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公开(公告)号：CN119843364A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510084773.0
申请日：2025-01-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿单晶材料制备及表面处理工艺，涉及钙钛矿单晶材料制备技术领域。提供的制备工艺为，混合甲基溴化胺粉末、溴化铅粉末溶解于N，N‑二甲基甲酰胺溶剂中得到预设浓度的MAPbBr3前驱体溶液；对MAPbBr3前驱体溶液进行过滤后溶剂挥发、烘烤得到块状钙钛矿单晶材料；对块状钙钛矿单晶材料进行打磨、抛光得到镜面型钙钛矿单晶材料；S4、提供溴丁醇粉末、异丙醇溶剂，将溴丁醇粉末溶解于异丙醇溶剂中得到形成nBABr溶液；将镜面型钙钛矿单晶材料浸泡于nBABr溶液预设时间后干燥得到成品。还提供由上述制备工艺制备而成的材料及其在制备高能射线探测器中的应用。
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公开(公告)号：CN115663043B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202211303364.8
申请日：2022-10-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种互补势垒CBIRD结构的长波红外探测器，属于红外探测器技术领域，目的在于提供一种互补势垒CBIRD结构的长波红外探测器，引入一种全新设计的空穴势垒结构，该空穴势垒降低了陷阱相关的隧穿，与吸收层之间的单级势垒Np结降低了SRH相关暗电流，和电子势垒组合形成互补势垒CBIRD结构，解决了现有技术中InAs/InAsSb T2SL探测器暗电流高、响应度/比探测率较低等问题。其包括衬底，衬底上表面从下至上依次设置有缓冲层、底部接触‑空穴势垒层、吸收层、电子势垒层、顶部接触层，底部接触‑空穴势垒层上表面设置底部接触电极，顶部接触层上表面设置有顶部接触电极。本发明适用于一种互补势垒CBIRD结构的长波红外探测器。
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公开(公告)号：CN114284443B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202111586089.0
申请日：2021-12-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性光电探测器阵列的制备方法，属于光电材料与器件技术领域，目的在于提供一种柔性光电探测器阵列的制备方法，解决现有钙钛矿探测器器件技术中材料空气稳定性较差、载流子输运较慢的不足，以及胶体量子点中存在大量团簇现象和目前传统探测器中无法与柔性衬底兼容的问题，其基于全无机金属卤素全无机钙钛矿量子点提出了一种有效的制备方法，通过低频和室温的超声处理以及精准的机械刻划方法实现了高性能的柔性光电探测器阵列。本发明适用于高光谱光电探测器的制备工艺。
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公开(公告)号：CN108900089A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810694835.X
申请日：2018-06-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明提供了一种应用于电压传输比大于1的DAB全功率软开关控制方法，通过数字控制器调整PWM输出，来控制对应开关器件。理论计算时，PWM输出主要是调整高频变压器原副边H桥之间的外移相比D0、原边全桥内移相比D1、副边全桥内移相比D2三个移相控制量，使得双有源全桥直流变换器能在电压传输比大于1的全功率范围内实现电流优化下的软开关。扩宽了软开关范围的同时减小了变换器的功率损耗，提高了变换器整体效率，且无需改变变换器的电路结构，易于实现，适用性广，可应用于高频隔离开关电源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119875620A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510086588.5
申请日：2025-01-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及量子点技术领域，公开了一种胶体量子点及其制备方法，胶体量子点制备方法包括，提供铯基前驱体溶液和铅基前驱体溶液；分别对铯基前驱体溶液和铅基前驱体溶液进行过滤处理；提供异丙醇溶剂和正己烷溶剂，将异丙醇溶剂、正己烷溶剂和过滤的铯基前驱体溶液混合形成预溶液；将过滤后的铅基前驱体溶液注入预溶液中形成混合溶液；对混合溶液进行第一次离心处理；提供有机前驱体溶剂，将第一次离心后的混合溶液分散至有机前驱体溶剂后进行第二次离心处理；提供低极性溶剂，经第二次离心后的混合溶液分散至低极性溶剂内，获得胶体量子点。还提供由前述方法制备的胶体量子点。避免了现有的热注入法对温度控制严格的问题。
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公开(公告)号：CN119384197A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411502761.7
申请日：2024-10-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高速钙钛矿光电探测器的制备方法及其应用，涉及探测器器件技术领域，特别涉及一种高速钙钛矿光电探测器的制备方法及其应用。解决了现有的钙钛矿基光电探测器暗电流大、能级不匹配、串联电阻高，不利于界面载流子提取的问题。方法包括以下步骤：提供衬底并对其进行预处理得到预处理后的衬底；在预处理后的衬底上旋涂NiOx溶液并退火得到预处理膜层；在预处理膜层表面旋转涂覆2Br‑POOH溶液并退火得到第一处理件；将钙钛矿前驱体溶液滴到第一处理件上并旋转涂覆退火得到钙钛矿薄膜；在衬底上热蒸发电极得到光电探测器。本方法促进了钙钛矿晶体的纵向生长，有利于载流子的收集和传输，器件稳定性、响应高。
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公开(公告)号：CN118472087A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410618148.5
申请日：2024-05-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/0232 , G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种种多色红外探测器及探测方法，该探测器包括依次排布的衬底、n型接触层、势垒层、复合吸收区、p型接触层、电极层；所述复合吸收区沿被测光线入射方向设置有若干吸收层，所述若干吸收层从前至后禁带宽度递减，使得被测光线入射到某个吸收层时，大于该吸收层禁带宽度的光子被该层吸收并产生光生载流子；所述电极层与n型接触层作为电极使得二者之间可加载不同偏压，并根据偏压的不同可打破不同吸收层间的势垒，使得吸收层中产生的光生载流子能突破各吸收层之间的势垒从而输送到势垒层被抽取。本发明能够进行多波段红外光的探测，并且体积小结构简单。
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公开(公告)号：CN117577705A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311466974.4
申请日：2023-11-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/09 , H01L31/18 , G01N33/00 , G08B17/10
Abstract: 本发明公开了光电探测器及其制备方法、烟雾感知系统、其制备方法及应用，涉及光电探测器技术领域。解决了现有的声非互易器件存在结构复杂、制造困难的问题。光电探测器包括衬底、设在所述衬底上部的MoS2薄膜、设在所述MoS2薄膜远离所述衬底一面上的两个欧姆接触电极。本发明还提供一种光电探测器的制备方法。本发明还提供一种烟雾感知系统，包括电源，所述电源连接有激光器，所述激光器远离所述电源的一端连接有气体腔室，所述气体腔室连接有报警器。本光电探测器的探测效率增高，且在火灾初期也具有较高的灵敏性。
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公开(公告)号：CN114497279B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210036065.6
申请日：2022-01-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/032 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种高性能光电探测器的制备方法，属于光电材料与器件技术领域，目的在于提供一种高性能光电探测器的制备方法，解决现有二硒化钼光电探测器存在结构缺陷、不稳定性、低光响应的问题。其采用有效的O2等离子体处理来制备用于可见光和近红外探测的多层MoSe2光电探测器，经O2等离子体处理的MoSe2表现出显著改善的性能，在MoSe2内部产生强大的内建电场，有效地抑制了光载流子的复合，明显提升光电性能。本发明适用于高性能二硒化钼光电探测器的制备方法。
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