , C01P2004/61 , C01P2006/42 , H01L23/293 , H01L2924/0002 , Y10T428/2982 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的课题在于提供导电性异物混入率极低的半导体密封材料，另外，在于提供适于制备这种半导体密封材料的由球状二氧化硅质粉末和/或球状氧化铝质粉末形成的粉末、其制造方法以及树脂组合物。本发明的粉末如下：对粒径为45μm以上的可磁化颗粒在特定条件下通过铁氰化钾水溶液进行颗粒显色反应试验时，相对于可磁化颗粒的总个数，显色的颗粒个数比率为20％以下，且其是由球状二氧化硅质粉末和/或球状氧化铝质粉末形成的粉末。这种粉末可以如下制造：以相对于粉末原料的喷射方向为60°～90°的角度向炉内气氛温度达到1600～1800℃的任意至少一处供给特定量的氧气和/或水蒸气，使粉末原料和/或球状粉末与不锈钢和/或铁的相对速度为5m/s以下。
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公开(公告)号：CN101743198A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200880024526.6
申请日：2008-07-25
Applicant: 电气化学工业株式会社
IPC: C01B33/18 , C08K9/02 , C08L101/00
CPC classification number: C01B33/181 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明提供了具有优异的流动性和填充性且溢料发生少的二氧化硅粉末、其制造方法以及在橡胶和树脂的至少一种中包含该二氧化硅粉末而形成的组合物，尤其是密封材料。所述二氧化硅粉末含有0.1～20质量％的超微粉末且平均球形度为0.85以上，在通过动态光散射式粒度分布测定仪测得的粒度中，超微粉末的平均粒径为150～250nm，粒径为100nm以下的颗粒含量低于10质量％(不包括0质量％)，且粒径超过100nm但在150nm以下的颗粒含量为10～50质量％。此外，本发明涉及二氧化硅粉末的制造方法，其中，在将二氧化硅粉末原料喷射到用燃烧器形成的1750℃以上的高温场中进行热处理时，以从燃烧器的前端部到3.0～4.5m的部分为上述高温场的形成范围，将含有0.05～10质量％的金属硅粉末的二氧化硅粉末原料喷射到该高温场中。本发明还涉及使用本发明的二氧化硅粉末的密封材料。
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公开(公告)号：CN102325724B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN200980157321.X
申请日：2009-10-29
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: H01L23/298 , C01F7/02 , C01F7/027 , C01P2002/85 , C01P2004/32 , C01P2004/61 , C01P2006/42 , H01L23/293 , H01L2924/0002 , Y10T428/2982 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的课题在于提供导电性异物混入率极低的半导体密封材料，另外，在于提供适于制备这种半导体密封材料的由球状二氧化硅质粉末和/或球状氧化铝质粉末形成的粉末、其制造方法以及树脂组合物。本发明的粉末如下：对粒径为45μm以上的可磁化颗粒在特定条件下通过铁氰化钾水溶液进行颗粒显色反应试验时，相对于可磁化颗粒的总个数，显色的颗粒个数比率为20％以下，且其是由球状二氧化硅质粉末和/或球状氧化铝质粉末形成的粉末。这种粉末可以如下制造：以相对于粉末原料的喷射方向为60°～90°的角度向炉内气氛温度达到1600～1800℃的任意至少一处供给特定量的氧气和/或水蒸气，使粉末原料和/或球状粉末与不锈钢和/或铁的相对速度为5m/s以下。
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公开(公告)号：CN102066254A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200980123257.3
申请日：2009-06-16
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: H01L23/295 , C01B33/12 , C01B33/18 , C01P2004/61 , C08K3/22 , C08K3/34 , C08K3/36 , C08L63/00 , H01L2924/0002 , Y10T428/2982 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的课题在于提供一种即使高填充无机填料，密封时的粘度仍较低、成型性进一步提高的半导体密封材料。另外提供适于制备这种树脂组合物的无定形二氧化硅粉末和无定形二氧化硅粉末的制造方法。在Si和Al的氧化物换算含有率为99.5质量％以上的无定形二氧化硅粉末中，15μm以上且小于70μm的粒度范围的Al含量以氧化物换算为100～30000ppm，3μm以上且小于15μm的粒度范围的Al含量以氧化物换算为100～7000ppm，全粒度范围的Al含量以氧化物换算为100～25000ppm，15μm以上且小于70μm的粒度范围的Al含量(A)与3μm以上且小于15μm的粒度范围的Al含量(B)之比(A)/(B)优选为1.0～20。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101563291A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200780046589.7
申请日：2007-12-21
Applicant: 电气化学工业株式会社
IPC: C01B33/18 , C01B33/12 , C08K3/36 , C08L101/00
CPC classification number: C01B33/12 , C08L21/00 , C08L63/00 , H01L23/295 , H01L2924/0002 , H05K1/0373 , H01L2924/00
