-
公开(公告)号：CN102325724A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200980157321.X
申请日：2009-10-29
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: H01L23/298 , C01F7/02 , C01F7/027 , C01P2002/85 , C01P2004/32 , C01P2004/61 , C01P2006/42 , H01L23/293 , H01L2924/0002 , Y10T428/2982 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的课题在于提供导电性异物混入率极低的半导体密封材料，另外，在于提供适于制备这种半导体密封材料的由球状二氧化硅质粉末和/或球状氧化铝质粉末形成的粉末、其制造方法以及树脂组合物。本发明的粉末如下：对粒径为45μm以上的可磁化颗粒在特定条件下通过铁氰化钾水溶液进行颗粒显色反应试验时，相对于可磁化颗粒的总个数，显色的颗粒个数比率为20％以下，且其是由球状二氧化硅质粉末和/或球状氧化铝质粉末形成的粉末。这种粉末可以如下制造：以相对于粉末原料的喷射方向为60°～90°的角度向炉内气氛温度达到1600～1800℃的任意至少一处供给特定量的氧气和/或水蒸气，使粉末原料和/或球状粉末与不锈钢和/或铁的相对速度为5m/s以下。
-
公开(公告)号：CN103946157A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201280055625.7
申请日：2012-11-14
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: H01M4/366 , C01B25/45 , C01B32/05 , H01M4/136 , H01M4/5825 , H01M4/583 , H01M10/052 , H01M2004/021 , Y02T10/7011
Abstract: 本发明提供安全性高、能进行大电流充放电，而且具有长寿命的锂离子二次电池用正极材料。一种复合粒子，是含有锂的磷酸盐粒子被碳膜包覆而成，所述碳膜含有选自由(i)纤维状碳材料、(ii)链状碳材料以及(iii)纤维状碳材料和链状碳材料互相联结而成的碳材料所组成的群的1种以上的碳材料。优选纤维状碳材料是平均纤维直径为5～200nm的碳纳米管。优选链状碳材料是平均粒径为10～100nm的一次粒子以链状结合而成的碳黑。优选含有锂的磷酸盐是LiFePO4、LiMnPO4、LiMnXFe(1－X)PO4、LiCoPO4或Li3V2(PO4)3。
-
公开(公告)号：CN102015531A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980115553.9
申请日：2009-05-13
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: H01L23/295 , C01B33/12 , C01B33/18 , C01P2006/12 , C08K3/36 , C08L63/00 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供即使高填充无机质填充材料、封装时的粘度也低、成形性进一步提高的树脂组合物、特别是半导体封装材料。另外，提供适于调制这种树脂组合物的无定形二氧化硅质粉末和无定形二氧化硅质粉末的制造方法。一种无定形二氧化硅质粉末，使无定形二氧化硅质粉末吸附吡啶后，在大于或等于450℃但小于550℃的温度下进行加热时的吡啶的脱附量L与在大于或等于150℃但小于250℃的温度下进行加热时的吡啶的脱附量B之比L/B为0.8以下。进而，在大于或等于150℃但小于550℃的温度下进行加热时的吡啶的总脱附量A中，在大于或等于150℃但小于250℃的温度下进行加热时的吡啶的脱附量B所占的比例(B/A)×100％优选为20％以上。另外，前述无定形二氧化硅质粉末优选的是，比表面积为0.5～45m2/g，平均粒径为0.1～60μm，平均球形度为0.80以上。
-
公开(公告)号：CN103209923B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201180055027.5
申请日：2011-11-10
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 , 电气化学工业株式会社
CPC classification number: C01B31/36 , C01B32/956 , C30B23/02 , C30B29/36 , C30B35/007 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明提供在利用升华再结晶法的单晶生长中，显示出高且稳定的升华速度的碳化硅粉体及其制造方法。是平均粒径在100℃以上700μｍ以下、且比表面积在0.05ｍ2/ｇ以上0.30ｍ2/ｇ以下的碳化硅单晶制造用碳化硅粉体。优选为粒子粒径在5μｍ以上200μｍ以下的一次粒子烧结而成的粒子形态。碳化硅单晶制造用碳化硅粉体的制造方法包含：以温度1900℃以上2400℃以下、压力70Mpa以下、非氧化性气氛下的条件，将平均粒径20μｍ以下的碳化硅粉体加压烧结来得到密度1.29g/cm3以上的烧结体的工序；通过粉碎对得到的烧结体进行粒度调整的工序；以及通过酸处理除去杂质的工序。
-
公开(公告)号：CN102015531B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN200980115553.9
申请日：2009-05-13
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: H01L23/295 , C01B33/12 , C01B33/18 , C01P2006/12 , C08K3/36 , C08L63/00 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供即使高填充无机质填充材料、封装时的粘度也低、成形性进一步提高的树脂组合物、特别是半导体封装材料。另外，提供适于调制这种树脂组合物的无定形二氧化硅质粉末和无定形二氧化硅质粉末的制造方法。一种无定形二氧化硅质粉末，使无定形二氧化硅质粉末吸附吡啶后，在大于或等于450℃但小于550℃的温度下进行加热时的吡啶的脱附量L与在大于或等于150℃但小于250℃的温度下进行加热时的吡啶的脱附量B之比L/B为0.8以下。进而，在大于或等于150℃但小于550℃的温度下进行加热时的吡啶的总脱附量A中，在大于或等于150℃但小于250℃的温度下进行加热时的吡啶的脱附量B所占的比例(B/A)×100％优选为20％以上。另外，前述无定形二氧化硅质粉末优选的是，比表面积为0.5～45m2/g，平均粒径为0.1～60μm，平均球形度为0.80以上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103209923A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201180055027.5
