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公开(公告)号：CN103209923B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201180055027.5
申请日：2011-11-10
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 , 电气化学工业株式会社
CPC classification number: C01B31/36 , C01B32/956 , C30B23/02 , C30B29/36 , C30B35/007 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明提供在利用升华再结晶法的单晶生长中，显示出高且稳定的升华速度的碳化硅粉体及其制造方法。是平均粒径在100℃以上700μｍ以下、且比表面积在0.05ｍ2/ｇ以上0.30ｍ2/ｇ以下的碳化硅单晶制造用碳化硅粉体。优选为粒子粒径在5μｍ以上200μｍ以下的一次粒子烧结而成的粒子形态。碳化硅单晶制造用碳化硅粉体的制造方法包含：以温度1900℃以上2400℃以下、压力70Mpa以下、非氧化性气氛下的条件，将平均粒径20μｍ以下的碳化硅粉体加压烧结来得到密度1.29g/cm3以上的烧结体的工序；通过粉碎对得到的烧结体进行粒度调整的工序；以及通过酸处理除去杂质的工序。
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公开(公告)号：CN103209923A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201180055027.5
申请日：2011-11-10
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 , 电气化学工业株式会社
CPC classification number: C01B31/36 , C01B32/956 , C30B23/02 , C30B29/36 , C30B35/007 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明提供在利用升华再结晶法的单晶生长中，显示出高且稳定的升华速度的碳化硅粉体及其制造方法。是平均粒径在100℃以上700μｍ以下、且比表面积在0.05ｍ2/ｇ以上0.30ｍ2/ｇ以下的碳化硅单晶制造用碳化硅粉体。优选为粒子粒径在5μｍ以上200μｍ以下的一次粒子烧结而成的粒子形态。碳化硅单晶制造用碳化硅粉体的制造方法包含：以温度1900℃以上2400℃以下、压力70Mpa以下、非氧化性气氛下的条件，将平均粒径20μｍ以下的碳化硅粉体加压烧结来得到密度1.29g/cm3以上的烧结体的工序；通过粉碎对得到的烧结体进行粒度调整的工序；以及通过酸处理除去杂质的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105246826B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201380076003.7
申请日：2013-11-27
Applicant: 太平洋水泥株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: C30B23/025 , C01B32/956 , C01P2004/50 , C01P2004/60 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C30B23/00 , C30B29/36
Abstract: 提供一种碳化硅粉末，其用作升华再结晶法的原料的情况下，升华速度快且未升华而残存的碳化硅的量少，因此能够提高碳化硅单晶的生产率，并且碳化硅单晶(例如单晶晶片)能够大型化。碳化硅粉末是勃氏比表面积为250～1,000cm2/g的碳化硅粉末，该碳化硅粉末的总量中，粒度超过0.70mm且为3.00mm以下的碳化硅粉末的比例为50体积％以上。通过将碳化硅粉末5收容至坩埚1内并加热使其升华，能够使碳化硅的单晶6形成于设置于上盖3的底面部分的籽晶4上。
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公开(公告)号：CN102405310A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201080017234.7
申请日：2010-04-22
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 , 株式会社藤仓
CPC classification number: C30B29/403 , C30B23/02 , Y10T117/1024
Abstract: 本发明的氮化铝单晶的制造装置是具备将氮化铝原料和配置成与该氮化铝原料对置的晶种收容于内部的坩埚的氮化铝单晶的制造装置，其中，上述坩埚包含内侧坩埚和外侧坩埚，所述内侧坩埚在内部收纳上述氮化铝原料和上述晶种，并且对上述氮化铝原料的升华气体具有耐腐蚀性，并且由具有比铝的离子半径大的离子半径的金属的单体或其氮化物形成，所述外侧坩埚包覆上述内侧坩埚，且由氮化硼形成。
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公开(公告)号：CN102405310B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201080017234.7
申请日：2010-04-22
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 , 株式会社藤仓
CPC classification number: C30B29/403 , C30B23/02 , Y10T117/1024
Abstract: 本发明的氮化铝单晶的制造装置是具备将氮化铝原料和配置成与该氮化铝原料对置的晶种收容于内部的坩埚的氮化铝单晶的制造装置，其中，上述坩埚包含内侧坩埚和外侧坩埚，所述内侧坩埚在内部收纳上述氮化铝原料和上述晶种，并且对上述氮化铝原料的升华气体具有耐腐蚀性，并且由具有比铝的离子半径大的离子半径的金属的单体或其氮化物形成，所述外侧坩埚包覆上述内侧坩埚，且由氮化硼形成。
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公开(公告)号：CN103249877A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201180053805.7
申请日：2011-11-09
Applicant: 株式会社藤仓 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: C30B29/38
CPC classification number: C30B23/02 , C30B23/00 , C30B23/066 , C30B29/403
Abstract: 本发明的氮化铝单晶的制造装置是通过加热氮化铝原料而使其升华，使氮化铝在晶种上再结晶，从而制造氮化铝单晶的氮化铝单晶的制造装置，具备：收纳氮化铝原料且由对氮化铝原料升华时产生的铝气具有耐腐蚀性的材料构成的生长容器和设置于生长容器的外侧且介由生长容器加热氮化铝原料的发热体；并且，生长容器具备具有收纳氮化铝的收纳部的主体部和将主体部的收纳部密闭的盖体，发热体由含有钨的金属材料构成。
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公开(公告)号：CN105246826A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201380076003.7
申请日：2013-11-27
Applicant: 太平洋水泥株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: C30B23/025 , C01B32/956 , C01P2004/50 , C01P2004/60 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C30B23/00 , C30B29/36
Abstract: 提供一种碳化硅粉末，其用作升华再结晶法的原料的情况下，升华速度快且未升华而残存的碳化硅的量少，因此能够提高碳化硅单晶的生产率，并且碳化硅单晶(例如单晶晶片)能够大型化。碳化硅粉末是勃氏比表面积为250～1,000cm2/g的碳化硅粉末，该碳化硅粉末的总量中，粒度超过0.70mm且为3.00mm以下的碳化硅粉末的比例为50体积％以上。通过将碳化硅粉末5收容至坩埚1内并加热使其升华，能够使碳化硅的单晶6形成于设置于上盖3的底面部分的籽晶4上。
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