Abstract: 提供提高了HTSL特性及HTOL特性的适于半导体密封材料用的无定形二氧化硅粉末、其制造方法。无定形二氧化硅粉末，其特征在于，所述无定形二氧化硅粉末中采用原子吸收分光光度法测得的Al含量以Al2O3换算为0.03～20质量％，无定形二氧化硅粉末的平均粒径为50μm以下，而且，根据平均粒径将该无定形二氧化硅粉末分为两种粉末时，与粒径大于平均粒径的粉末相比，粒径小于平均粒径的粉末的Al2O3换算含有率更大。
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公开(公告)号：CN101472841A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200780022680.5
申请日：2007-05-11
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: C08K3/36 , C01B33/126 , C04B35/14 , C04B2235/5436 , C04B2235/5472 , H01L23/295 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , Y10T428/2982 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种陶瓷粉末，该粉末通常配合于橡胶或树脂等来制备用于半导体密封材料等的狭缝填充性及成形性优异的组合物。对该陶瓷粉末而言，用激光衍射－散射式粒度分布测定仪测定的粒度中，具有至少有两个峰的多峰性的频度粒度分布，第一峰的最大粒径在12～30μm范围内、第二峰的最大粒径在2～7μm范围内，其中，超过7μm至12μm的粒子的含有率为18质量％以下(包括0％)，第二峰的最大粒径的频度值F2和第一峰的最大粒径的频度值F1的比值(F2/F1)为0.5～1.3。
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公开(公告)号：CN102015531B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN200980115553.9
申请日：2009-05-13
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: H01L23/295 , C01B33/12 , C01B33/18 , C01P2006/12 , C08K3/36 , C08L63/00 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供即使高填充无机质填充材料、封装时的粘度也低、成形性进一步提高的树脂组合物、特别是半导体封装材料。另外，提供适于调制这种树脂组合物的无定形二氧化硅质粉末和无定形二氧化硅质粉末的制造方法。一种无定形二氧化硅质粉末，使无定形二氧化硅质粉末吸附吡啶后，在大于或等于450℃但小于550℃的温度下进行加热时的吡啶的脱附量L与在大于或等于150℃但小于250℃的温度下进行加热时的吡啶的脱附量B之比L/B为0.8以下。进而，在大于或等于150℃但小于550℃的温度下进行加热时的吡啶的总脱附量A中，在大于或等于150℃但小于250℃的温度下进行加热时的吡啶的脱附量B所占的比例(B/A)×100％优选为20％以上。另外，前述无定形二氧化硅质粉末优选的是，比表面积为0.5～45m2/g，平均粒径为0.1～60μm，平均球形度为0.80以上。
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公开(公告)号：CN101925534A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200980103263.2
申请日：2009-01-23
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: H05K1/0373 , C01B32/40 , H01L23/295 , H01L2924/0002 , H05K2201/0209 , H01L2924/00
Abstract: 提供适于调制半导体封装材料等的二氧化硅质粉末、以及其制造方法。优选吡啶的弗罗因德利希吸附常数K为1.3～5.0的二氧化硅质粉末，特别优选SiO2、Al2O3、以及B2O3的含有率(氧化物换算)的总计为99.5质量％以上，Al2O3和B2O3的含有率的总计为0.1～20质量％。进而，提供二氧化硅质粉末的制造方法，将至少两根燃烧器以相对于炉体的中心轴为2～10°的角度配置到炉体中，从一根燃烧器向火焰喷射原料二氧化硅质粉末，从至少一根燃烧器向火焰喷射Al源物质和/或B源物质。另外，提供含有上述二氧化硅质粉末或无机质粉末的树脂组合物。
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公开(公告)号：CN101472840A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200780022643.4
申请日：2007-05-11
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: C08K3/36 , C01B33/12 , C04B35/62665 , C04B35/62813 , C04B35/62892 , C04B2235/3418 , C04B2235/528 , C04B2235/5296 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5472 , C09K21/02 , H01L23/295 , H01L2924/0002 , Y10T428/2982 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种陶瓷粉末，其被用于半导体密封材料，并被混合在橡胶或树脂等中从而调制耐热性和阻燃性优异的组合物。在用激光衍射散射式粒度分布测定装置测定得到的粒度中，该陶瓷粉末具有带至少两个峰的多峰性频度粒度分布，第一峰的最大粒径在40～80μm的范围内，第二峰的最大粒径在3～8μm的范围内，并且20μm～小于40μm的颗粒的比例为20质量％以下(包括0％)。
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