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公开(公告)号:CN102405310A
公开(公告)日:2012-04-04
申请号:CN201080017234.7
申请日:2010-04-22
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 , 株式会社藤仓
CPC classification number: C30B29/403 , C30B23/02 , Y10T117/1024
Abstract: 本发明的氮化铝单晶的制造装置是具备将氮化铝原料和配置成与该氮化铝原料对置的晶种收容于内部的坩埚的氮化铝单晶的制造装置,其中,上述坩埚包含内侧坩埚和外侧坩埚,所述内侧坩埚在内部收纳上述氮化铝原料和上述晶种,并且对上述氮化铝原料的升华气体具有耐腐蚀性,并且由具有比铝的离子半径大的离子半径的金属的单体或其氮化物形成,所述外侧坩埚包覆上述内侧坩埚,且由氮化硼形成。
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公开(公告)号:CN102405310B
公开(公告)日:2014-05-21
申请号:CN201080017234.7
申请日:2010-04-22
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 , 株式会社藤仓
CPC classification number: C30B29/403 , C30B23/02 , Y10T117/1024
Abstract: 本发明的氮化铝单晶的制造装置是具备将氮化铝原料和配置成与该氮化铝原料对置的晶种收容于内部的坩埚的氮化铝单晶的制造装置,其中,上述坩埚包含内侧坩埚和外侧坩埚,所述内侧坩埚在内部收纳上述氮化铝原料和上述晶种,并且对上述氮化铝原料的升华气体具有耐腐蚀性,并且由具有比铝的离子半径大的离子半径的金属的单体或其氮化物形成,所述外侧坩埚包覆上述内侧坩埚,且由氮化硼形成。
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公开(公告)号:CN103249877A
公开(公告)日:2013-08-14
申请号:CN201180053805.7
申请日:2011-11-09
Applicant: 株式会社藤仓 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: C30B29/38
CPC classification number: C30B23/02 , C30B23/00 , C30B23/066 , C30B29/403
Abstract: 本发明的氮化铝单晶的制造装置是通过加热氮化铝原料而使其升华,使氮化铝在晶种上再结晶,从而制造氮化铝单晶的氮化铝单晶的制造装置,具备:收纳氮化铝原料且由对氮化铝原料升华时产生的铝气具有耐腐蚀性的材料构成的生长容器和设置于生长容器的外侧且介由生长容器加热氮化铝原料的发热体;并且,生长容器具备具有收纳氮化铝的收纳部的主体部和将主体部的收纳部密闭的盖体,发热体由含有钨的金属材料构成。
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