申请日：2011-11-10
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 , 电气化学工业株式会社
CPC classification number: C01B31/36 , C01B32/956 , C30B23/02 , C30B29/36 , C30B35/007 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明提供在利用升华再结晶法的单晶生长中，显示出高且稳定的升华速度的碳化硅粉体及其制造方法。是平均粒径在100℃以上700μｍ以下、且比表面积在0.05ｍ2/ｇ以上0.30ｍ2/ｇ以下的碳化硅单晶制造用碳化硅粉体。优选为粒子粒径在5μｍ以上200μｍ以下的一次粒子烧结而成的粒子形态。碳化硅单晶制造用碳化硅粉体的制造方法包含：以温度1900℃以上2400℃以下、压力70Mpa以下、非氧化性气氛下的条件，将平均粒径20μｍ以下的碳化硅粉体加压烧结来得到密度1.29g/cm3以上的烧结体的工序；通过粉碎对得到的烧结体进行粒度调整的工序；以及通过酸处理除去杂质的工序。
-
公开(公告)号：CN101925534A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200980103263.2
申请日：2009-01-23
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: H05K1/0373 , C01B32/40 , H01L23/295 , H01L2924/0002 , H05K2201/0209 , H01L2924/00
Abstract: 提供适于调制半导体封装材料等的二氧化硅质粉末、以及其制造方法。优选吡啶的弗罗因德利希吸附常数K为1.3～5.0的二氧化硅质粉末，特别优选SiO2、Al2O3、以及B2O3的含有率(氧化物换算)的总计为99.5质量％以上，Al2O3和B2O3的含有率的总计为0.1～20质量％。进而，提供二氧化硅质粉末的制造方法，将至少两根燃烧器以相对于炉体的中心轴为2～10°的角度配置到炉体中，从一根燃烧器向火焰喷射原料二氧化硅质粉末，从至少一根燃烧器向火焰喷射Al源物质和/或B源物质。另外，提供含有上述二氧化硅质粉末或无机质粉末的树脂组合物。
-
公开(公告)号：CN103975468A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201280055622.3
申请日：2012-11-14
Applicant: 电气化学工业株式会社
IPC: H01M4/58 , H01M4/136 , H01M4/36 , H01M10/052 , H01M10/0566 , C01B25/45 , C01B31/02
CPC classification number: H01M4/364 , B82Y30/00 , C01B25/45 , C01B32/05 , H01M4/136 , H01M4/366 , H01M4/5825 , H01M4/625 , H01M10/052 , H01M2004/021 , Y10S977/742 , Y10S977/948 , H01M4/583
Abstract: 本发明提供安全性高、能大电流充放电而且长寿命的锂离子二次电池用正极材料。一种复合粒子，其中包括：选自由(i)纤维状碳材料、(ii)链状碳材料以及(iii)纤维状碳材料和链状碳材料互相联结而成的碳材料所组成的群1种以上的碳材料；和含有锂的磷酸盐，以选自所述群的1种以上的碳材料为起点的细孔的至少一个是通往复合粒子外部的细孔。优选用碳包覆复合粒子。纤维状碳材料优选平均纤维直径为5～200nm的碳纳米管。链状碳材料优选为平均粒子直径为10～100nm的一次粒子链状结合而成的碳黑。
-
公开(公告)号：CN102066254B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN200980123257.3
申请日：2009-06-16
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: H01L23/295 , C01B33/12 , C01B33/18 , C01P2004/61 , C08K3/22 , C08K3/34 , C08K3/36 , C08L63/00 , H01L2924/0002 , Y10T428/2982 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的课题在于提供一种即使高填充无机填料，密封时的粘度仍较低、成型性进一步提高的半导体密封材料。另外提供适于制备这种树脂组合物的无定形二氧化硅粉末和无定形二氧化硅粉末的制造方法。在Si和Al的氧化物换算含有率为99.5质量％以上的无定形二氧化硅粉末中，15μm以上且小于70μm的粒度范围的Al含量以氧化物换算为100～30000ppm，3μm以上且小于15μm的粒度范围的Al含量以氧化物换算为100～7000ppm，全粒度范围的Al含量以氧化物换算为100～25000ppm，15μm以上且小于70μm的粒度范围的Al含量(A)与3μm以上且小于15μm的粒度范围的Al含量(B)之比(A)/(B)优选为1.0～20。
-
公开(公告)号：CN101925534B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200980103263.2
申请日：2009-01-23
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: H05K1/0373 , C01B32/40 , H01L23/295 , H01L2924/0002 , H05K2201/0209 , H01L2924/00
Abstract: 提供适于调制半导体封装材料等的二氧化硅质粉末、以及其制造方法。优选吡啶的弗罗因德利希吸附常数K为1.3～5.0的二氧化硅质粉末，特别优选SiO2、Al2O3、以及B2O3的含有率(氧化物换算)的总计为99.5质量％以上，Al2O3和B2O3的含有率的总计为0.1～20质量％。进而，提供二氧化硅质粉末的制造方法，将至少两根燃烧器以相对于炉体的中心轴为2～10°的角度配置到炉体中，从一根燃烧器向火焰喷射原料二氧化硅质粉末，从至少一根燃烧器向火焰喷射Al源物质和/或B源物质。另外，提供含有上述二氧化硅质粉末或无机质粉末的树脂组合物。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.021 seconds)
